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深度解析DS28E35:安全認(rèn)證芯片的卓越之選

chencui ? 2026-04-01 16:05 ? 次閱讀
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深度解析DS28E35:安全認(rèn)證芯片的卓越之選

在電子設(shè)備的安全認(rèn)證領(lǐng)域,DS28E35這款深度安全認(rèn)證芯片憑借其先進(jìn)的技術(shù)和豐富的功能,成為眾多工程師的首選。今天,我們就來詳細(xì)探討一下DS28E35的特點(diǎn)、應(yīng)用以及相關(guān)的技術(shù)參數(shù)。

文件下載:DS28E35Q+T.pdf

一、DS28E35概述

DS28E35是一款具備1-Wire ECDSA和1Kb用戶EEPROM的深度安全認(rèn)證芯片。它屬于DeepCover?嵌入式安全解決方案的一員,通過多層先進(jìn)物理安全技術(shù),為敏感數(shù)據(jù)提供了高度安全的存儲環(huán)境。該芯片主要用于主機(jī)控制器對周邊設(shè)備的認(rèn)證,基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(FIPS 186)的橢圓曲線數(shù)字簽名算法(ECDSA),為設(shè)備間的通信提供了可靠的安全保障。

二、核心特性

1. ECDSA引擎

DS28E35內(nèi)置ECDSA引擎,能夠根據(jù)“高效密碼學(xué)標(biāo)準(zhǔn)(SEC)”在素域上使用偽隨機(jī)曲線計(jì)算密鑰和簽名。這使得設(shè)備能夠進(jìn)行基于公鑰的簽名驗(yàn)證,大大提高了認(rèn)證的安全性。

2. 隨機(jī)數(shù)生成器

芯片擁有片上硬件隨機(jī)數(shù)生成器,為加密操作提供了可靠的隨機(jī)數(shù)來源,增強(qiáng)了密鑰的隨機(jī)性和安全性。

3. 密鑰管理

設(shè)備可以自行計(jì)算私鑰和公鑰,也支持用戶外部加載,并可選擇自動鎖定功能,確保密鑰的安全性。同時,還設(shè)有獨(dú)立的用戶可編程和可鎖定的內(nèi)存空間,用于存儲公鑰證書。

4. 計(jì)數(shù)器功能

具備一個17位的一次性可設(shè)置、非易失性遞減計(jì)數(shù)器,可用于跟蹤DS28E35所附著對象的使用壽命。

5. SHA - 256引擎

芯片集成了SHA - 256引擎,能夠計(jì)算EEPROM頁面數(shù)據(jù)和主機(jī)挑戰(zhàn)的哈希值,為后續(xù)的ECDSA簽名提供支持。

6. 用戶EEPROM

擁有1024位的用戶EEPROM,分為四個256位的頁面,支持多種保護(hù)模式,包括寫保護(hù)、讀保護(hù)和一次性可編程(OTP)內(nèi)存仿真模式,確保用戶數(shù)據(jù)的安全。

7. 唯一標(biāo)識

每個DS28E35芯片都有一個由工廠編程的64位唯一ROM識別號(ROM ID),它不僅是加密操作的基本輸入?yún)?shù),還可作為應(yīng)用中的電子序列號。

8. 通信接口

采用單觸點(diǎn)1 - Wire?總線進(jìn)行通信,最高通信速度可達(dá)76.9kbps,遵循1 - Wire協(xié)議,在多設(shè)備1 - Wire網(wǎng)絡(luò)中,ROM ID可作為節(jié)點(diǎn)地址。

9. 工作范圍與保護(hù)

工作電壓范圍為3.3V ±10%,工作溫度范圍為 - 40oC至 + 85oC,IO引腳具有±8kV HBM ESD保護(hù)(典型值),保證了芯片在不同環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。

10. 封裝形式

提供8引腳TDFN和6引腳TSOC兩種封裝形式,方便不同應(yīng)用場景的選擇。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

1. 耗材認(rèn)證

在打印機(jī)墨盒、醫(yī)療耗材等領(lǐng)域,DS28E35可用于驗(yàn)證耗材的真實(shí)性,防止假冒偽劣產(chǎn)品的使用。

2. 外設(shè)認(rèn)證

確保主機(jī)與周邊設(shè)備之間的通信安全,防止非法設(shè)備接入系統(tǒng)。

3. 醫(yī)療傳感器

為醫(yī)療傳感器提供安全認(rèn)證,保障醫(yī)療數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和安全性。

4. 打印機(jī)墨盒識別與認(rèn)證

準(zhǔn)確識別打印機(jī)墨盒,并驗(yàn)證其合法性,確保打印機(jī)的正常運(yùn)行。

四、技術(shù)參數(shù)

1. 絕對最大額定值

  • 存儲溫度范圍: - 55°C至 + 125°C
  • 引腳焊接溫度(10s): + 300°C
  • 回流焊接溫度: + 260°C

2. 封裝熱特性

  • TSOC封裝:結(jié)到環(huán)境熱阻(θJA)為126.7°C/W,結(jié)到外殼熱阻(θJC)為37°C/W
  • TDFN封裝:結(jié)到環(huán)境熱阻(θJA)為60°C/W,結(jié)到外殼熱阻(θJC)為11°C/W

3. 電氣特性

IO引腳通用數(shù)據(jù)

  • 1 - Wire上拉電壓(VPUP):2.97 - 3.63V
  • 1 - Wire上拉電阻(RPUP):300 - 1500Ω
  • 輸入電容(CIO):1500pF
  • 輸入負(fù)載電流(IL):5 - 50μA
  • 高到低切換閾值(VTL):0.65 x VPUP V
  • 輸入低電壓(VIL):0.3V
  • 低到高切換閾值(VTH):0.75 x VPUP V
  • 切換滯后(VHY):0.3V
  • 輸出低電壓(VOL):IOL = 4mA時為0.4V
  • 恢復(fù)時間(tREC):RPUP = 1500Ω時為5μs
  • 時間槽持續(xù)時間(tSLOT):13μs

EEPROM參數(shù)

  • 編程電流(IPROG):VPUP = 3.63V時典型值為1mA
  • 編程時間單位(tPROG):參考完整數(shù)據(jù)手冊
  • 寫/擦除循環(huán)耐久性(NCY):TA = + 85oC時最小為100k次
  • 數(shù)據(jù)保留時間(tDR):TA = + 85oC時最小為10年

ECDSA引擎參數(shù)

  • 計(jì)算電流(IECE):具體值參考完整數(shù)據(jù)手冊
  • 密鑰對計(jì)算時間(tGKP):參考完整數(shù)據(jù)手冊
  • 簽名計(jì)算時間(tGPS):參考完整數(shù)據(jù)手冊

五、引腳配置

DS28E35提供TSOC和TDFN - EP兩種封裝,引腳功能如下: 封裝 引腳 名稱 功能
TSOC 1 GND 接地參考
TSOC 2 10 1 - Wire總線接口,開漏信號,需外部上拉電阻
TSOC 3 - 6 N.C. 未連接
TDFN - EP 2 GND 接地參考
TDFN - EP 1 10 1 - Wire總線接口,開漏信號,需外部上拉電阻
TDFN - EP 3 - 8 N.C. 未連接
TDFN - EP EP EP 暴露焊盤,均勻焊接到電路板接地平面以確保正常工作

六、訂購信息

DS28E35提供不同的封裝和溫度范圍選擇,具體信息如下: 型號 溫度范圍 引腳 - 封裝 包裝數(shù)量
DS28E35Q + T** - 40oC至 + 85oC 8 TDFN - EP* 2.5k pcs
DS28E35P + - 40oC至 + 85oC 6 TSOC -
DS28E35P + T - 40oC至 + 85oC 6 TSOC 4k pcs

七、總結(jié)

DS28E35以其強(qiáng)大的安全功能、豐富的特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,為電子設(shè)備的安全認(rèn)證提供了可靠的解決方案。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,工程師們可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求,充分利用DS28E35的各項(xiàng)特性,確保設(shè)備的安全性和穩(wěn)定性。大家在使用過程中,是否遇到過類似芯片在實(shí)際應(yīng)用中的挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

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