一、擦寫(xiě)壽命與數(shù)據(jù)可靠性
FLASH芯片的擦寫(xiě)次數(shù)一般來(lái)說(shuō)都是有限的，目前主流產(chǎn)品的擦寫(xiě)壽命普遍在10萬(wàn)次左右。當(dāng)FLASH芯片接近使用壽命終點(diǎn)時(shí)，寫(xiě)操作可能會(huì)出現(xiàn)失敗。不過(guò)，需要注意NAND FLASH采用整塊擦寫(xiě)機(jī)制，一旦塊內(nèi)出現(xiàn)一位數(shù)據(jù)失效，整個(gè)塊都會(huì)標(biāo)記為壞塊。相比之下，NOR FLASH的塊數(shù)量更少，且擦寫(xiě)過(guò)程相對(duì)簡(jiǎn)單，因此整體上NOR FLASH的壽命表現(xiàn)更優(yōu)。

由于NAND FLASH存在產(chǎn)生壞塊的可能性，使用這類(lèi)FLASH芯片的系統(tǒng)必須配備“錯(cuò)誤檢測(cè)與糾正（EDC/ECC）”算法，以確保數(shù)據(jù)讀寫(xiě)的正確性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。而NOR FLASH在這方面對(duì)額外糾錯(cuò)算法的依賴(lài)較低。

二、讀寫(xiě)機(jī)制與指令執(zhí)行方式的差異
NOR FLASH的地址線和數(shù)據(jù)線是分開(kāi)設(shè)計(jì)的，所以它支持按“字節(jié)”進(jìn)行隨機(jī)讀寫(xiě)。這種特性使其能夠直接對(duì)接CPU的指令譯碼執(zhí)行流程。如果代碼指令存儲(chǔ)在NOR FLASH上，CPU只需發(fā)送一個(gè)地址，NOR FLASH就能立即返回對(duì)應(yīng)地址的數(shù)據(jù)供CPU執(zhí)行，中間無(wú)需任何額外的加載操作。

而NAND FLASH采用地址線與數(shù)據(jù)線復(fù)用的設(shè)計(jì)，只能按“塊”進(jìn)行讀寫(xiě)。當(dāng)CPU向NAND FLASH發(fā)送地址時(shí)，它無(wú)法直接返回該地址對(duì)應(yīng)的單字節(jié)數(shù)據(jù)，因此不符合CPU的指令譯碼要求。若代碼需要存儲(chǔ)在NAND FLASH上，通常的做法是先將代碼內(nèi)容加載到RAM中，再由CPU從RAM中讀取并執(zhí)行。

三、典型應(yīng)用場(chǎng)景：代碼存儲(chǔ)vs大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
NOR FLASH：適合代碼存儲(chǔ)類(lèi)應(yīng)用。例如嵌入式控制器內(nèi)部的程序存儲(chǔ)空間、BIOS固存、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的啟動(dòng)代碼等，通常選用NOR FLASH。

NAND FLASH：適合大數(shù)據(jù)量存儲(chǔ)場(chǎng)景。我們?nèi)粘Ｊ褂玫?a target="_blank">SD卡、U盤(pán)、手機(jī)閃存以及固態(tài)硬盤(pán)（SSD），幾乎都是基于NAND FLASH架構(gòu)。

四、如何選擇適合的FLASH芯片
選擇FLASH芯片時(shí)，需要綜合考慮存儲(chǔ)容量、讀寫(xiě)方式、擦寫(xiě)壽命以及系統(tǒng)是否需要直接執(zhí)行代碼。如果項(xiàng)目要求CPU直接從存儲(chǔ)器中取指執(zhí)行，且數(shù)據(jù)量不大、對(duì)隨機(jī)讀取速度有要求，NOR FLASH是更合適的選擇。如果項(xiàng)目關(guān)注大容量存儲(chǔ)、成本效益以及順序讀寫(xiě)性能，那么NAND FLASH則更具優(yōu)勢(shì)。更多詳情請(qǐng)搜索英尚微電子。

審核編輯 黃宇