安森美NVMFD6H840NL雙N溝道MOSFET的特性與應(yīng)用分析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其性能直接影響著整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天我們就來深入探討安森美（onsemi）推出的NVMFD6H840NL雙N溝道MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特之處。

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產(chǎn)品概述

NVMFD6H840NL是一款80V、6.9mΩ、74A的雙N溝道MOSFET，專為緊湊型設(shè)計(jì)而打造，采用了5x6mm的小尺寸封裝，能有效節(jié)省電路板空間。該器件具有低導(dǎo)通電阻（(R{DS(on)})）和低柵極電荷（(Q{G})）及電容，可分別降低傳導(dǎo)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗。此外，還有NVMFD6H840NLWF版本提供可焊側(cè)翼選項(xiàng)，便于進(jìn)行光學(xué)檢測。它通過了AEC - Q101認(rèn)證，具備PPAP能力，并且符合無鉛和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

主要參數(shù)與特性

最大額定值

在(T_{J}=25^{circ}C)的條件下，該MOSFET的各項(xiàng)最大額定值如下：

• 電壓參數(shù)：漏源電壓(V{DSS})為80V，柵源電壓(V{GS})為±20V。
• 電流參數(shù)：連續(xù)漏極電流在不同溫度下有所不同，(T{C}=25^{circ}C)時(shí)為74A，(T{C}=100^{circ}C)時(shí)為52A；脈沖漏極電流(I{DM})在(T{A}=25^{circ}C)、(t{p}=10mu s)時(shí)為336A；源極電流（體二極管）(I{S})為75A。
• 功率參數(shù)：功率耗散在不同散熱條件下也有差異，(T{C}=25^{circ}C)時(shí)為90W，(T{C}=100^{circ}C)時(shí)為45W；(T{A}=25^{circ}C)時(shí)為3.1W，(T{A}=100^{circ}C)時(shí)為1.5W。
• 溫度范圍：工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍為(-55^{circ}C)至(+175^{circ}C)。

電氣特性

• 關(guān)斷特性：漏源擊穿電壓(V{(BR)DSS})為80V，其溫度系數(shù)為45.9mV/°C；零柵壓漏極電流(I{DSS})在(T{J}=25^{circ}C)時(shí)為10μA，(T{J}=125^{circ}C)時(shí)為250μA；柵源泄漏電流(I{GSS})在(V{DS}=0V)、(V_{GS}=20V)時(shí)為100nA。
• 導(dǎo)通特性：柵極閾值電壓(V{GS(TH)})在(V{GS}=V{DS})、(I{D}=96A)時(shí)為1.2 - 2.0V，閾值溫度系數(shù)為 - 4.9mV/°C；漏源導(dǎo)通電阻(R{DS(on)})在(V{GS}=10V)、(I{D}=20A)時(shí)為5.7 - 6.9mΩ，在(V{GS}=4.5V)、(I{D}=20A)時(shí)為7.0 - 8.8mΩ；正向跨導(dǎo)(g{FS})在(V{DS}=5V)、(I{D}=20A)時(shí)為99S。
• 電荷、電容與柵極電阻：輸入電容(C{Iss})在(V{Gs}=0V)、(f = 1MHz)、(V{ps}=40V)時(shí)為2002pF，輸出電容(C{oss})為249pF，反向傳輸電容(C{RSS})為11pF；總柵極電荷(Q{G(TOT)})在(V{Gs}=10V)、(V{ps}=40V)、(I{p}=20A)時(shí)為32nC，在(V{s}=4.5V)、(V{ps}=40V)、(I{D}=20A)時(shí)為15nC；閾值柵極電荷(Q{G(TH)})為3.0nC，柵源電荷(Q{GS})為5.1nC，柵漏電荷(Q{GD})為5.3nC，平臺(tái)電壓(V{GP})為2.8V。
• 開關(guān)特性：在(V{GS}=4.5V)、(V{DS}=64V)、(I{D}=20A)、(R{G}=2.5Ω)的條件下，開啟延遲時(shí)間(t{d(ON)})為15ns，上升時(shí)間(t{r})為34ns，關(guān)斷延遲時(shí)間(t{d(OFF)})為52ns，下降時(shí)間(t{f})為22ns。
• 漏源二極管特性：正向二極管電壓(V{SD})在(T{J}=25^{circ}C)、(V{GS}=0V)、(I{S}=20A)時(shí)為0.8 - 1.2V，在(T{J}=125^{circ}C)時(shí)為0.7V；反向恢復(fù)時(shí)間(t{RR})為45ns，充電時(shí)間(t{a})為24ns，放電時(shí)間(t)為22ns，反向恢復(fù)電荷(Q_{RR})為50nC。

典型特性曲線

文檔中給出了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關(guān)系、電容變化、柵源與總電荷關(guān)系、電阻性開關(guān)時(shí)間與柵極電阻關(guān)系、二極管正向電壓與電流關(guān)系、安全工作區(qū)、最大額定正向偏置雪崩、最大漏極電流與時(shí)間關(guān)系以及熱響應(yīng)等曲線。這些曲線能幫助工程師更直觀地了解該MOSFET在不同工作條件下的性能表現(xiàn)，從而更好地進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和優(yōu)化。

封裝與訂購信息

該MOSFET采用DFN8 5x6（SO8FL）封裝，有兩種型號(hào)可供選擇：

• NVMFD6H840NLT1G，標(biāo)記為6H840L，采用無鉛封裝，每盤1500個(gè)。
• NVMFD6H840NLWFT1G，標(biāo)記為840LWF，為無鉛且?guī)Э珊競?cè)翼封裝，同樣每盤1500個(gè)。

總結(jié)與思考

NVMFD6H840NL雙N溝道MOSFET憑借其小尺寸、低損耗等特性，在功率電子設(shè)計(jì)中具有很大的優(yōu)勢。對于電子工程師來說，在選擇MOSFET時(shí)，需要綜合考慮其各項(xiàng)參數(shù)和特性，以滿足具體應(yīng)用的需求。比如，在設(shè)計(jì)高功率密度的電路時(shí)，低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷能有效提高電路效率；而在對空間要求較高的應(yīng)用中，小尺寸封裝則能節(jié)省寶貴的電路板空間。那么，在你的實(shí)際設(shè)計(jì)中，更看重MOSFET的哪些特性呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。