安森美FDP20N50F/FDPF20N50FT MOSFET：高性能之選

在電子設計領域，MOSFET作為關鍵的功率器件，其性能直接影響著整個系統的表現。今天我們就來深入了解一下安森美（onsemi）的FDP20N50F/FDPF20N50FT這兩款N溝道MOSFET。

文件下載：FDPF20N50FT-D.pdf

產品概述

FDP20N50F/FDPF20N50FT屬于安森美的UniFET MOSFET家族，基于平面條紋和DMOS技術打造。該系列MOSFET旨在降低導通電阻，提供更出色的開關性能和更高的雪崩能量強度。其中，FDPF20N50FT的體二極管反向恢復性能通過壽命控制得到增強，其反向恢復時間（$t_{rr}$）小于100 ns，反向dv/dt抗擾度為15 V/ns，而普通平面MOSFET的這兩個指標分別超過200 ns和4.5 V/ns。這一特性使得在某些對MOSFET體二極管性能要求較高的應用中，能夠減少額外元件的使用，提高系統的可靠性。

產品特性

低導通電阻

在$V{GS}=10 V$、$I{D}=10 A$的條件下，典型導通電阻$R_{DS(on)}$為210 mΩ，最大為260 mΩ，能夠有效降低功率損耗。

低柵極電荷

典型柵極電荷僅為50 nC，有助于減少開關損耗，提高開關速度。

低$C_{rss}$

典型值為27 pF，可降低米勒效應的影響，改善開關性能。

100%雪崩測試

經過100%雪崩測試，保證了器件在雪崩情況下的可靠性。

提高dv/dt能力

增強了對電壓變化率的耐受能力，提高了系統的穩(wěn)定性。

環(huán)保設計

這些器件無鉛且符合RoHS標準，符合環(huán)保要求。

應用領域

該系列MOSFET適用于多種開關電源轉換應用，包括：

• LCD/LED TV：為電視電源提供高效穩(wěn)定的功率轉換。
• 照明：在照明系統中實現高效的功率控制。
• 不間斷電源（UPS）：確保在停電時能夠提供穩(wěn)定的電力供應。
• AC - DC電源：實現交流到直流的高效轉換。

電氣參數

最大額定值

電氣特性

• 關斷特性：$B{V D S S}$（漏源擊穿電壓）在$I{D}=250 A$、$V{GS}=0 V$、$T{J}=25^{circ}C$時為500 V，擊穿電壓溫度系數為0.7 V/°C。
• 導通特性：$V{GS(th)}$（柵極閾值電壓）在$V{GS}=V{DS}$、$I{D}=250 A$時為3.0 - 5.0 V；$R{DS(on)}$（靜態(tài)漏源導通電阻）在$V{GS}=10 V$、$I_{D}=10 A$時典型值為0.22 Ω，最大值為0.26 Ω。
• 動態(tài)特性：$C{iss}$（輸入電容）典型值為2550 pF，$C{oss}$（輸出電容）典型值為350 pF，$C{rss}$（反向傳輸電容）典型值為27 pF；$Q{g(tot)}$（總柵極電荷）在$V{DS}=400 V$、$I{D}=20 A$、$V_{GS}=10 V$時典型值為50 nC。
• 開關特性：$t{d(on)}$（開啟延遲時間）典型值為45 ns，$t{r}$（開啟上升時間）典型值為120 ns，$t{d(off)}$（關斷延遲時間）典型值為100 ns，$t{f}$（關斷下降時間）典型值為60 ns。
• 漏源二極管特性：$I{S}$（最大連續(xù)漏源二極管正向電流）為20 A，$I{SM}$（最大脈沖漏源二極管正向電流）為80 A，$V{SD}$（漏源二極管正向電壓）在$V{GS}=0 V$、$I{SD}=20 A$時最大為1.5 V，$t{rr}$（反向恢復時間）典型值為154 ns，$Q_{rr}$（反向恢復電荷）為0.5 C。

封裝與訂購信息

總結

安森美的FDP20N50F/FDPF20N50FT MOSFET憑借其出色的性能和廣泛的應用領域，為電子工程師在設計開關電源轉換電路時提供了一個可靠的選擇。在實際應用中，工程師需要根據具體的設計要求，合理選擇器件，并注意其最大額定值和電氣特性，以確保系統的穩(wěn)定運行。大家在使用過程中有沒有遇到過類似MOSFET的一些特殊問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。