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深入解析FDB0260N1007L N - 通道PowerTrench? MOSFET

lhl545545 ? 2026-03-31 17:20 ? 次閱讀
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深入解析FDB0260N1007L N - 通道PowerTrench? MOSFET

一、引言

在電子工程領(lǐng)域,MOSFET作為重要的功率器件,廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計中。今天我們要詳細探討的是FDB0260N1007L N - 通道PowerTrench? MOSFET,它具有諸多出色的特性,能滿足眾多工業(yè)應(yīng)用的需求。

文件下載:FDB0260N1007L-D.pdf

二、品牌整合與注意事項

Fairchild現(xiàn)已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求,部分Fairchild可訂購的零件編號需要更改,原編號中的下劃線(_)將改為破折號( - )。大家可通過ON Semiconductor官網(wǎng)(www.onsemi.com)驗證更新后的設(shè)備編號。若有關(guān)于系統(tǒng)集成的問題,可發(fā)送郵件至Fairchild_questions@onsemi.com。

三、FDB0260N1007L MOSFET特性

3.1 基本特性

  • 低導通電阻:在VGS = 10 V,ID = 27 A時,最大rDS(on)僅為2.6 mΩ,這意味著在導通狀態(tài)下,器件的功率損耗較小,能有效提高電路效率。
  • 快速開關(guān)速度:具備快速的開關(guān)能力,可減少開關(guān)過程中的能量損耗,適用于高頻應(yīng)用場景。
  • 低柵極電荷:低柵極電荷有助于降低驅(qū)動功率,提高開關(guān)速度,使器件在開關(guān)過程中更加高效。
  • 高性能溝槽技術(shù):采用先進的PowerTrench?工藝,能極大地降低RDS(on),同時保證了卓越的堅固性和開關(guān)性能。
  • 高功率和電流處理能力:能夠承受較高的功率和電流,適用于對功率要求較高的工業(yè)應(yīng)用。
  • 符合RoHS標準:滿足環(huán)保要求,符合現(xiàn)代電子設(shè)備對環(huán)保的需求。

3.2 應(yīng)用領(lǐng)域

該MOSFET適用于多種工業(yè)應(yīng)用,包括工業(yè)電機驅(qū)動、工業(yè)電源、工業(yè)自動化、電池供電工具、電池保護、太陽能逆變器、UPS和能量逆變器、能量存儲以及負載開關(guān)等。

四、電氣參數(shù)

4.1 最大額定值

參數(shù) 符號 額定值 單位
漏源電壓 VDS 100 V
柵源電壓 VGS ±20 V
連續(xù)漏極電流(TC = 25°C) ID 200 A
連續(xù)漏極電流(TC = 100°C) ID 140 A
脈沖漏極電流 ID 1100 A
單脈沖雪崩能量 EAS 912 mJ
功率耗散(TC = 25°C) PD 250 W
功率耗散(TA = 25°C) PD 3.8 W
工作和存儲結(jié)溫范圍 TJ, TSTG -55 至 +175 °C
結(jié)到外殼熱阻 RθJC 0.6 °C/W
結(jié)到環(huán)境熱阻 RθJA 40 °C/W

4.2 電氣特性

  • 截止特性:如漏源擊穿電壓BVDSS在ID = 250 μA,VGS = 0 V時為100 V,零柵壓漏極電流IDSS在VDS = 80 V,VGS = 0 V時為1 μA等。
  • 導通特性:靜態(tài)漏源導通電阻rDS(on)在VGS = 10 V,ID = 27 A時為2.3 - 2.6 mΩ ,在TJ = 150°C時為4.5 - 6.6 mΩ 。
  • 動態(tài)特性:包括輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss等。
  • 開關(guān)特性:如開啟延遲時間td(on)、上升時間tr、關(guān)斷延遲時間td(off)和下降時間tf等。
  • 漏源二極管特性:最大連續(xù)漏源二極管正向電流IS為200 A,最大脈沖漏源二極管正向電流ISM為1100 A等。

五、典型特性曲線

文檔中給出了多個典型特性曲線,這些曲線能幫助工程師更好地了解器件在不同條件下的性能。

  • 導通區(qū)域特性曲線:展示了不同柵源電壓下,漏極電流與漏源電壓的關(guān)系。
  • 歸一化導通電阻與漏極電流和柵源電壓的關(guān)系曲線:可直觀地看到導通電阻隨漏極電流和柵源電壓的變化情況。
  • 歸一化導通電阻與結(jié)溫的關(guān)系曲線:反映了導通電阻隨結(jié)溫的變化趨勢。
  • 導通電阻與柵源電壓的關(guān)系曲線:有助于工程師選擇合適的柵源電壓以獲得較低的導通電阻。
  • 轉(zhuǎn)移特性曲線:體現(xiàn)了漏極電流與柵源電壓的關(guān)系。
  • 源漏二極管正向電壓與源電流的關(guān)系曲線:可了解二極管在不同電流下的正向電壓特性。
  • 柵極電荷特性曲線:展示了柵極電荷與柵源電壓的關(guān)系。
  • 電容與漏源電壓的關(guān)系曲線:反映了電容隨漏源電壓的變化情況。
  • 非鉗位電感開關(guān)能力曲線:體現(xiàn)了器件在非鉗位電感開關(guān)情況下的性能。
  • 正向偏置安全工作區(qū)曲線:幫助工程師確定器件在不同電壓和電流下的安全工作范圍。
  • 單脈沖最大功率耗散曲線:可了解器件在單脈沖情況下的功率耗散能力。
  • 結(jié)到外殼瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線:用于分析器件在瞬態(tài)情況下的熱性能。

六、封裝與訂購信息

該器件采用D2 - PAK - 7L封裝,卷盤尺寸為330 mm,膠帶寬度為24 mm,每卷數(shù)量為800個。

七、總結(jié)

FDB0260N1007L N - 通道PowerTrench? MOSFET憑借其出色的特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在工業(yè)電子設(shè)計中具有重要的價值。工程師在使用時,需根據(jù)具體的應(yīng)用需求,結(jié)合器件的電氣參數(shù)和典型特性曲線,合理選擇和設(shè)計電路,以確保器件能夠穩(wěn)定、高效地工作。同時,要注意品牌整合帶來的零件編號變化,及時通過官網(wǎng)驗證更新后的編號。大家在實際應(yīng)用中,是否遇到過類似MOSFET的選型和使用問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

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