深入剖析IDT5V41066:PCIe Gen1/2時(shí)鐘合成器的卓越之選
在電子工程領(lǐng)域,時(shí)鐘合成器是確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵組件。今天,我們將深入探討Renesas的IDT5V41066——一款4輸出PCIe Gen1/2合成器,看看它在通信和嵌入式系統(tǒng)中能帶來怎樣的優(yōu)勢(shì)。
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產(chǎn)品概述
IDT5V41066是一款符合PCIe Gen2標(biāo)準(zhǔn)的具備擴(kuò)頻功能的時(shí)鐘發(fā)生器。它擁有4個(gè)差分HCSL輸出,可用于通信或嵌入式系統(tǒng),能顯著降低電磁干擾(EMI)。通過選擇引腳,用戶可以靈活選擇擴(kuò)頻量和輸出頻率。
產(chǎn)品特性與優(yōu)勢(shì)
封裝與尺寸
采用20引腳TSSOP封裝,電路板占用空間小,適合對(duì)空間要求較高的設(shè)計(jì)。
擴(kuò)頻功能
具備擴(kuò)頻能力,有效降低EMI,提高系統(tǒng)的電磁兼容性。
輸出靈活性
輸出可端接至LVDS,能夠驅(qū)動(dòng)更多種類的設(shè)備,增強(qiáng)了產(chǎn)品的通用性。
電源管理
擁有電源關(guān)斷引腳(PD)和輸出使能控制引腳(OE),實(shí)現(xiàn)更高效的系統(tǒng)電源管理。
配置簡(jiǎn)便
通過引腳選擇擴(kuò)頻百分比和頻率,無需軟件配置,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程。
溫度范圍
支持工業(yè)溫度范圍,適用于對(duì)環(huán)境要求苛刻的嵌入式應(yīng)用。
PCIe Gen3替代方案
對(duì)于PCIe Gen3應(yīng)用,可參考5V41236。
關(guān)鍵規(guī)格
- 周期抖動(dòng):周期到周期抖動(dòng)小于100 ps,確保時(shí)鐘信號(hào)的穩(wěn)定性。
- 輸出偏差:輸出到輸出的偏差小于50 ps,保證各輸出信號(hào)的一致性。
- PCIe Gen2相位抖動(dòng):小于3.0 ps RMS,滿足高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊蟆?/li>
引腳分配與說明
引腳分配
| 引腳編號(hào) | 引腳名稱 | 引腳類型 | 描述 |
|---|---|---|---|
| 1 | VDDXD | 電源 | 連接到 +3.3 V 數(shù)字電源 |
| 2 | S0 | 輸入 | 擴(kuò)頻選擇引腳 #0,內(nèi)部上拉電阻 |
| 3 | S1 | 輸入 | 擴(kuò)頻選擇引腳 #1,內(nèi)部上拉電阻 |
| 4 | S2 | 輸入 | 擴(kuò)頻選擇引腳 #2,內(nèi)部上拉電阻 |
| 5 | X1 | 輸入 | 晶體連接,連接到基模晶體或時(shí)鐘輸入 |
| 6 | X2 | 輸出 | 晶體連接,連接到基模晶體或留空 |
| 7 | PD | 輸入 | 低電平時(shí)關(guān)閉所有PLL并使輸出呈三態(tài),內(nèi)部上拉電阻 |
| 8 | OE | 輸入 | 控制輸出使能,高電平使能輸出,低電平禁用輸出,內(nèi)部上拉電阻 |
| 9 | GND | 電源 | 連接到數(shù)字地 |
| 10 | IREF | 輸出 | 連接精密電阻到內(nèi)部電流參考 |
| 11 | CLKD | 輸出 | 可選100/200 MHz擴(kuò)頻差分互補(bǔ)輸出時(shí)鐘D |
| 12 | CLKD | 輸出 | 可選100/200 MHz擴(kuò)頻差分真實(shí)輸出時(shí)鐘D |
| 13 | CLKC | 輸出 | 可選100/200 MHz擴(kuò)頻差分互補(bǔ)輸出時(shí)鐘C |
| 14 | CLKC | 輸出 | 可選100/200 MHz擴(kuò)頻差分真實(shí)輸出時(shí)鐘C |
| 15 | VDDODA | 電源 | 連接到 +3.3 V 模擬電源 |
| 16 | GND | 電源 | 連接到模擬地 |
| 17 | CLKB | 輸出 | 可選100/200 MHz擴(kuò)頻差分互補(bǔ)輸出時(shí)鐘B |
| 18 | CLKB | 輸出 | 可選100/200 MHz擴(kuò)頻差分真實(shí)輸出時(shí)鐘B |
| 19 | CLKA | 輸出 | 可選100/200 MHz擴(kuò)頻差分互補(bǔ)輸出時(shí)鐘A |
| 20 | CLKA | 輸出 | 可選100/200 MHz擴(kuò)頻差分真實(shí)輸出時(shí)鐘A |
擴(kuò)頻選擇表
| S2 | S1 | S0 | 擴(kuò)頻百分比 | 擴(kuò)頻類型 | 輸出頻率 |
|---|---|---|---|---|---|
| 0 | 0 | 0 | -0.5 | 向下 | 100 |
| 0 | 0 | 1 | -1.0 | 向下 | 100 |
| 0 | 1 | 0 | -1.5 | 向下 | 100 |
| 0 | 1 | 1 | 無擴(kuò)頻 | 不適用 | 100 |
| 1 | 0 | 0 | -0.5 | 向下 | 200 |
| 1 | 0 | 1 | -1.0 | 向下 | 200 |
| 1 | 1 | 0 | -1.5 | 向下 | 200 |
| 1 | 1 | 1 | 無擴(kuò)頻 | 不適用 | 200 |
應(yīng)用信息
去耦電容
為了使IDT5V41066達(dá)到最佳性能,必須將其與系統(tǒng)電源噪聲隔離。每個(gè)VDD和PCB接地平面之間應(yīng)連接0.01μF的去耦電容。
PCB布局建議
- 每個(gè)0.01μF去耦電容應(yīng)盡可能靠近VDD引腳安裝在電路板的元件側(cè),去耦電容和VDD引腳之間不應(yīng)使用過孔。
- PCB到VDD引腳的走線以及到接地過孔的走線應(yīng)盡可能短。鐵氧體磁珠和大容量去耦電容與器件的距離影響較小。
- 最佳布局是所有元件都在電路板的同一側(cè),盡量減少穿過其他信號(hào)層的過孔(鐵氧體磁珠和大容量去耦電容可安裝在背面)。其他信號(hào)走線應(yīng)遠(yuǎn)離IDT5V41066。
外部組件
- 去耦電容:在VDD和GND對(duì)(1,9和15,16)之間應(yīng)盡可能靠近器件連接0.01 μF的去耦電容。
- 晶體電容:從引腳X1到地和X2到地應(yīng)連接晶體電容,以優(yōu)化初始精度。晶體電容的值(以pf為單位)等于 ((C{L}-12)^{*} 2),其中 (C{L}) 是晶體負(fù)載電容(以pf為單位)。
- 電流參考源 (R_{r}) (Iref):如果電路板目標(biāo)走線阻抗 ((Z)) 為50Ω,則 (Rr = 475 Omega) (1%),提供2.32 mA的IREF,輸出電流 ((IOH)) 等于6 * IREF。
- 負(fù)載電阻 (R_{L}):由于時(shí)鐘輸出是開源輸出,每個(gè)時(shí)鐘輸出應(yīng)連接50歐姆的外部接地電阻。
輸出端接
IDT5V41066的PCI-Express差分時(shí)鐘輸出是開源驅(qū)動(dòng)器,需要外部串聯(lián)電阻和接地電阻。具體的電阻值和允許的位置在PCI-Express布局指南部分有詳細(xì)說明。此外,該器件還可以配置為L(zhǎng)VDS兼容電壓電平。
電氣特性
絕對(duì)最大額定值
| 項(xiàng)目 | 額定值 |
|---|---|
| 電源電壓,VDD, VDDA | 5.5 V |
| 所有輸入和輸出 | -0.5 V 到 VDD + 0.5 V |
| 環(huán)境工作溫度(商業(yè)) | 0 到 +70°C |
| 環(huán)境工作溫度(工業(yè)) | -40 到 +85°C |
| 存儲(chǔ)溫度 | -65 到 +150°C |
| 結(jié)溫 | 125°C |
| 焊接溫度 | 260°C |
| ESD保護(hù)(輸入) | 2000 V min. (HBM) |
DC電氣特性
| 參數(shù) | 符號(hào) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源電壓 | V | 3.135 | 3.3 | 3.465 | V | |
| 輸入高電壓 | VIH | 2.2 | VDD + 0.3 | V | ||
| 輸入低電壓 | VIL | VSS - 0.3 | 0.8 | V | ||
| 輸入泄漏電流 | IIL | 0 < Vin < VDD | -5 | 5 | μA | |
| 工作電源電流 | IDD | RS = 33Ω, RP = 50Ω, CL = 2 pF @100 MHz | 115 | 125 | mA | |
| IDDOE | OE = Low | 42 | 48 | mA | ||
| IDDPD | 無負(fù)載,PD = Low | 350 | 500 | μA | ||
| 輸入電容 | CIN | 輸入引腳電容 | 7 | pF | ||
| 輸出電容 | COUT | 輸出引腳電容 | 6 | pF | ||
| X1, X2電容 | CINX | 5 | pF | |||
| 引腳電感 | LPIN | 5 | nH | |||
| 輸出阻抗 | Zo | CLK輸出 | 3.0 | kΩ | ||
| 上拉電阻 | RPUP | OE, SEL, PD引腳 | 110 | kΩ |
AC電氣特性 - CLKOUT (A:D)
| 參數(shù) | 符號(hào) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 輸入頻率 | 25 | MHz | ||||
| 輸出頻率 | HCSL端接 | 25 | 200 | MHz | ||
| LVDS端接 | 25 | 100 | MHz | |||
| 輸出高電壓 | VOH | HCSL | 850 | mV | ||
| 輸出低電壓 | VOL | HCSL | -150 | mV | ||
| 交叉點(diǎn)電壓 | 絕對(duì) | 250 | 550 | mV | ||
| 所有邊沿變化 | 140 | mV | ||||
| 抖動(dòng),周期到周期 | 100 | ps | ||||
| 頻率合成誤差 | 所有輸出 | 0 | ppm | |||
| 調(diào)制頻率 | 擴(kuò)頻 | 30 | 32.9 | 33 | kHz | |
| 上升時(shí)間 | tOR | 從0.175 V到0.525 V | 175 | 700 | ps | |
| 下降時(shí)間 | tOF | 從0.525 V到0.175 V | 175 | 700 | ps | |
| 上升/下降時(shí)間變化 | 125 | ps | ||||
| 輸出到輸出偏差 | 50 | ps | ||||
| 占空比 | 45 | 55 | % | |||
| 輸出使能時(shí)間 | 所有輸出 | 50 | 100 | ns | ||
| 輸出禁用時(shí)間 | 所有輸出 | 50 | 100 | ns | ||
| 穩(wěn)定時(shí)間 | tSTABLE | 從電源上電VDD = 3.3 V | 1.8 | ms | ||
| 擴(kuò)頻過渡時(shí)間 | tSPREAD | 擴(kuò)頻變化后的穩(wěn)定時(shí)間 | 7 | 30 | ms |
電氣特性 - 差分相位抖動(dòng)
| 參數(shù) | 符號(hào) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 備注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 抖動(dòng),相位 | t jphasePLL | PCIe Gen1 | 30 | 86 | ps (p-p) | 1,2,3 | |
| t jphaseLO | PCIe Gen2, 10 kHz < f < 1.5 MHz | 0.76 | 3 | ps (RMS) | 1,2,3 | ||
| t jphaseHIGH | PCIe Gen2, 1.5 MHz < f < Nyquist (50 MHz) | 2.0 | 3.1 | ps (RMS) | 1,2,3 |
熱特性
| 參數(shù) | 符號(hào) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 熱阻,結(jié)到環(huán)境 | θJA | 靜止空氣 | 93 | °C/W | ||
| 1 m/s 氣流 | 78 | °C/W | ||||
| 3 m/s 氣流 | 65 | °C/W | ||||
| 熱阻,結(jié)到外殼 | θJC | 20 | °C/W |
訂購信息
| 部件/訂單編號(hào) | 標(biāo)記 | 運(yùn)輸包裝 | 封裝 | 溫度范圍 |
|---|---|---|---|---|
| 5V41066PGG | 見第10頁 | 管裝 | 20引腳TSSOP | 0 到 +70°C |
| 5V41066PGG8 | 卷帶包裝 | 20引腳TSSOP | 0 到 +70°C | |
| 5V41066PGGI | 管裝 | 20引腳TSSOP | -40 到 +85°C | |
| 5V41066PGGI8 | 卷帶包裝 | 20引腳TSSOP | -40 到 +85°C |
總結(jié)
IDT5V41066作為一款高性能的PCIe Gen1/2時(shí)鐘合成器,憑借其豐富的特性和出色的電氣性能,為通信和嵌入式系統(tǒng)提供了可靠的時(shí)鐘解決方案。在設(shè)計(jì)過程中,合理布局和選擇外部組件對(duì)于發(fā)揮其最佳性能至關(guān)重要。希望通過本文的介紹,能幫助電子工程師更好地了解和應(yīng)用這款產(chǎn)品。你在使用類似時(shí)鐘合成器時(shí)遇到過哪些問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。
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電子工程
+關(guān)注
關(guān)注
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