安森美NVMFS5C628N：高性能N溝道MOSFET的卓越之選

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件，其性能直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天我們來深入了解安森美（onsemi）推出的NVMFS5C628N N溝道MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特的特性和優(yōu)勢。

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產(chǎn)品概述

NVMFS5C628N是一款耐壓60V、導(dǎo)通電阻低至3.0 mΩ、最大連續(xù)電流可達(dá)150A的N溝道MOSFET。它采用了5x6 mm的小尺寸封裝，非常適合緊湊型設(shè)計(jì)，能夠在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。

產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻與低驅(qū)動(dòng)損耗

該MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)})，能夠有效降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。同時(shí)，低 (Q{G}) 和電容特性可以減少驅(qū)動(dòng)損耗，降低對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求，提高開關(guān)速度。

可焊側(cè)翼選項(xiàng)

NVMFS5C628NWF提供了可焊側(cè)翼選項(xiàng)，這一設(shè)計(jì)有助于增強(qiáng)光學(xué)檢測的效果，提高生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制和可靠性。

汽車級(jí)認(rèn)證

該產(chǎn)品通過了AEC - Q101認(rèn)證，并且具備PPAP能力，適用于汽車電子等對(duì)可靠性要求極高的應(yīng)用場景。此外，它還符合無鉛和RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

主要參數(shù)

最大額定值

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：(V{(BR)DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(I = 250 mu A) 時(shí)，典型值為60V。
• 漏源擊穿電壓溫度系數(shù)：22 mV/°C。
• 零柵壓漏極電流：(I{DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(V_{DS}=60V)，(T = 25^{circ}C) 時(shí)，最大值為10 (mu A)；(T = 125^{circ}C) 時(shí)，最大值為250 (mu A)。
• 柵源泄漏電流：(I{GSS}) 在 (V{DS}=0V)，(V_{GS}=20V) 時(shí)，最大值為100 nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓：(V{GS(TH)}) 在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=135 A) 時(shí)，最小值為2.0V，最大值為4.0V。
• 閾值溫度系數(shù)： - 7.7 mV/°C。
• 漏源導(dǎo)通電阻：(R{DS(on)}) 在 (V{GS}=10V)，(I_{D}=27 A) 時(shí)，典型值為2.3 mΩ，最大值為3.0 mΩ。
• 正向跨導(dǎo)：(g{FS}) 在 (V{DS}=15V)，(I_{D}=27 A) 時(shí)，典型值為110 S。
• 柵極電阻：(R{G}) 在 (T{A}=25^{circ}C) 時(shí)，典型值為1.0 Ω。

電荷和電容特性

• 輸入電容：(C{iss}) 在 (V{GS}=0V)，(f = 1 MHz)，(V_{DS}=30V) 時(shí)，典型值為2630 pF。
• 輸出電容：(C_{oss}) 典型值為1680 pF。
• 反向傳輸電容：(C_{RSS}) 典型值為13 pF。
• 總柵極電荷：(Q{G(TOT)}) 在 (V{GS}=10V)，(V{DS}=48 V)，(I{D}=27 A) 時(shí)，典型值為34 nC。
• 閾值柵極電荷：(Q_{G(TH)}) 典型值為8 nC。
• 柵源電荷：(Q_{GS}) 典型值為12.8 nC。
• 柵漏電荷：(Q_{GD}) 典型值為3.8 nC。
• 平臺(tái)電壓：(V_{GP}) 典型值為4.8 V。

開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時(shí)間：(t{d(ON)}) 在 (V{GS}=10V)，(V{DS}=48 V)，(I{D}=27 A)，(R_{G}=2.5 Ω) 時(shí)，典型值為16 ns。
• 上升時(shí)間：典型值為5.8 ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間：(t_{d(OFF)}) 典型值為25 ns。
• 下降時(shí)間：(t_{f}) 典型值為6.2 ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓：(V{SD}) 在 (T = 25^{circ}C)，(V{GS}=0V)，(I_{S}=27 A) 時(shí)，典型值為0.8V，最大值為1.2V；(T = 125^{circ}C) 時(shí)，典型值為0.67V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間：(t{RR}) 在 (V{GS}=0V)，(dI{S}/dt = 100 A/mu s)，(I{S}=14 A) 時(shí)，典型值為64 ns。
• 充電時(shí)間：(t_{a}) 典型值為32 ns。
• 放電時(shí)間：(t_) 典型值為32 ns。
• 反向恢復(fù)電荷：(Q_{RR}) 典型值為75 nC。

典型特性曲線

文檔中還給出了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關(guān)系、電容變化、柵源與總電荷關(guān)系、電阻性開關(guān)時(shí)間隨柵極電阻變化、二極管正向電壓與電流關(guān)系、最大額定正向偏置安全工作區(qū)、最大漏極電流與雪崩時(shí)間關(guān)系以及熱特性等。這些曲線可以幫助工程師更好地了解該MOSFET在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。

封裝與訂購信息

應(yīng)用建議

在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要根據(jù)具體的電路需求和工作條件，合理選擇該MOSFET的工作參數(shù)。例如，在設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí)，要考慮其導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度和散熱等因素，以確保系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運(yùn)行。同時(shí)，由于該產(chǎn)品通過了汽車級(jí)認(rèn)證，也非常適合用于汽車電子領(lǐng)域，如電動(dòng)車輛的電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等。

安森美NVMFS5C628N N溝道MOSFET以其卓越的性能和豐富的特性，為電子工程師提供了一個(gè)可靠的功率開關(guān)解決方案。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，大家可以根據(jù)具體需求充分發(fā)揮其優(yōu)勢，實(shí)現(xiàn)更高效、更穩(wěn)定的電路設(shè)計(jì)。你在使用MOSFET的過程中遇到過哪些問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。