onsemi FDPF17N60NT：高性能N溝道MOSFET的卓越之選

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。今天，我們將深入探討onsemi推出的FDPF17N60NT這款N溝道MOSFET，了解它的特性、應(yīng)用及性能表現(xiàn)。

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產(chǎn)品概述

FDPF17N60NT屬于onsemi的UniFET II MOSFET家族，該家族基于先進的平面條紋和DMOS技術(shù)打造。這種先進技術(shù)使得UniFET II MOSFET在平面MOSFET中擁有最小的導(dǎo)通電阻，同時具備出色的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強度。此外，內(nèi)部的柵源ESD二極管讓該MOSFET能夠承受超過2 kV的HBM浪涌應(yīng)力。這款器件適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正（PFC）、平板顯示（FPD）電視電源、ATX和電子燈鎮(zhèn)流器等。

產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

在(V{GS}=10 V)，(I{D}=8.5 A)的條件下，典型導(dǎo)通電阻(R_{DS(on)})為290 mΩ，最大導(dǎo)通電阻在600 V時為340 mΩ @ 10 V。低導(dǎo)通電阻有助于降低功耗，提高電源效率。

低柵極電荷

典型柵極電荷為48 nC，低柵極電荷可以減少開關(guān)過程中的能量損耗，提高開關(guān)速度。

低(C_{rss})

典型(C{rss})為23 pF，較低的(C{rss})能夠改善開關(guān)性能，減少開關(guān)損耗。

100%雪崩測試

經(jīng)過100%雪崩測試，保證了器件在雪崩情況下的可靠性和穩(wěn)定性。

改進的dv/dt能力

具備改進的dv/dt能力，能夠更好地應(yīng)對電壓變化，提高系統(tǒng)的抗干擾能力。

RoHS合規(guī)

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保性能良好，滿足相關(guān)環(huán)保要求。

應(yīng)用領(lǐng)域

顯示設(shè)備

適用于LCD/LED/PDP電視，為其電源系統(tǒng)提供高效穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換。

照明領(lǐng)域

可用于各類照明設(shè)備，如電子燈鎮(zhèn)流器，提高照明系統(tǒng)的效率和可靠性。

不間斷電源

在不間斷電源（UPS）中發(fā)揮重要作用，確保電源的穩(wěn)定供應(yīng)。

AC - DC電源

用于AC - DC電源轉(zhuǎn)換，實現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換和功率輸出。

產(chǎn)品參數(shù)

最大額定值

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓(B{VDS})：在(I{D}=250 A)，(V{GS}=0 V)，(T{C}=25^{circ}C)條件下為600 V。
• 擊穿電壓溫度系數(shù)(B{VDS}/T{J})：在(I_{D}=250 A)，參考25°C時為0.8 V/°C。
• 零柵壓漏極電流(I{DSS})：在(V{DS}=600 V)，(V{GS}=0 V)時最大為1 μA；在(V{DS}=480 V)，(V{GS}=0 V)，(T{C}=150^{circ}C)時為10 μA。
• 柵體泄漏電流(I{GSS})：在(V{GS}=±30 V)，(V_{DS}=0 V)時最大為±100 nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓(V_{GS(th)})：范圍為3.0 - 5.0 V。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻(R{DS(on)})：在(V{GS}=10 V)，(I_{D}=8.5 A)時，典型值為0.29 Ω，最大值為0.34 Ω。

動態(tài)特性

• 輸入電容(C{iss})：在(V{DS}=25 V)，(V_{GS}=0 V)，(f = 1 MHz)條件下，典型值為2285 pF，最大值為3040 pF。
• 輸出電容(C_{oss})：典型值為310 pF，最大值為410 pF。
• 反向傳輸電容(C_{rss})：典型值為23 pF，最大值為35 pF。
• 10 V時的總柵極電荷(Q{g(tot)})：在(V{DS}=480 V)，(I{D}=17 A)，(V{GS}=10 V)條件下，典型值為48 nC，最大值為65 nC。
• 柵源柵極電荷(Q_{gs})：典型值為13 nC。
• 柵漏“米勒”電荷(Q_{gd})：典型值為20 nC。

開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時間(t{d(on)})：在(V{DD}=300 V)，(I{p}=17 A)，(V{Gs}=10 V)，(R_{G}=25 Ω)條件下，典型值為48 ns，最大值為106 ns。
• 導(dǎo)通上升時間(t_{r})：典型值為79 ns，最大值為168 ns。
• 關(guān)斷延遲時間(t_{d(off)})：典型值為128 ns，最大值為266 ns。
• 關(guān)斷下降時間(t_{f})：典型值為62 ns，最大值為134 ns。

漏源二極管特性

• 最大連續(xù)漏源二極管正向電流(I_{S})：為74 A。
• 最大脈沖漏源二極管正向電流(I_{SM})：為68 A。
• 漏源二極管正向電壓(V{SD})：在(V{Gs}=0V)，(I_{sp}=17A)時為1.4 V。
• 反向恢復(fù)時間(t{r})：在(V{Gs}=0 V)，(I{sp}=17 A)，(dl{p}/dt = 100 A/μs)條件下為575 ns。
• 反向恢復(fù)電荷(Q_{r})：為7.2 μC。

典型性能特性

文檔中給出了多個典型性能特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流隨殼溫的變化以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線直觀地展示了器件在不同條件下的性能表現(xiàn)，為工程師在設(shè)計電路時提供了重要的參考依據(jù)。

機械封裝

FDPF17N60NT采用TO - 220 Fullpack，3 - Lead / TO - 220F - 3SG封裝，文檔中詳細給出了封裝的尺寸信息，包括各個尺寸的具體數(shù)值和公差要求。同時，還提供了兩種封裝選項，分別為帶支撐針孔和不帶支撐針孔。

總結(jié)

onsemi的FDPF17N60NT N溝道MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、低(C_{rss})等優(yōu)異特性，以及廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域和良好的性能表現(xiàn)，成為電子工程師在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計中的理想選擇。在實際應(yīng)用中，工程師可以根據(jù)具體的設(shè)計需求，結(jié)合器件的參數(shù)和性能特性，合理選擇和使用該器件，以實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路設(shè)計。你在使用這款MOSFET時，有沒有遇到過一些特殊的問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。