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曝高通正研發(fā)一種新的快充技術(shù) 最高功率可達32W

454398 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:工程師吳畏 ? 2018-10-30 10:00 ? 次閱讀
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眾所周知,這兩年隨著科技的進步和發(fā)展,手機硬件配置和性能也在逐年的升級和增長。但是性能是上去了,我們的手機電池容量卻沒有相應(yīng)變大。因此,為了解決這一矛盾,有越來越多的廠商開始在他們的產(chǎn)品中加入快充功能。

高通Quick Charge快充技術(shù)(以下簡稱QC)是目前市面上采用的較多的一種快充技術(shù),QC 4.0+快充技術(shù)已經(jīng)在高通驍龍660/670/710/845移動平臺上得到廣泛使用。而近期在香港舉行的高通4G/5G峰會上傳出的最新消息顯示,高通正在致力于開發(fā)一種新的快充技術(shù)(以下擬稱QC 5.0),預(yù)計這種技術(shù)將支持32W有線快充,15W無線快充。

目前的高通QC 4.0+快充技術(shù)僅支持最高18W有線快充,雖然這個技術(shù)暫時也能滿足大多數(shù)人的使用需求了,但是相較于華為最高40W的超級快充技術(shù),OPPO最高50W的Super VOOC充電技術(shù)和魅族最高55W的mCharge快充技術(shù),真的可以說是小巫見大巫了,懸殊的對比迫使高通不得不盡快升級他們自家的QC快充技術(shù)。

目前的QC 4.0+技術(shù)將電流分為兩條路徑進行充電,這樣就有效的避免了手機快充過程中的發(fā)熱現(xiàn)象。但是QC 5.0相比于前代QC 4.0+功率翻了一番,達到了32W,因此高通計劃在這項技術(shù)上采用三次充電(Triple Charge)的方式,將電流分為三個路徑進行充電,以此應(yīng)對大功率充電帶來的設(shè)備發(fā)熱問題。據(jù)悉,這項技術(shù)將于明年與高通Snapdragon 8150/855一起亮相。

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