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中微公司四款新品同步發(fā)布 以深度創(chuàng)新加速平臺(tái)化發(fā)展

話說(shuō)科技 ? 來(lái)源:話說(shuō)科技 ? 2026-03-26 17:19 ? 次閱讀
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在全球半導(dǎo)體盛會(huì)SEMICON China 2026期間,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中微公司”,證券代碼“688012”)宣布推出四款覆蓋硅基及化合物半導(dǎo)體關(guān)鍵工藝的新產(chǎn)品,包括新一代電感耦合ICP等離子體刻蝕設(shè)備Primo Angnova?、高選擇性刻蝕機(jī)Primo Domingo?、Smart RF Match智能射頻匹配器以及藍(lán)綠光Micro LED量產(chǎn)MOCVD設(shè)備Preciomo Udx?,進(jìn)一步豐富了公司在刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備及核心智能零部件領(lǐng)域的產(chǎn)品組合及系統(tǒng)化解決方案能力,持續(xù)夯實(shí)平臺(tái)化發(fā)展的基礎(chǔ),助力公司在規(guī)?;卣沟倪M(jìn)程中實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展。

Primo Angnova?:應(yīng)對(duì)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)高深寬比挑戰(zhàn)的ICP解決方案

隨著邏輯芯片向5納米及以下節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)和先進(jìn)存儲(chǔ)芯片對(duì)高深寬比刻蝕的要求日益嚴(yán)苛,刻蝕設(shè)備面臨著對(duì)刻蝕精度、均勻性、深寬比等多重挑戰(zhàn)。Primo Angnova? ICP單腔刻蝕系統(tǒng)正是為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)而生。

新一代電感耦合ICP等離子體刻蝕設(shè)備Primo Angnova?

該產(chǎn)品采用中心抽氣設(shè)計(jì),配備業(yè)界領(lǐng)先的對(duì)稱氣流控制閥、高流導(dǎo)和高速分子泵系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)極高的反應(yīng)氣體通量,大幅度擴(kuò)展反應(yīng)腔體壓力控制范圍。在功率源和等離子體方面,Primo Angnova?集成了具有中微公司自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的第二代LCC射頻線圈和直流磁場(chǎng)輔助線圈MFTR,并配備先進(jìn)的四段脈沖控制,可實(shí)現(xiàn)對(duì)離子濃度和離子能量的高精度獨(dú)立控制。尤其突出的是,其搭載的超低頻射頻等離子體源,能夠產(chǎn)生極高的離子能量,顯著增強(qiáng)了設(shè)備在高深寬比ICP刻蝕工藝中的處理能力。

在溫度控制方面,Primo Angnova?采用超過(guò)200區(qū)獨(dú)立溫控的Durga III ESC靜電吸盤(pán),分區(qū)控溫精度顯著提升,結(jié)合晶圓邊緣連續(xù)AEIT(晶圓邊緣阻抗主動(dòng)調(diào)節(jié)) 設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的片內(nèi)刻蝕均勻性。在系統(tǒng)集成與效率方面,Primo Angnova?搭載了中微公司成熟的Primo C6V3傳送平臺(tái),最多可配置6個(gè)主刻蝕腔體與2個(gè)LL Strip除膠腔體,有效降低綜合運(yùn)行成本。

Primo Angnova?的推出,為5納米及以下邏輯芯片技術(shù)以及同等技術(shù)節(jié)點(diǎn)難度的先進(jìn)存儲(chǔ)芯片的制造領(lǐng)域, 提供了自主可控、技術(shù)領(lǐng)先的ICP刻蝕工藝解決方案,助力客戶提升先進(jìn)制程產(chǎn)能,降低生產(chǎn)成本,持續(xù)增強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

Primo Domingo?:攻克GAA與3D-DRAM的高選擇比刻蝕難題

如今,芯片架構(gòu)三維化正成為支持芯片持續(xù)縮微的重要?jiǎng)幽? 而高選擇性刻蝕工藝是三維器件制造的最關(guān)鍵工藝之一。針對(duì)GAA、3D NAND、DRAM等器件工藝需求, 中微公司正式推出Primo Domingo? 高選擇性刻蝕設(shè)備。

中微公司高選擇性刻蝕機(jī)Primo Domingo?

該產(chǎn)品采用全對(duì)稱腔體結(jié)構(gòu)與優(yōu)化流場(chǎng)設(shè)計(jì),在氣體注入、溫度控制、壓力調(diào)控等關(guān)鍵環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)整合,確保晶圓表面刻蝕的高度均勻性與工藝重復(fù)性。Primo Domingo?獨(dú)特的集成氣柜設(shè)計(jì),可縮短氣體注入距離,實(shí)現(xiàn)更快脈沖氣體精密控制,為刻蝕工藝提供精準(zhǔn)保障。設(shè)備內(nèi)部采用了高抗腐蝕管路與特殊涂層材料以應(yīng)對(duì)工藝所需的高活性刻蝕氣體,保障設(shè)備長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。此外,Primo Domingo?配備了雙制冷/雙加熱晶圓基座,支持寬范圍精準(zhǔn)溫控,顯著提升了刻蝕工藝的均勻性與穩(wěn)定性。Primo Domingo?同樣搭載中微公司量產(chǎn)的Primo C6V3傳輸系統(tǒng),可靈活搭配主刻蝕腔和輔助退火腔,滿足不同刻蝕應(yīng)用的需求。

Primo Domingo?的推出,標(biāo)志著公司在高選擇性刻蝕設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了重要突破,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在下一代3D半導(dǎo)體器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的自主化空白。該產(chǎn)品的成功研發(fā),不僅進(jìn)一步豐富了公司在高端刻蝕設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品矩陣,更有力支撐了集成電路產(chǎn)業(yè)在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上的技術(shù)攻堅(jiān),為客戶實(shí)現(xiàn)更高性能、更小尺寸的器件制造提供了關(guān)鍵工藝設(shè)備保障。

Smart RF Match:從“被動(dòng)響應(yīng)”到“主動(dòng)預(yù)測(cè)”的智能革命

此次發(fā)布的Smart RF Match 智能射頻匹配器,是中微公司在高端半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備中關(guān)鍵子系統(tǒng)的又一創(chuàng)新突破。Smart RF Match智能射頻匹配器用于在設(shè)備腔體內(nèi)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的等離子體生成與控制,專為半導(dǎo)體前道制程,特別是介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕,以及先進(jìn)封裝、MEMS、化合物半導(dǎo)體等精密刻蝕的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它首次在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域引進(jìn)了射頻回路專網(wǎng)概念,通過(guò)EtherCAT實(shí)現(xiàn)射頻電源與智能匹配器之間射頻狀態(tài)信息的實(shí)時(shí)準(zhǔn)確傳輸,使智能匹配器能夠作為主動(dòng)設(shè)備,在調(diào)節(jié)匹配網(wǎng)絡(luò)的同時(shí)向射頻電源下發(fā)控制指令。

中微公司Smart RF Match智能射頻匹配器

基于具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新型智能射頻匹配控制算法,Smart RF Match可實(shí)現(xiàn)微秒級(jí)的射頻環(huán)境響應(yīng),能夠根據(jù)等離子體狀態(tài)實(shí)時(shí)自動(dòng)調(diào)節(jié)阻抗,確保射頻能量高效、穩(wěn)定地傳輸。獨(dú)特的智能調(diào)控算法根據(jù)工藝條件對(duì)電源頻率調(diào)節(jié)范圍以及匹配調(diào)節(jié)模式等進(jìn)行自動(dòng)選擇及切換,實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)匹配器快百倍以上的匹配速度。

在客戶端高端邏輯工藝的實(shí)際測(cè)試中,在相同工藝條件下,與傳統(tǒng)的固定式匹配方案相比,智能射頻匹配系統(tǒng)不僅將射頻信號(hào)匹配速度提升了225%,還助力整體刻蝕效率提高15%。這一性能提升,直接轉(zhuǎn)化為更高的設(shè)備單位產(chǎn)能與更穩(wěn)定的工藝一致性。

智能射頻匹配器的推出,標(biāo)志著中微公司在等離子體控制領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從“被動(dòng)響應(yīng)”到“主動(dòng)預(yù)測(cè)”的關(guān)鍵跨越。它不僅有效解決了行業(yè)長(zhǎng)期面臨的匹配精度、效率與穩(wěn)定性的核心難題,顯著提升了工藝性能與設(shè)備產(chǎn)能,更通過(guò)為下一代高端設(shè)備嵌入智能內(nèi)核,為客戶持續(xù)創(chuàng)造更高良率、更優(yōu)成本與更強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)值,推動(dòng)半導(dǎo)體制造向更高效、更智能的未來(lái)邁進(jìn)。

Preciomo Udx?:為Micro LED量產(chǎn)打造的關(guān)鍵MOCVD設(shè)備

為滿足Micro LED量產(chǎn)對(duì)高波長(zhǎng)均勻性與低顆粒度的嚴(yán)苛要求,中微公司推出了專為Micro LED量產(chǎn)設(shè)計(jì)的Preciomo Udx ? MOCVD設(shè)備。該設(shè)備從氣體輸運(yùn)、加熱模式、溫場(chǎng)控制等關(guān)鍵技術(shù)均采用了全新的設(shè)計(jì)理念,突破了現(xiàn)有垂直氣流MOCVD的技術(shù)路線,采用新型水平式雙旋轉(zhuǎn)反應(yīng)室結(jié)構(gòu),并通過(guò)對(duì)溫場(chǎng)與流場(chǎng)的仿真設(shè)計(jì),及硬件與工藝優(yōu)化,顯著提升了波長(zhǎng)均勻性,為客戶實(shí)現(xiàn)Micro LED量產(chǎn)提供了關(guān)鍵支撐。

中微公司藍(lán)綠光Micro LED量產(chǎn)MOCVD設(shè)備Preciomo Udx?

中微公司此次發(fā)布的具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Preciomo Udx?專為MOCVD量產(chǎn)設(shè)計(jì),最多可配置兩個(gè)反應(yīng)腔,可同時(shí)加工18片6英寸或者12片8英寸高性能氮化鎵藍(lán)綠光Micro LED外延片。每個(gè)反應(yīng)腔均可獨(dú)立控制,具有高度生產(chǎn)靈活性。同時(shí),Preciomo Udx?采用水平式雙旋轉(zhuǎn)反應(yīng)器結(jié)構(gòu),并配備符合集成電路行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的EFEM和SMIF系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)片盒到片盒的全自動(dòng)化傳輸模式,有效降低Micro LED外延片的顆粒數(shù)。該設(shè)備基于模型的溫度控制系統(tǒng)與業(yè)界領(lǐng)先的單腔產(chǎn)能,使其憑借優(yōu)異的波長(zhǎng)均勻性、低缺陷密度以及高產(chǎn)出穩(wěn)定性,滿足了Micro LED量產(chǎn)的嚴(yán)苛技術(shù)要求。

中微公司產(chǎn)品家族

自2004年成立以來(lái),中微公司始終站在先進(jìn)制程工藝發(fā)展的最前沿,堅(jiān)持“技術(shù)創(chuàng)新性,產(chǎn)品差異化和知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)”。作為行業(yè)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè),中微公司持續(xù)推動(dòng)技術(shù)突破與產(chǎn)品創(chuàng)新,平臺(tái)化戰(zhàn)略全面落地,產(chǎn)品覆蓋度持續(xù)提升,正穩(wěn)步邁入規(guī)?;l(fā)展新階段。近年來(lái),公司不斷提高開(kāi)發(fā)新的設(shè)備產(chǎn)品的質(zhì)量和效率,將新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)從傳統(tǒng)的3到5年周期大幅縮短至2年以內(nèi), 2025年公司開(kāi)發(fā)的項(xiàng)目涵蓋六大類,超過(guò)二十款新設(shè)備。通過(guò)“有機(jī)生長(zhǎng)和外延擴(kuò)展”,公司在五年內(nèi)將覆蓋60%以上的高端關(guān)鍵設(shè)備。持續(xù)且高強(qiáng)度的研發(fā)投入,為公司的技術(shù)突破與產(chǎn)品創(chuàng)新,以及未來(lái)持續(xù)高速發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

隨著四款新品的加入,公司已覆蓋從宏觀控制到微觀感知、從成熟制程到前沿節(jié)點(diǎn)的多個(gè)維度,為加速向高端半導(dǎo)體設(shè)備平臺(tái)化公司邁進(jìn)注入了全新動(dòng)能。

未來(lái),中微公司將繼續(xù)堅(jiān)持“三維立體生長(zhǎng)“ 與 ”有機(jī)生長(zhǎng)和外延擴(kuò)展”相結(jié)合的戰(zhàn)略,持續(xù)鞏固在集成電路關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力和優(yōu)勢(shì),不斷拓展泛半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備應(yīng)用,并通過(guò)持續(xù)的技術(shù)升級(jí)和深度的產(chǎn)業(yè)鏈合作進(jìn)行新興領(lǐng)域探索,通過(guò)“科創(chuàng)企業(yè)五個(gè)十大”的學(xué)習(xí)和傳承,使企業(yè)總能量、對(duì)外競(jìng)爭(zhēng)的凈能量最大化,實(shí)現(xiàn)高速、穩(wěn)定、健康、安全的高質(zhì)量發(fā)展,為2035年在規(guī)模、產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力和客戶滿意度上成為全球第一梯隊(duì)的半導(dǎo)體設(shè)備公司打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。


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    公司知識(shí)產(chǎn)權(quán)周活動(dòng)圓滿落幕

    公司始終增強(qiáng)自身創(chuàng)新實(shí)力、突破行業(yè)技術(shù)難點(diǎn)為已任,注重知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù),努力營(yíng)造尊重創(chuàng)新、保護(hù)
    的頭像 發(fā)表于 05-12 10:44 ?1022次閱讀

    華為創(chuàng)新技術(shù)加速汽車電動(dòng)進(jìn)程

    在2025華為智能電動(dòng)&智能充電網(wǎng)絡(luò)戰(zhàn)略與新品發(fā)布會(huì)上,華為董事、華為數(shù)字能源總裁侯金龍發(fā)表了主題為“堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新、質(zhì)量?jī)?yōu)先、生態(tài)協(xié)同,加速汽車電動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 04-24 14:08 ?924次閱讀