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Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

電子工程師 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:工程師曾暄茗 ? 2018-11-03 11:02 ? 次閱讀
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支持電動和混合動力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用

Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補(bǔ)充,也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強(qiáng)有力補(bǔ)充。最終用戶將受益于更加緊湊節(jié)能的系統(tǒng)以及潛在更低的總體擁有成本。


碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000

碳化硅MOSFET技術(shù)帶來的高效性可為諸多要求嚴(yán)格的應(yīng)用提供多重優(yōu)勢,包括電動和混動汽車、數(shù)據(jù)中心及輔助電源。相比同類的Si IGBT,LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET可帶來一系列系統(tǒng)級優(yōu)化機(jī)會,包括提高效率、增加功率密度、降低冷卻要求以及降低系統(tǒng)級成本的可能性。

此外,相比市面上其他業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅MOSFET器件,Littelfuse碳化硅MOSFET可在各方面提供同等或更優(yōu)越的性能。碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000的典型應(yīng)用包括:

·太陽能逆變器
·開關(guān)模式和不間斷電源
·電機(jī)驅(qū)動器
·高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
·感應(yīng)加熱

“此產(chǎn)品可改善現(xiàn)有應(yīng)用,并且Littelfuse應(yīng)用支持網(wǎng)絡(luò)可促進(jìn)新的設(shè)計方案?!盠ittelfuse半導(dǎo)體事業(yè)部電源半導(dǎo)體全球產(chǎn)品營銷經(jīng)理Michael Ketterer表示。 “碳化硅MOSFET可為基于硅的傳統(tǒng)功率晶體管器件提供富有價值的替代選擇。相比同類IGBT,MOSFET器件結(jié)構(gòu)可減少每個周期的開關(guān)損耗并提高輕載效率。固有的材料特性讓碳化硅MOSFET能夠在阻斷電壓、特定導(dǎo)通電阻和結(jié)電容方面優(yōu)于硅MOSFET?!?br />
新推出的1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封裝,具有以下關(guān)鍵優(yōu)勢:

·專為高頻、高效應(yīng)用優(yōu)化
·極低柵極電荷和輸出電容
·低柵極電阻,適用于高頻開關(guān)

供貨情況

LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET采用450只裝TO-247-3L管式封裝。您可通過全球各地的Littelfuse授權(quán)經(jīng)銷商索取樣品。如需了解Littelfuse授權(quán)經(jīng)銷商名錄,請訪問littelfuse.com。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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