ONSEMI FDP18N50系列MOSFET：高性能開關(guān)應(yīng)用的理想之選
ONSEMI FDP18N50系列MOSFET：高性能開關(guān)應(yīng)用的理想之選
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的MOSFET至關(guān)重要，它直接影響到電路的性能、效率和穩(wěn)定性。今天我們要深入探討的是ONSEMI公司的FDP18N50、FDPF18N50和FDPF18N50T這三款N溝道UniFET MOSFET，它們?cè)?a target="_blank">高壓開關(guān)電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出色，下面就為大家詳細(xì)介紹。
文件下載：FDPF18N50T-D.PDF
產(chǎn)品概述
UniFET MOSFET是ONSEMI基于平面條紋和DMOS技術(shù)的高壓MOSFET系列。該系列MOSFET旨在降低導(dǎo)通電阻，提供更好的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度。適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正（PFC）、平板顯示（FPD）電視電源、ATX電源和電子燈鎮(zhèn)流器等。
產(chǎn)品特性
低導(dǎo)通電阻
在(V{GS}=10V)，(I{D}=9A)的條件下，典型導(dǎo)通電阻(R{DS(on)} = 220mΩ)，最大導(dǎo)通電阻為(265mΩ)（(V{GS}=9V)時(shí)）。低導(dǎo)通電阻可以有效降低功率損耗，提高電源轉(zhuǎn)換效率。
低柵極電荷
典型柵極電荷為(45nC)，這意味著在開關(guān)過程中，驅(qū)動(dòng)MOSFET所需的能量較少，能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開關(guān)速度，減少開關(guān)損耗。
低(C_{rss})
典型(C_{rss})為(25pF)，低的反向傳輸電容有助于降低米勒效應(yīng)的影響，提高開關(guān)性能。
100%雪崩測(cè)試
經(jīng)過100%雪崩測(cè)試，保證了器件在雪崩狀態(tài)下的可靠性和穩(wěn)定性，能夠承受較高的雪崩能量。
環(huán)保設(shè)計(jì)
這些器件為無鉛產(chǎn)品，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。
產(chǎn)品參數(shù)
最大額定值
| 參數(shù) | 符號(hào) | FDP18N50 | FDPF18N50 / FDPF18N50T | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | (V_{DSS}) | 500 | 500 | V |
| 連續(xù)漏極電流（(T_{C}=25^{circ}C)） | (I_{D}) | 18 | 18* | A |
| 連續(xù)漏極電流（(T_{C}=100^{circ}C)） | (I_{D}) | 10.8 | 10.8* | A |
| 脈沖漏極電流 | (I_{DM}) | 72 | 72* | A |
| 柵源電壓 | (V_{GSS}) | ±30 | ±30 | V |
| 單脈沖雪崩能量 | (E_{AS}) | 945 | 945 | mJ |
| 雪崩電流 | (I_{AR}) | 18 | 18 | A |
| 重復(fù)雪崩能量 | (E_{AR}) | 23.5 | 23.5 | mJ |
| 二極管恢復(fù)(dv/dt)峰值 | (dv/dt) | 4.5 | 4.5 | V/ns |
| 功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)） | (P_{D}) | 235 | 38.5 | W |
| 功率耗散降額系數(shù) | (P_{D})降額 | 1.88 | 0.3 | W/°C |
| 工作和存儲(chǔ)溫度范圍 | (T{J}, T{STG}) | -55 至 +150 | -55 至 +150 | °C |
| 焊接時(shí)最大引腳溫度 | (T_{L}) | 300 | 300 | °C |
熱特性
| 參數(shù) | 符號(hào) | FDP18N50 | FDPF18N50 / FDPF18N50T | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 結(jié)到殼熱阻 | (R_{θJC}) | 0.53 | 3.3 | °C/W |
| 結(jié)到環(huán)境熱阻 | (R_{θJA}) | 62.5 | 62.5 | °C/W |
電氣特性
截止特性
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | (BV_{DSS}) | (V{GS}=0, I{D}=250μA) | 500 | - | - | V |
| 擊穿電壓溫度系數(shù) | (Delta BV{DSS}/Delta T{J}) | (I_{D}=250μA)，參考(25^{circ}C) | - | 0.5 | - | V/°C |
| 零柵壓漏極電流 | (I_{DSS}) | (V{DS}=500V, V{GS}=0V) | - | - | 1 | μA |
| (V{DS}=400V, T{C}=125^{circ}C) | - | - | 10 | μA | ||
| 正向柵體泄漏電流 | (I_{GSSF}) | (V{GS}=30V, V{DS}=0V) | - | - | 100 | nA |
| 反向柵體泄漏電流 | (I_{GSSR}) | (V{GS}=-30V, V{DS}=0V) | - | - | -100 | nA |
導(dǎo)通特性
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 柵極閾值電壓 | (V_{GS(th)}) | (V{GS}=V{DS}, I_{D}=250μA) | 3.0 | - | 5.0 | V |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | (R_{DS(on)}) | (V{GS}=10V, I{D}=9A) | - | 0.220 | 0.265 | Ω |
| 正向跨導(dǎo) | (g_{fs}) | (V{DS}=40V, I{D}=9A) | - | 25 | - | S |
動(dòng)態(tài)特性
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 輸入電容 | (C_{iss}) | (V{DS}=25V, V{GS}=0V, f = 1MHz) | - | 2200 | 2860 | pF |
| 輸出電容 | (C_{oss}) | - | - | 330 | 430 | pF |
| 反向傳輸電容 | (C_{rss}) | - | - | 25 | 40 | pF |
開關(guān)特性
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 導(dǎo)通延遲時(shí)間 | (t_{d(on)}) | (V{DD}=250V, I{D}=18A, V{GS}=10V, R{G}=25Ω)（注4） | - | 55 | 120 | ns |
| 導(dǎo)通上升時(shí)間 | (t_{r}) | - | 165 | 340 | ns | |
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | (t_{d(off)}) | - | 95 | 200 | ns | |
| 關(guān)斷下降時(shí)間 | (t_{f}) | - | 90 | 190 | ns | |
| 總柵極電荷 | (Q_{g}) | (V{DS}=400V, I{D}=18A, V_{GS}=10V)（注4） | - | 45 | 60 | nC |
| 柵源電荷 | (Q_{gs}) | - | 12.5 | - | nC | |
| 柵漏電荷 | (Q_{gd}) | - | 19 | - | nC |
漏源二極管特性和最大額定值
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 最大連續(xù)漏源二極管正向電流 | (I_{S}) | - | - | 18 | A | |
| 最大脈沖漏源二極管正向電流 | (I_{SM}) | - | 72 | - | A | |
| 漏源二極管正向電壓 | (V_{SD}) | (V{GS}=0V, I{SD}=18A) | 1.4 | - | - | V |
| 反向恢復(fù)時(shí)間 | (t_{rr}) | (V{GS}=0V, I{SD}=18A, diF/dt = 100A/μs) | 500 | - | - | ns |
| 反向恢復(fù)電荷 | (Q_{rr}) | 5.4 | - | - | μC |
典型性能曲線
文檔中給出了多個(gè)典型性能曲線，包括導(dǎo)通電阻特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流隨殼溫的變化以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線可以幫助工程師更好地了解器件在不同工作條件下的性能，為電路設(shè)計(jì)提供參考。
封裝信息
| 三款器件提供了不同的封裝形式，具體如下： | 器件 | 封裝 | 包裝 |
|---|---|---|---|
| FDP18N50 | TO - 220 | 1000個(gè)/管 | |
| FDPF18N50 | TO - 220F | 1000個(gè)/管 | |
| FDPF18N50T | TO - 220F | 1000個(gè)/管 |
同時(shí)，文檔還給出了TO - 220 Fullpack, 3 - Lead / TO - 220F - 3SG和TO - 220 - 3LD兩種封裝的機(jī)械尺寸圖和詳細(xì)尺寸參數(shù)，方便工程師進(jìn)行PCB設(shè)計(jì)。
應(yīng)用領(lǐng)域
FDP18N50系列MOSFET適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，如LCD/LED/PDP TV、照明、不間斷電源等。在這些應(yīng)用中，其高性能的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻能夠有效提高電源效率，降低功耗，延長設(shè)備的使用壽命。
總結(jié)
ONSEMI的FDP18N50、FDPF18N50和FDPF18N50T這三款N溝道UniFET MOSFET具有低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、低(C_{rss})、高雪崩能量強(qiáng)度等優(yōu)點(diǎn)，適用于多種開關(guān)電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)，可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求和性能要求，選擇合適的器件，并結(jié)合文檔中的參數(shù)和典型性能曲線進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似MOSFET的選型和使用問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論