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華潤微 CRTD050P03L2-G|-30V Trench P-MOSFET 功率器件,中低壓大電流場景高效開關(guān)新標(biāo)桿

佰祥電子 ? 來源:jf_13330813 ? 作者:jf_13330813 ? 2026-03-30 17:26 ? 次閱讀
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華潤微代理商 —— 依托華潤微在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的龍頭技術(shù)積淀與全產(chǎn)業(yè)鏈布局,旗下授權(quán)代理商為行業(yè)帶來專為中低壓大電流場景打造的CRM 先進(jìn)溝槽型 P-MOSFET——CRTD050P03L2-G。這款器件由華潤微核心子公司研發(fā)生產(chǎn),深度承襲華潤微在功率器件領(lǐng)域的工藝與設(shè)計(jì)優(yōu)勢,以極致低導(dǎo)通電阻、優(yōu)異的開關(guān)品質(zhì)因數(shù)、超大電流承載能力、工業(yè)級高可靠性為核心亮點(diǎn),精準(zhǔn)破解電機(jī)控制、電動(dòng)工具、鋰電池保護(hù)等場景中功率損耗大、高頻開關(guān)效率低、大電流通斷穩(wěn)定性差、空間布局受限的行業(yè)痛點(diǎn),成為中低壓大電流功率開關(guān)場景的標(biāo)桿之選。

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一、原生適配:中低壓大電流場景專屬 Trench P-MOSFET 定制設(shè)計(jì)

CRTD050P03L2-G 并非傳統(tǒng)平面型 MOSFET 的簡單技術(shù)升級,而是華潤微立足 **-30V 中低壓、大電流通斷 ** 全場景使用需求的定制化溝槽型(Trench)設(shè)計(jì),完美適配電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)工具、鋰電池保護(hù)、高頻(HF)開關(guān)電路等中低壓大電流應(yīng)用場景。

作為華潤微面向中低壓功率開關(guān)領(lǐng)域的核心產(chǎn)品,其核心參數(shù)實(shí)現(xiàn)行業(yè)優(yōu)質(zhì)表現(xiàn):-30V 漏源耐壓、4.2mΩ 典型導(dǎo)通電阻、-125A 硅片極限連續(xù)漏極電流,在低導(dǎo)通損耗、大電流承載、高頻開關(guān)效率、工業(yè)級可靠性、小型化集成之間實(shí)現(xiàn)最優(yōu)平衡,一站式為中低壓電路提供高效開關(guān)、大電流通斷、高可靠防護(hù)、簡化 BOM的完整功率解決方案。

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二、七大核心亮點(diǎn),重新定義中低壓 P-MOSFET 性能標(biāo)桿

先進(jìn) CRM 溝槽技術(shù),極致低導(dǎo)通電阻突破損耗瓶頸

CRTD050P03L2-G 采用華潤微自主研發(fā)的 CRM 先進(jìn) Trench 溝槽技術(shù),依托華潤微成熟的功率器件工藝平臺(tái),對器件溝道結(jié)構(gòu)進(jìn)行深度優(yōu)化,有效降低漏源導(dǎo)通電阻(RDS(on)?):在VGS?=?10V、ID?=?19A的典型工況下,RDS(on)?典型值僅4.2mΩ,最大值也僅 5.3mΩ,即使在低柵壓VGS?=?4.5V下,仍能保持 7mΩ 以內(nèi)的低導(dǎo)通電阻表現(xiàn)。

極致低阻直接大幅降低電路導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)整體效率;同時(shí)器件擁有優(yōu)異的Qg?×RDS(on)?品質(zhì)因數(shù)(FOM),柵極電荷與導(dǎo)通電阻的乘積實(shí)現(xiàn)行業(yè)優(yōu)級優(yōu)化,高頻開關(guān)過程中開關(guān)損耗更小,完美適配高頻(HF)開關(guān)電路的設(shè)計(jì)需求。

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全規(guī)格極限電流承載,大電流場景輕松應(yīng)對

針對中低壓場景的大電流通斷需求,華潤微為 CRTD050P03L2-G 打造了硅片與封裝的雙級電流極限設(shè)計(jì),電流承載能力行業(yè)領(lǐng)先:25℃下硅片極限連續(xù)漏極電流達(dá) **-125A**,封裝極限也達(dá) - 60A,即使在 100℃高溫工況下,硅片極限連續(xù)漏極電流仍保持 **-80A的高水準(zhǔn);脈沖漏極電流(25℃,受結(jié)溫限制)更是高達(dá)-240A**,能輕松應(yīng)對電路中的瞬時(shí)大電流沖擊。

同時(shí)器件單脈沖雪崩能量達(dá)225mJ(L=0.5mH),具備優(yōu)異的抗雪崩能力,在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)工具等感性負(fù)載場景中,可有效抵御電壓尖峰沖擊,避免器件損壞,充分匹配工業(yè)級場景的嚴(yán)苛要求。

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嚴(yán)苛行業(yè)認(rèn)證測試,工業(yè)級高可靠性適配全場景

CRTD050P03L2-G 完全符合 JEDEC 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,并經(jīng)過華潤微全批次 100% 嚴(yán)苛測試驗(yàn)證:所有器件均完成DVDS 漏源耐壓測試雪崩耐量測試,從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造封裝測試,全流程遵循華潤微的高品質(zhì)品控標(biāo)準(zhǔn),保障器件的一致性和可靠性。

器件的工作與存儲(chǔ)溫度覆蓋 **-55℃~+150℃**,寬溫域適配工業(yè)設(shè)備、戶外便攜工具等復(fù)雜工作環(huán)境;引腳焊接溫度支持 260℃(距外殼 1.6mm 處焊接 10s),兼容常規(guī)波峰焊、回流焊工藝,耐焊接熱沖擊能力優(yōu)異,大幅提升量產(chǎn)良率。

優(yōu)異動(dòng)靜態(tài)電氣特性,高頻開關(guān)控制更精準(zhǔn)

依托華潤微在功率器件領(lǐng)域的精準(zhǔn)參數(shù)標(biāo)定能力,CRTD050P03L2-G 的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)電氣特性均實(shí)現(xiàn)高精度匹配,為高頻開關(guān)控制提供穩(wěn)定的參數(shù)支撐:靜態(tài)特性上,漏源擊穿電壓穩(wěn)定在 - 30V,柵極閾值電壓(VGS(th)?)精準(zhǔn)控制在 - 1.5V~-2V,零柵壓漏極電流(IDSS?)、柵源漏電流(IGSS?)均處于 nA 級,器件靜態(tài)功耗極低;跨導(dǎo)(gfs?)達(dá) 83S,柵壓對漏極電流的控制靈敏度高,電流調(diào)節(jié)更精準(zhǔn)。

動(dòng)態(tài)特性上,在 1MHz 高頻下,輸入電容(Ciss?)、輸出電容(Coss?)、反向傳輸電容(Crss?)參數(shù)匹配優(yōu)化,柵極總電荷(Qg?)88.0nC,柵源電荷(Qgs?)、柵漏電荷(Qgd?)分配合理;開關(guān)延遲時(shí)間(td(on)?)9ns,上升 / 下降時(shí)間精準(zhǔn),高頻開關(guān)過程中無信號拖影、無遲滯,完美適配 HF 高頻開關(guān)電路和高速功率控制場景。

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專屬熱性能優(yōu)化,高溫工況穩(wěn)定運(yùn)行

針對大電流工況下的散熱難題,華潤微為 CRTD050P03L2-G 進(jìn)行了定制化熱性能優(yōu)化設(shè)計(jì):結(jié)殼熱阻(RthJC?)典型值僅1.2℃/W,熱量能快速從芯片結(jié)區(qū)傳導(dǎo)至外殼,再通過 PCB 高效散熱;25℃下器件最大功耗達(dá)104W,具備超強(qiáng)的功率承載能力。

同時(shí)華潤微為該器件提供了完整的漏極電流降額曲線、功率耗散降額曲線,器件隨殼溫升高,電流與功率輸出呈平穩(wěn)線性降額,無突變性性能衰減;瞬態(tài)熱阻抗(ZthJC?)經(jīng)過深度優(yōu)化,短時(shí)大功耗工況下結(jié)溫上升緩慢,有效避免熱失控,保障高溫工況下的長期穩(wěn)定運(yùn)行。

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高集成優(yōu)質(zhì)體二極管,簡化電路設(shè)計(jì)降本增效

CRTD050P03L2-G 內(nèi)置華潤微定制化高性能體二極管,無需額外外接續(xù)流 / 整流二極管,大幅簡化電路設(shè)計(jì),減少外圍 BOM 器件數(shù)量,降低整體方案成本。

該體二極管為快速恢復(fù)型,反向恢復(fù)時(shí)間(trr?)僅 1.2ns,反向恢復(fù)電荷(Qrr?)40.5nC,在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、鋰電池保護(hù)等場景中,能快速關(guān)斷反向電流,避免反向恢復(fù)損耗;體二極管連續(xù)正向電流達(dá) - 60A,正向電壓低,續(xù)流效率高,完美匹配主功率管的大電流通斷需求,實(shí)現(xiàn)主器件與體二極管的性能協(xié)同。

TO-252 經(jīng)典貼片封裝,小型化易集成適配自動(dòng)化量產(chǎn)

CRTD050P03L2-G 采用TO-252 貼片封裝,這是華潤微針對中低壓功率器件打造的經(jīng)典封裝形式,引腳布局經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計(jì),頂 / 底視圖的引腳定義清晰(D/D-S/G 引腳分布),適配各類 PCB 的貼片布局,能有效節(jié)省 PCB 空間,滿足便攜式設(shè)備、小型化工業(yè)模塊的空間設(shè)計(jì)需求。

器件采用卷裝供貨,每卷 2500pcs,完美適配 SMT 自動(dòng)化貼片產(chǎn)線,大幅提升客戶量產(chǎn)效率;封裝引腳的焊接性、機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)異,抗振動(dòng)、抗沖擊能力強(qiáng),適合電動(dòng)工具、工業(yè)電機(jī)等存在振動(dòng)工況的應(yīng)用場景,適配工業(yè)級設(shè)備的使用要求。

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三、主流應(yīng)用場景

CRTD050P03L2-G 作為華潤微中低壓功率器件的核心產(chǎn)品,憑借 **-30V 中低壓、低導(dǎo)通電阻、大電流承載、高頻開關(guān)、高可靠性 ** 的核心優(yōu)勢,成為中低壓大電流場景的功率開關(guān)優(yōu)選,主流應(yīng)用覆蓋:

電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng):小型工業(yè)電機(jī)、直流無刷電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)的功率開關(guān)與續(xù)流控制

電動(dòng)工具:充電式手電鉆、扳手、吸塵器等便攜電動(dòng)工具的鋰電供電回路開關(guān)

鋰電池保護(hù):動(dòng)力電池、儲(chǔ)能鋰電池、便攜式設(shè)備鋰電池的保護(hù)板功率開關(guān)

高頻(HF)開關(guān)電路:低壓高頻電源、DC-DC 變換器的高速功率開關(guān)

便攜式大功率電子設(shè)備:便攜儲(chǔ)能、大功率手持設(shè)備的電源通斷與功率控制

工業(yè)低壓驅(qū)動(dòng)模塊工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備、低壓驅(qū)動(dòng)板的功率開關(guān)單元

四、總結(jié)

CRTD050P03L2-G 是華潤微基于CRM 先進(jìn) Trench 溝槽技術(shù)打造的 **-30V 中低壓大電流 P-MOSFET**,也是華潤微面向中低壓大電流功率開關(guān)場景量身定制的高效功率器件。依托華潤微在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢,該器件在4.2mΩ 極致低導(dǎo)通電阻、-125A 超大電流承載、優(yōu)異的高頻開關(guān) FOM 值、工業(yè)級高可靠性、集成化優(yōu)質(zhì)體二極管、TO-252 小型化封裝上實(shí)現(xiàn)了全維度突破。

相比傳統(tǒng)平面型 MOSFET,CRTD050P03L2-G 能大幅降低電路的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)整體效率,同時(shí)簡化電路設(shè)計(jì)、減少 BOM 成本,完美適配電機(jī)控制、電動(dòng)工具、鋰電池保護(hù)等中低壓大電流場景的功率開關(guān)需求,是華潤微在中低壓功率器件領(lǐng)域的標(biāo)桿產(chǎn)品。

華潤微授權(quán)代理商常備 CRTD050P03L2-G 原廠現(xiàn)貨,可為客戶提供完整規(guī)格書、定制化應(yīng)用方案設(shè)計(jì)、全流程硬件調(diào)試指導(dǎo)、樣品快速申請及大規(guī)模量產(chǎn)技術(shù)支持,正品保障、價(jià)格優(yōu)勢顯著、交貨周期短,助力客戶在工業(yè)控制、電動(dòng)工具、鋰電保護(hù)等領(lǐng)域的產(chǎn)品高效開發(fā)、穩(wěn)定量產(chǎn),快速搶占中低壓功率器件市場。

面向工業(yè)自動(dòng)化、便攜電動(dòng)工具、鋰電儲(chǔ)能等市場高效化、小型化、高可靠性的發(fā)展趨勢,華潤微 CRTD050P03L2-G 以低損耗、大電流、高可靠、易集成的核心優(yōu)勢,為中低壓大電流場景的功率開關(guān)設(shè)計(jì)提供了全新的優(yōu)質(zhì)解決方案,也彰顯了華潤微在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)品布局能力。

審核編輯 黃宇

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    ZK100<b class='flag-5'>G325P</b>深度應(yīng)用解析:SGT工藝賦能的<b class='flag-5'>中低壓</b>MOS管大<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>場景</b>革新

    ZK30N140T:Trench工藝賦能的30V/140AN溝道MOS管,重塑低壓電流應(yīng)用新標(biāo)桿

    低壓電流功率電子領(lǐng)域,MOS管的導(dǎo)通損耗、電流承載能力與封裝適配性,直接決定了終端設(shè)備的能效、可靠性與設(shè)計(jì)靈活性。中科電推出的ZK
    的頭像 發(fā)表于 10-22 09:42 ?679次閱讀
    ZK<b class='flag-5'>30</b>N140T:<b class='flag-5'>Trench</b>工藝賦能的<b class='flag-5'>30V</b>/140AN溝道MOS管,重塑<b class='flag-5'>低壓</b>大<b class='flag-5'>電流</b>應(yīng)用新<b class='flag-5'>標(biāo)桿</b>