近日，華潤微電子有限公司（“華潤微電子”）旗下的華潤上華科技有限公司（以下簡稱“華潤上華”）宣布，公司已成功開發(fā)出第三代0.18微米BCD工藝平臺。新一代BCD工藝平臺在降低導通電阻的同時，提升了器件的可靠性，降低了工藝成本，可覆蓋7V-40V的寬工作電壓范圍，為電源管理IC的設計提供了有競爭力的工藝方案。

華潤上華第三代0.18微米BCD工藝基于大量的仿真和流片數(shù)據(jù)，對高壓器件結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化，將綜合性能做到業(yè)界領(lǐng)先水平。其中30V nLDMOS的擊穿電壓達到50V，導通電阻僅為 15 mohm*mm^2，相比第二代0.18微米BCD工藝在品質(zhì)因子 （Ron*Qg）指標上優(yōu)化25%。新一代BCD工藝平臺提供了BJT、Poly電阻、Zener、SBD等種類豐富的寄生器件，以及針對不同工作電壓的ESD保護方案。目前已有手機、安防監(jiān)控、消費電子等多個領(lǐng)域的客戶在該平臺導入產(chǎn)品，器件性能得到國內(nèi)外多家客戶的一致認可。

作為國內(nèi)領(lǐng)先的模擬晶圓代工廠，華潤上華在BCD工藝平臺上已耕耘多年，具有豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗，從6英寸生產(chǎn)線到8英寸生產(chǎn)線，從1μm延伸至0.18μm，在各個節(jié)點上可滿足客戶對電源管理芯片設計的全方位需求。

華潤上華市場銷售副總經(jīng)理邵軍表示：“我們期待第三代0.18微米BCD工藝平臺能為客戶提供更高性價比的方案。未來，華潤上華還將持續(xù)精進，不斷提升BCD工藝平臺的競爭力，滿足客戶在電源管理芯片上的多種需求。”