Onsemi NVMFD5C668NL雙N溝道MOSFET：緊湊設(shè)計(jì)與高性能的完美結(jié)合

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入了解一下Onsemi公司推出的NVMFD5C668NL雙N溝道MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特的特性和優(yōu)勢(shì)。

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產(chǎn)品特性

緊湊設(shè)計(jì)

NVMFD5C668NL采用了5x6 mm的小尺寸封裝，這種緊湊的設(shè)計(jì)非常適合對(duì)空間要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景，能夠幫助工程師在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多的功能。

低導(dǎo)通損耗

該MOSFET具有低 (R_{DS(on)})，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，它的電阻較小，能夠有效減少導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)的效率。

低驅(qū)動(dòng)損耗

低 (Q_{G}) 和電容使得驅(qū)動(dòng)該MOSFET所需的能量減少，從而降低了驅(qū)動(dòng)損耗，進(jìn)一步提高了系統(tǒng)的整體效率。

可焊?jìng)?cè)翼選項(xiàng)

NVMFD5C668NLWF提供了可焊?jìng)?cè)翼選項(xiàng)，這有助于增強(qiáng)光學(xué)檢測(cè)的效果，提高生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制。

汽車級(jí)認(rèn)證

該產(chǎn)品通過了AEC - Q101認(rèn)證，并且具備PPAP能力，適用于汽車電子等對(duì)可靠性要求較高的應(yīng)用領(lǐng)域。

環(huán)保合規(guī)

NVMFD5C668NL是無鉛產(chǎn)品，并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

熱阻參數(shù)

熱阻參數(shù)會(huì)受到整個(gè)應(yīng)用環(huán)境的影響，并非固定值，并且僅在特定條件下有效。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：(V{(BR)DSS}) 在 (V{GS} = 0 V)，(I_{D} = 250mu A) 時(shí)為60 V，溫度系數(shù)為28 mV/°C。
• 零柵壓漏極電流：(I{DSS}) 在 (V{GS} = 0 V)，(V{DS} = 60 V)，(T{J} = 25^{circ}C) 時(shí)為100 nA，(T_{J} = 125^{circ}C) 時(shí)為250 nA。
• 柵源泄漏電流：(I{GSS}) 在 (V{DS} = 0 V)，(V_{GS} = 20 V) 時(shí)為±1.2 μA。

導(dǎo)通特性

• 漏源導(dǎo)通電阻：典型值為6.5 mΩ。
• 正向跨導(dǎo)：典型值為61 S。

電荷、電容和柵極電阻

• 輸入電容：(C{ISS}) 在 (V{GS} = 0 V)，(f = 1 MHz)，(V_{DS} = 25 V) 時(shí)為1440 pF。
• 輸出電容：(C_{OSS}) 為800 pF。
• 反向傳輸電容：(C_{RSS}) 為14 pF。
• 總柵極電荷：(Q{G(TOT)}) 在 (V{GS} = 4.5 V)，(V{DS} = 48 V)，(I{D} = 20 A) 時(shí)為9.8 nC；在 (V{GS} = 10 V)，(V{DS} = 48 V)，(I_{D} = 20 A) 時(shí)為21.3 nC。
• 閾值柵極電荷：(Q_{G(TH)}) 為2.5 nC。
• 柵源電荷：(Q{GS}) 在 (V{GS} = 10 V)，(V{DS} = 48 V)，(I{D} = 20 A) 時(shí)為4.3 nC。
• 柵漏電荷：(Q_{GD}) 為2.1 nC。
• 平臺(tái)電壓：(V_{GP}) 為2.9 V。

開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時(shí)間：在 (I{D}=20 A)，(R{G}=1.0 Omega) 時(shí)為10 ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間：為22 ns。
• 下降時(shí)間：為40 ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓：(V{SD}) 在 (V{GS} = 0 V)，(I{S} = 20 A)，(T{J} = 25^{circ}C) 時(shí)為0.85 - 1.2 V，(T_{J} = 125^{circ}C) 時(shí)為0.73 V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間：(t_{RR}) 為42 ns。
• 充電時(shí)間：(t_{a}) 為20 ns。
• 放電時(shí)間：(t_) 為22 ns。
• 反向恢復(fù)電荷：(Q_{RR}) 為32 nC。

典型特性曲線

文檔中提供了多個(gè)典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關(guān)系、電容變化、柵源電壓與總電荷關(guān)系、電阻性開關(guān)時(shí)間隨柵極電阻變化、二極管正向電壓與電流關(guān)系、最大額定正向偏置安全工作區(qū)、峰值電流與雪崩時(shí)間關(guān)系以及熱特性等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解該MOSFET在不同條件下的性能表現(xiàn)。

訂購信息

總結(jié)

Onsemi的NVMFD5C668NL雙N溝道MOSFET憑借其緊湊的設(shè)計(jì)、低導(dǎo)通損耗、低驅(qū)動(dòng)損耗等特性，為電子工程師在設(shè)計(jì)高性能、高可靠性的功率電路時(shí)提供了一個(gè)優(yōu)秀的選擇。無論是在汽車電子、工業(yè)控制還是其他領(lǐng)域，該MOSFET都能夠發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)，幫助工程師實(shí)現(xiàn)更高效、更穩(wěn)定的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求，結(jié)合該MOSFET的各項(xiàng)參數(shù)和特性，合理選擇和使用。同時(shí)，也要注意其最大額定值和熱阻等參數(shù)，避免因超過極限值而導(dǎo)致器件損壞。大家在使用這款MOSFET的過程中，有沒有遇到過什么有趣的問題或者獨(dú)特的應(yīng)用場(chǎng)景呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。