深入解析FDB0260N1007L N - 通道PowerTrench? MOSFET
一、引言
在電子工程領(lǐng)域,MOSFET作為重要的功率器件,廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計中。今天我們要詳細探討的是FDB0260N1007L N - 通道PowerTrench? MOSFET,它具有諸多出色的特性,能滿足眾多工業(yè)應(yīng)用的需求。
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二、品牌整合與注意事項
Fairchild現(xiàn)已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求,部分Fairchild可訂購的零件編號需要更改,原編號中的下劃線(_)將改為破折號( - )。大家可通過ON Semiconductor官網(wǎng)(www.onsemi.com)驗證更新后的設(shè)備編號。若有關(guān)于系統(tǒng)集成的問題,可發(fā)送郵件至Fairchild_questions@onsemi.com。
三、FDB0260N1007L MOSFET特性
3.1 基本特性
- 低導通電阻:在VGS = 10 V,ID = 27 A時,最大rDS(on)僅為2.6 mΩ,這意味著在導通狀態(tài)下,器件的功率損耗較小,能有效提高電路效率。
- 快速開關(guān)速度:具備快速的開關(guān)能力,可減少開關(guān)過程中的能量損耗,適用于高頻應(yīng)用場景。
- 低柵極電荷:低柵極電荷有助于降低驅(qū)動功率,提高開關(guān)速度,使器件在開關(guān)過程中更加高效。
- 高性能溝槽技術(shù):采用先進的PowerTrench?工藝,能極大地降低RDS(on),同時保證了卓越的堅固性和開關(guān)性能。
- 高功率和電流處理能力:能夠承受較高的功率和電流,適用于對功率要求較高的工業(yè)應(yīng)用。
- 符合RoHS標準:滿足環(huán)保要求,符合現(xiàn)代電子設(shè)備對環(huán)保的需求。
3.2 應(yīng)用領(lǐng)域
該MOSFET適用于多種工業(yè)應(yīng)用,包括工業(yè)電機驅(qū)動、工業(yè)電源、工業(yè)自動化、電池供電工具、電池保護、太陽能逆變器、UPS和能量逆變器、能量存儲以及負載開關(guān)等。
四、電氣參數(shù)
4.1 最大額定值
| 參數(shù) | 符號 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDS | 100 | V |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | V |
| 連續(xù)漏極電流(TC = 25°C) | ID | 200 | A |
| 連續(xù)漏極電流(TC = 100°C) | ID | 140 | A |
| 脈沖漏極電流 | ID | 1100 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 912 | mJ |
| 功率耗散(TC = 25°C) | PD | 250 | W |
| 功率耗散(TA = 25°C) | PD | 3.8 | W |
| 工作和存儲結(jié)溫范圍 | TJ, TSTG | -55 至 +175 | °C |
| 結(jié)到外殼熱阻 | RθJC | 0.6 | °C/W |
| 結(jié)到環(huán)境熱阻 | RθJA | 40 | °C/W |
4.2 電氣特性
- 截止特性:如漏源擊穿電壓BVDSS在ID = 250 μA,VGS = 0 V時為100 V,零柵壓漏極電流IDSS在VDS = 80 V,VGS = 0 V時為1 μA等。
- 導通特性:靜態(tài)漏源導通電阻rDS(on)在VGS = 10 V,ID = 27 A時為2.3 - 2.6 mΩ ,在TJ = 150°C時為4.5 - 6.6 mΩ 。
- 動態(tài)特性:包括輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss等。
- 開關(guān)特性:如開啟延遲時間td(on)、上升時間tr、關(guān)斷延遲時間td(off)和下降時間tf等。
- 漏源二極管特性:最大連續(xù)漏源二極管正向電流IS為200 A,最大脈沖漏源二極管正向電流ISM為1100 A等。
五、典型特性曲線
文檔中給出了多個典型特性曲線,這些曲線能幫助工程師更好地了解器件在不同條件下的性能。
- 導通區(qū)域特性曲線:展示了不同柵源電壓下,漏極電流與漏源電壓的關(guān)系。
- 歸一化導通電阻與漏極電流和柵源電壓的關(guān)系曲線:可直觀地看到導通電阻隨漏極電流和柵源電壓的變化情況。
- 歸一化導通電阻與結(jié)溫的關(guān)系曲線:反映了導通電阻隨結(jié)溫的變化趨勢。
- 導通電阻與柵源電壓的關(guān)系曲線:有助于工程師選擇合適的柵源電壓以獲得較低的導通電阻。
- 轉(zhuǎn)移特性曲線:體現(xiàn)了漏極電流與柵源電壓的關(guān)系。
- 源漏二極管正向電壓與源電流的關(guān)系曲線:可了解二極管在不同電流下的正向電壓特性。
- 柵極電荷特性曲線:展示了柵極電荷與柵源電壓的關(guān)系。
- 電容與漏源電壓的關(guān)系曲線:反映了電容隨漏源電壓的變化情況。
- 非鉗位電感開關(guān)能力曲線:體現(xiàn)了器件在非鉗位電感開關(guān)情況下的性能。
- 正向偏置安全工作區(qū)曲線:幫助工程師確定器件在不同電壓和電流下的安全工作范圍。
- 單脈沖最大功率耗散曲線:可了解器件在單脈沖情況下的功率耗散能力。
- 結(jié)到外殼瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線:用于分析器件在瞬態(tài)情況下的熱性能。
六、封裝與訂購信息
該器件采用D2 - PAK - 7L封裝,卷盤尺寸為330 mm,膠帶寬度為24 mm,每卷數(shù)量為800個。
七、總結(jié)
FDB0260N1007L N - 通道PowerTrench? MOSFET憑借其出色的特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在工業(yè)電子設(shè)計中具有重要的價值。工程師在使用時,需根據(jù)具體的應(yīng)用需求,結(jié)合器件的電氣參數(shù)和典型特性曲線,合理選擇和設(shè)計電路,以確保器件能夠穩(wěn)定、高效地工作。同時,要注意品牌整合帶來的零件編號變化,及時通過官網(wǎng)驗證更新后的編號。大家在實際應(yīng)用中,是否遇到過類似MOSFET的選型和使用問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。
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