SGM892B/SGM893B標(biāo)準(zhǔn)CMOS電壓檢測(cè)器IC：高精度低功耗的理想之選

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，電壓檢測(cè)是一項(xiàng)非常關(guān)鍵的技術(shù)，它廣泛應(yīng)用于各種電路中，以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。今天要介紹的SGM892B和SGM893B標(biāo)準(zhǔn)CMOS電壓檢測(cè)器IC，憑借其高精度檢測(cè)和低功耗的特性，成為了眾多工程師的首選。

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一、產(chǎn)品概述

SGM892B和SGM893B是具有高精度檢測(cè)功能的低功耗電壓檢測(cè)器。它們的檢測(cè)電壓范圍從1.0V到5.0V，以0.1V為增量進(jìn)行調(diào)節(jié)，為設(shè)計(jì)提供了極大的靈活性。這兩款器件非常適合用于電源排序、復(fù)位排序和電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

SGM892B的VOUT引腳是一個(gè)N溝道開(kāi)漏輸出，具有低電平有效復(fù)位功能。而SGM893B除了具備這些特性外，還包含一個(gè)低電平有效的手動(dòng)復(fù)位輸入（nMR）。

在封裝方面，SGM892B有綠色UTDFN - 1×1 - 4L、SOT - 23 - 3和SOT - 23 - 5三種封裝可供選擇；SGM893B則有綠色SOT - 23 - 5和UTDFN - 1×1 - 4L兩種封裝。它們的工作溫度范圍為 - 40℃到 + 125℃，能適應(yīng)較為惡劣的環(huán)境。

二、產(chǎn)品特性

2.1 高精度檢測(cè)

檢測(cè)精度典型值為±1%，能夠準(zhǔn)確地檢測(cè)電壓變化，為系統(tǒng)提供可靠的電壓監(jiān)測(cè)。

2.2 低功耗

在 (V_{IN }=1V) 時(shí)，典型功耗僅為0.4μA，大大降低了系統(tǒng)的功耗，延長(zhǎng)了電池的使用壽命。

2.3 寬檢測(cè)電壓范圍

檢測(cè)電壓范圍為1.0V到5.0V，以0.1V為增量，可滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

2.4 寬工作電壓范圍

工作電壓范圍為1V到6V，具有較強(qiáng)的適應(yīng)性。

2.5 低溫度系數(shù)

檢測(cè)電壓溫度系數(shù)典型值為±40ppm/℃，確保在不同溫度環(huán)境下檢測(cè)的準(zhǔn)確性。

2.6 手動(dòng)復(fù)位功能（SGM893B）

SGM893B的手動(dòng)復(fù)位輸入（nMR）允許用戶手動(dòng)觸發(fā)復(fù)位操作，增加了系統(tǒng)的靈活性。

2.7 N溝道開(kāi)漏輸出

這種輸出方式方便與其他電路進(jìn)行連接，提高了系統(tǒng)的兼容性。

2.8 小封裝

提供多種小尺寸封裝，適合對(duì)空間要求較高的應(yīng)用。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

3.1 微處理器復(fù)位電路

確保微處理器在電源異常時(shí)能夠及時(shí)復(fù)位，保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

3.2 充電電壓監(jiān)測(cè)

實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)充電電壓，防止過(guò)充現(xiàn)象的發(fā)生。

3.3 內(nèi)存電池備份開(kāi)關(guān)電路

在主電源故障時(shí)，及時(shí)切換到備用電池，保證內(nèi)存數(shù)據(jù)的安全。

3.4 電源故障檢測(cè)電路

快速檢測(cè)電源故障，采取相應(yīng)的保護(hù)措施，避免設(shè)備損壞。

四、典型應(yīng)用電路

典型應(yīng)用電路中，通過(guò)一個(gè)100kΩ的上拉電阻RPULL和一個(gè)0.1μF的電容C1，將輸入電壓VIN連接到SGM892B/3B的VIN引腳，VOUT引腳輸出檢測(cè)結(jié)果。對(duì)于SGM893B，還可以通過(guò)nMR引腳進(jìn)行手動(dòng)復(fù)位操作。

五、電氣特性

5.1 工作電壓

工作電壓范圍為1V到6V，在不同的檢測(cè)電壓和溫度條件下都能穩(wěn)定工作。

5.2 檢測(cè)電壓

檢測(cè)電壓在不同的輸入電壓和溫度條件下有相應(yīng)的變化范圍，具體可參考電壓圖表。

5.3 遲滯電壓

遲滯電壓確保了檢測(cè)的穩(wěn)定性，避免因電壓波動(dòng)而產(chǎn)生誤觸發(fā)。

5.4 檢測(cè)電壓溫度系數(shù)

溫度系數(shù)較小，保證了在不同溫度環(huán)境下檢測(cè)的準(zhǔn)確性。

5.5 電源電流

電源電流隨著輸入電壓的變化而變化，在不同的輸入電壓下有不同的典型值。

5.6 輸出電流

輸出電流在不同的輸入電壓和負(fù)載條件下有相應(yīng)的變化范圍。

5.7 最小輸入電壓

為了保證輸出的有效性，有一個(gè)最小輸入電壓要求。

5.8 低電平輸出電壓

低電平輸出電壓在一定的輸入電壓和負(fù)載電流條件下有相應(yīng)的范圍。

5.9 泄漏電流

泄漏電流較小，減少了不必要的功耗。

六、時(shí)序要求

6.1 復(fù)位延遲時(shí)間

SGM892B的復(fù)位延遲時(shí)間典型值為10 - 220μs，SGM893B的復(fù)位延遲時(shí)間典型值為160 - 270ms。

6.2 傳播延遲

VIN下降時(shí)的傳播延遲典型值為50μs，nMR低電平到輸出低電平的傳播延遲典型值為600ns。

七、詳細(xì)說(shuō)明

7.1 VIN瞬態(tài)抗擾性

SGM892B和SGM893B內(nèi)置了電路來(lái)抵抗VIN引腳的電壓瞬變，瞬態(tài)抗擾性與瞬態(tài)持續(xù)時(shí)間和幅度密切相關(guān)。

7.2 手動(dòng)復(fù)位（nMR）輸入（SGM893B）

SGM893B的手動(dòng)復(fù)位輸入允許用戶手動(dòng)觸發(fā)復(fù)位操作。當(dāng)nMR引腳為低電平時(shí)，即使VIN電壓高于工廠設(shè)定電壓，VOUT也會(huì)被強(qiáng)制拉低。當(dāng)nMR引腳恢復(fù)高電平且VIN電壓超過(guò)閾值電壓后，VOUT在復(fù)位延遲時(shí)間后解除斷言。

7.3 正常操作

當(dāng)VIN電壓高于 (VINMIN) 時(shí)，VOUT的狀態(tài)取決于VIN電壓相對(duì)于 (V{DET}) 和nMR電壓（SGM893B）。當(dāng)VIN電壓低于 (VIN_MIN) 但高于上電復(fù)位電壓（VPOR）時(shí)，VOUT被斷言。當(dāng)VIN電壓低于上電復(fù)位電壓時(shí)，VOUT狀態(tài)未定義。

八、應(yīng)用信息

8.1 單節(jié)堿性電池系統(tǒng)

超低的工作和檢測(cè)電壓使SGM892B和SGM893B非常適合單節(jié)堿性電池系統(tǒng)。例如，當(dāng)單節(jié)堿性電池電壓達(dá)到1V時(shí)，SGM892B的VOUT引腳斷言，可驅(qū)動(dòng)SGM66099進(jìn)入低電流關(guān)機(jī)狀態(tài)，組合設(shè)備的典型功耗僅為700nA。

8.2 輸入電容

由于SGM892B和SGM893B在采樣輸入電壓時(shí)電流會(huì)短暫上升，為避免因電源阻抗過(guò)高導(dǎo)致的虛假?gòu)?fù)位，建議在VIN引腳附近添加一個(gè)0.1μF的旁路電容。

8.3 雙向復(fù)位引腳

當(dāng)SGM892B和SGM893B驅(qū)動(dòng)雙向復(fù)位引腳時(shí)，建議在VOUT引腳和復(fù)位引腳之間放置一個(gè)串聯(lián)電阻，以限制電流流動(dòng)。

8.4 電源供應(yīng)建議

SGM892B/SGM893B的輸入電源電壓范圍為1V到6V，建議使用低阻抗電源或0.1μF的旁路電容，以避免虛假?gòu)?fù)位。

九、封裝信息

9.1 封裝尺寸

提供了SOT - 23 - 5、SOT - 23 - 3和UTDFN - 1×1 - 4L三種封裝的詳細(xì)尺寸信息，包括最小、最大尺寸以及推薦的焊盤尺寸。

9.2 卷帶和卷軸信息

介紹了不同封裝的卷帶和卷軸的關(guān)鍵參數(shù)，包括卷軸寬度、直徑、引腳位置等。

9.3 紙箱尺寸

提供了不同卷軸類型的紙箱尺寸信息，方便產(chǎn)品的包裝和運(yùn)輸。

SGM892B和SGM893B標(biāo)準(zhǔn)CMOS電壓檢測(cè)器IC以其高精度、低功耗、寬工作范圍和小封裝等優(yōu)點(diǎn)，為電子工程師在電壓檢測(cè)和系統(tǒng)設(shè)計(jì)方面提供了一個(gè)優(yōu)秀的解決方案。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師可以根據(jù)具體需求選擇合適的型號(hào)和封裝，同時(shí)注意應(yīng)用中的一些細(xì)節(jié)，以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。你在使用這兩款I(lǐng)C時(shí)遇到過(guò)什么問(wèn)題嗎？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。