FQP3P50 P-Channel QFET? MOSFET深度解析
一、背景
Fairchild半導(dǎo)體已成為ON Semiconductor的一部分,在系統(tǒng)整合過(guò)程中,部分Fairchild可訂購(gòu)的零件編號(hào)需要更改,將Fairchild零件編號(hào)中的下劃線(_)改為破折號(hào)(-)。我們今天要詳細(xì)探討的是FQP3P50 P-Channel QFET? MOSFET,這是一款性能卓越的功率MOSFET。
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二、產(chǎn)品概述
2.1 描述
FQP3P50是一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用了Fairchild半導(dǎo)體專(zhuān)有的平面條紋和DMOS技術(shù)。這種先進(jìn)的MOSFET技術(shù)旨在降低導(dǎo)通電阻,提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和高雪崩能量強(qiáng)度。它適用于開(kāi)關(guān)模式電源、音頻放大器、直流電機(jī)控制和可變開(kāi)關(guān)電源等應(yīng)用。
2.2 特性
- 電流與電壓參數(shù):-2.7 A,-500 V,(R{DS(on)} = 4.9 Omega)(最大)@ (V{GS} = -10 V),(I_{D} = -1.35 A)。
- 低柵極電荷:典型值為18 nC。
- 低Crss:典型值為9.5 pF。
- 100%雪崩測(cè)試:這意味著該器件在雪崩情況下具有較高的可靠性。
三、電氣特性
3.1 絕對(duì)最大額定值
| 符號(hào) | 參數(shù) | FQP3P50 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (V_{DSS}) | 漏源電壓 | -500 | V |
| (I{D})(連續(xù),(T{C} = 25^{circ}C)) | 漏極電流 | -2.7 | A |
| (I{D})(連續(xù),(T{C} = 100^{circ}C)) | 漏極電流 | -1.71 | A |
| (I_{DM}) | 脈沖漏極電流 | -10.8 | A |
| (V_{GS}) | 柵源電壓 | ± 30 | V |
| (E_{AS}) | 單脈沖雪崩能量 | 250 | mJ |
| (I_{AR}) | 雪崩電流 | -2.7 | A |
| (E_{AR}) | 重復(fù)雪崩能量 | 8.5 | mJ |
| (dv/dt) | 峰值二極管恢復(fù)dv/dt | -4.5 | V/ns |
| (P{D})((T{C} = 25^{circ}C)) | 功率耗散 | 85 | W |
| 降額系數(shù)((T_{C}>25^{circ}C)) | 0.68 | W/°C | |
| (T{J}, T{STG}) | 工作和存儲(chǔ)溫度范圍 | -55 to +150 | °C |
| (T_{L}) | 焊接時(shí)最大引腳溫度(離外殼1/8英寸,5秒) | 300 | °C |
3.2 熱特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | FQP3P50 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (R_{theta JC}) | 結(jié)到外殼的熱阻(最大) | 1.47 | °C/W |
| (R_{theta JA}) | 結(jié)到環(huán)境的熱阻(最大) | 62.5 | °C/W |
3.3 電氣特性參數(shù)
- 關(guān)斷特性:包括漏源擊穿電壓、擊穿電壓溫度系數(shù)、零柵極電壓漏極電流、柵體正向和反向泄漏電流等參數(shù)。
- 導(dǎo)通特性:柵極閾值電壓(V{GS(th)})為 -5.0 V,靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻(R{DS(on)})在(V{GS} = -10 V),(I{D} = -1.35 A)時(shí)為3.9 - 4.9 Ω,正向跨導(dǎo)(g{FS})在(V{DS} = -50 V),(I_{D} = -1.35 A)時(shí)典型值為2.35 S。
- 動(dòng)態(tài)特性:輸入電容(C{iss})、輸出電容(C{oss})和反向傳輸電容(C_{rss})等參數(shù)也有明確的范圍。
- 開(kāi)關(guān)特性:包括導(dǎo)通延遲時(shí)間(t{d(on)})、導(dǎo)通上升時(shí)間(t{r})、關(guān)斷延遲時(shí)間(t{d(off)})和關(guān)斷下降時(shí)間(t{f})等,以及總柵極電荷(Q_{g})、柵源電荷和柵漏電荷等。
- 漏源二極管特性和最大額定值:最大連續(xù)漏源二極管正向電流、最大脈沖漏源二極管正向電流、漏源二極管正向電壓、反向恢復(fù)時(shí)間(t{rr})和反向恢復(fù)電荷(Q{rr})等。
四、典型特性
文檔中給出了多個(gè)典型特性圖,如導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、最大漏極電流隨外殼溫度的變化、瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些特性圖有助于工程師更直觀地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn)。
五、機(jī)械尺寸
提供了TO-220封裝的機(jī)械尺寸圖,不過(guò)需要注意的是,封裝圖紙可能會(huì)隨時(shí)更改,建議訪問(wèn)Fairchild Semiconductor的在線包裝區(qū)域獲取最新的封裝圖紙。
六、商標(biāo)與免責(zé)聲明
Fairchild半導(dǎo)體擁有眾多注冊(cè)商標(biāo)和服務(wù)商標(biāo)。同時(shí),F(xiàn)airchild保留對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行更改的權(quán)利,不承擔(dān)因產(chǎn)品應(yīng)用或使用而產(chǎn)生的任何責(zé)任,也不授予其專(zhuān)利權(quán)利或他人權(quán)利。該產(chǎn)品為標(biāo)準(zhǔn)商業(yè)產(chǎn)品,不建議用于對(duì)質(zhì)量和可靠性要求極高的應(yīng)用,如汽車(chē)、軍事/航空航天、安全關(guān)鍵應(yīng)用等,除非得到Fairchild官員的書(shū)面批準(zhǔn)。
七、反假冒政策
半導(dǎo)體零件的假冒問(wèn)題日益嚴(yán)重,F(xiàn)airchild采取了強(qiáng)有力的措施來(lái)保護(hù)自身和客戶免受假冒零件的侵害。建議客戶直接從Fairchild或其授權(quán)經(jīng)銷(xiāo)商處購(gòu)買(mǎi)零件,這些渠道的產(chǎn)品為正品,具有完全可追溯性,符合Fairchild的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),并能獲取最新的技術(shù)和產(chǎn)品信息。Fairchild不會(huì)為從非授權(quán)來(lái)源購(gòu)買(mǎi)的零件提供任何保修或其他幫助。
八、產(chǎn)品狀態(tài)定義
| 數(shù)據(jù)手冊(cè)標(biāo)識(shí) | 產(chǎn)品狀態(tài) | 定義 |
|---|---|---|
| 提前信息 | 形成/設(shè)計(jì)中 | 數(shù)據(jù)手冊(cè)包含產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的設(shè)計(jì)規(guī)格,規(guī)格可能會(huì)隨時(shí)更改。 |
| 初步 | 首次生產(chǎn) | 數(shù)據(jù)手冊(cè)包含初步數(shù)據(jù),補(bǔ)充數(shù)據(jù)將在以后發(fā)布,F(xiàn)airchild保留隨時(shí)更改設(shè)計(jì)的權(quán)利。 |
| 無(wú)需標(biāo)識(shí) | 全面生產(chǎn) | 數(shù)據(jù)手冊(cè)包含最終規(guī)格,F(xiàn)airchild保留隨時(shí)更改設(shè)計(jì)的權(quán)利。 |
| 過(guò)時(shí) | 停產(chǎn) | 數(shù)據(jù)手冊(cè)包含已停產(chǎn)產(chǎn)品的規(guī)格,僅供參考。 |
對(duì)于電子工程師來(lái)說(shuō),在使用FQP3P50時(shí),需要仔細(xì)研究其各項(xiàng)特性和參數(shù),結(jié)合具體的應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行設(shè)計(jì),以確保產(chǎn)品的性能和可靠性。同時(shí),要注意遵循Fairchild的相關(guān)政策和規(guī)定,避免使用假冒零件和進(jìn)行未經(jīng)授權(quán)的應(yīng)用。大家在實(shí)際設(shè)計(jì)中是否遇到過(guò)類(lèi)似MOSFET的應(yīng)用難題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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電氣特性
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關(guān)注
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71061 pdf datasheet (P-Channel
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