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影馳名人堂極限內(nèi)存評(píng)測(cè) 超頻更穩(wěn)定性?xún)r(jià)比更高

454398 ? 作者:工程師吳畏 ? 2018-11-20 09:41 ? 次閱讀
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一、 前言:內(nèi)存供貨緊張 價(jià)格一漲再漲

自2016年年初開(kāi)始,內(nèi)存的價(jià)格就一路飆升,直到2017年年末才有所回落,但距離當(dāng)年的“白菜價(jià)”仍然有天壤之別。這次漲價(jià)在整個(gè)PC行業(yè)中都堪稱(chēng)史無(wú)前例,其主要原因還是歸咎于三星、海力士和鎂光三大內(nèi)存顆粒制造廠商的壟斷和控制。

如果說(shuō)NAND閃存漲價(jià)是因?yàn)?016年2D NAND轉(zhuǎn)向3D NAND的原因,那么DRAM漲價(jià)就完全是人為所致。近幾年來(lái),PC行業(yè)一直不景氣,廠商開(kāi)始減少DRAM的產(chǎn)量,而DRAM不單單是給內(nèi)存用,像手機(jī)、平板、服務(wù)器等設(shè)備也都需要,這就進(jìn)一步導(dǎo)致DRAM供貨緊張,價(jià)格自然開(kāi)始上漲。

為了更好的分析內(nèi)存價(jià)格走勢(shì),筆者查詢(xún)了某內(nèi)存品牌1年多時(shí)間以來(lái)的價(jià)格走向,上圖中是一條DDR4 2400MHz容量為8GB的內(nèi)存,在2016年年末價(jià)格普遍在400元上下,在2016年11月11日促銷(xiāo)期間價(jià)格跌至339元,此后內(nèi)存開(kāi)始一路飆升,在2017年11月12日達(dá)到頂峰969元,漲幅達(dá)到了驚人的285%。

有部分網(wǎng)友調(diào)表示,內(nèi)存的利潤(rùn)已經(jīng)遠(yuǎn)超黃金,此前入手的內(nèi)存不僅價(jià)格沒(méi)跌,反而出現(xiàn)大幅上漲,后悔沒(méi)有屯一波;而另一部分網(wǎng)友則表示不能愉快的吃雞了。

隨著內(nèi)存價(jià)格的飛漲,一方面有更多廠商進(jìn)入這一領(lǐng)域,試圖分一杯羹,而此前已經(jīng)在戰(zhàn)斗的則持續(xù)推出各種新品,保持吸引力。

近日,影馳就發(fā)布了最新款的HOF名人堂內(nèi)存“HOF Extreme”,堅(jiān)持標(biāo)志性的純白信仰和高端定位,設(shè)計(jì)和規(guī)格也更加強(qiáng)大。

二、 外觀:2毫米鋁制散熱馬甲 10層PCB設(shè)計(jì)

本次評(píng)測(cè)快科技拿到的是影馳名人堂系列采用AL6063鋁制金屬散熱片的高頻內(nèi)存,默認(rèn)主頻為3600MHz。

↑↑↑影馳名人堂內(nèi)存包裝正面

包裝正面中部是一個(gè)影馳名人堂的Logo,Logo下方是一排Hall Of Fame EXTREME英文字母,標(biāo)志著這是名人堂系列主打高性能的產(chǎn)品。左上角上是影馳的徽標(biāo),而底部標(biāo)注了內(nèi)存的默認(rèn)頻率、單條內(nèi)存的容量以及內(nèi)存的數(shù)量。

↑↑↑影馳名人堂內(nèi)存包裝背面

包裝背部對(duì)內(nèi)存的性能、用料、散熱進(jìn)行了簡(jiǎn)單的介紹,底部粘貼的標(biāo)簽上注明了此款內(nèi)存的默認(rèn)頻率、容量、默認(rèn)時(shí)序等詳細(xì)參數(shù),并注明了內(nèi)存采用三星B-DIE超頻DRAM與10層PCB設(shè)計(jì)。

↑↑↑影馳名人堂內(nèi)存正面

內(nèi)存正面覆蓋一塊厚度為2mm的鋁制散熱片,散熱片通過(guò)CNC精加工、電泳白上色、紫光雕刻等多種工藝打造而成,此外還雕刻有影馳名人堂的Logo以及極致性能的英文單詞。

↑↑↑影馳名人堂內(nèi)存背面

散熱片周?chē)?jīng)過(guò)倒角處理,并鑲嵌有金屬亮邊,左下角粘貼的標(biāo)簽上標(biāo)注了此款內(nèi)存為一塊DDR4-3600MHz高頻內(nèi)存,套裝規(guī)格為8GB×2,默認(rèn)時(shí)序?yàn)镃17-18-18-38,電壓為1.35V。

↑↑↑影馳名人堂內(nèi)存頂部

頂部印有一個(gè)GALAX(影馳)商標(biāo),兩邊是鋸齒狀的散熱鰭片。鋸齒狀的設(shè)計(jì)有助于增加內(nèi)存散熱表面積,提高散熱效率。

↑↑↑影馳名人堂內(nèi)存?zhèn)让?/p>

內(nèi)存的左側(cè)與右側(cè)除電路板上的少量不同外,在散熱片的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)上是一樣的,緊固螺絲被安放在內(nèi)存兩側(cè)的激光防偽標(biāo)簽下,不容易被發(fā)現(xiàn),與此前的GAMER III內(nèi)存的鉚釘式固定不同,此款內(nèi)存的螺絲為可拆卸式設(shè)計(jì)。

↑↑↑影馳名人堂內(nèi)存導(dǎo)熱貼片

擰下內(nèi)存兩端的緊固螺絲后就可以拆開(kāi)內(nèi)存散熱片。散熱片內(nèi)一側(cè)粘貼有導(dǎo)熱貼片,采用一整條設(shè)計(jì)而非單獨(dú)一個(gè)貼片對(duì)一個(gè)內(nèi)存顆粒,更有助于內(nèi)存顆粒導(dǎo)熱。

↑↑↑影馳名人堂內(nèi)存顆粒

PCB正面共焊接有8顆三星B-DIE超頻DRAM,每顆容量1GB共8GB,背面是固定內(nèi)存的膠墊,沒(méi)有焊接內(nèi)存顆粒。

↑↑↑影馳名人堂內(nèi)存顆粒

PCB為黑色設(shè)計(jì),PCB表面走線(xiàn)清晰工整,內(nèi)存顆粒上的蝕刻編碼清晰,周?chē)?a href="http://m.makelele.cn/tags/電容/" target="_blank">電容、電阻等貼片元件焊點(diǎn)飽滿(mǎn)。

↑↑↑影馳名人堂內(nèi)存顆粒

內(nèi)存顆粒上第二排至第三排蝕刻有一排編號(hào)K4A8G085WB-BCPB,通過(guò)三星閃存芯片網(wǎng)站查詢(xún)后發(fā)現(xiàn)這是一顆三星原廠內(nèi)存,默認(rèn)頻率為2133MHz,工作電壓為1.2V,工作溫度為0~85℃,目前正處于量產(chǎn)階段。

三、 性能測(cè)試:穩(wěn)定超頻4000MHz 綜合性能提升6.9%

為了確保內(nèi)存性能的完全發(fā)揮,本次測(cè)試平臺(tái)的處理器選用英特爾i7-8700K以及一套千元一體式水冷散熱器,以便維持處理器的高性能水準(zhǔn)。

本次測(cè)試共選用了6款測(cè)試軟件,分別是CPU-Z、AIDA64、Sandra、WinRAR、wPirme以及MemTest64,對(duì)內(nèi)存的讀、寫(xiě)、拷貝、穩(wěn)定性以及超頻前后性能提升幅度等多個(gè)方面進(jìn)行測(cè)試。

——CPU-Z_1.8.1.1

使用CPU-Z軟件可以查看CPU的信息。軟件使用十分簡(jiǎn)單,下載后直接點(diǎn)擊文件,就可以看到CPU 名稱(chēng)、廠商、內(nèi)核進(jìn)程、內(nèi)部和外部時(shí)鐘、局部時(shí)鐘監(jiān)測(cè)以及內(nèi)存等參數(shù)。

同時(shí)在該款軟件的測(cè)試分?jǐn)?shù)界面還提供了CPU性能測(cè)試功能,測(cè)試分為兩種模式:?jiǎn)尉€(xiàn)程/多線(xiàn)程,兩種模式分別對(duì)CPU的單線(xiàn)程和多線(xiàn)程進(jìn)行測(cè)試,然后給出相對(duì)應(yīng)的分?jǐn)?shù)作為參考。

↑↑↑CPU-Z超頻前(左)與超頻后(右)

內(nèi)存默認(rèn)實(shí)際頻率為1800MHz,等效頻率為3600MHz,時(shí)序?yàn)?7-18-18-38;超頻至4000MHz后實(shí)際頻率為2000MHz,時(shí)序依然為17-18-18-38,延遲沒(méi)有增加。

↑↑↑華碩主板BIOS中開(kāi)啟X.M.P設(shè)置

值得注意的是,要想獲得高頻內(nèi)存性能,需要在主板BIOS里開(kāi)啟X.M.P(Extreme Memory Profile,內(nèi)存認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn))設(shè)置,這樣內(nèi)存才能工作在默認(rèn)的3600MHz,否則只會(huì)以2133MHz的最低頻率運(yùn)行。

↑↑↑CPU-Z SPD信息

影馳名人堂內(nèi)存的SPD信息顯示默認(rèn)最大頻率為2133MHz,開(kāi)啟X.M.P設(shè)置后將會(huì)自動(dòng)提升至3600MHz。

——AIDA64

AIDA64是一個(gè)測(cè)試軟硬件系統(tǒng)信息的工具,前身是EVEREST。它能夠提供cpu、磁盤(pán)和內(nèi)存基準(zhǔn)。AIDA64提供了一個(gè)64位的基準(zhǔn)來(lái)對(duì)計(jì)算機(jī)處理各種數(shù)據(jù)任務(wù)的速度進(jìn)行衡量。內(nèi)存和緩存的基準(zhǔn)可用來(lái)分析系統(tǒng)的內(nèi)存帶寬和延遲,處理器的基準(zhǔn)利用MMX,3DNOW!和SSE指令。

↑↑↑AIDA64超頻前(左)與超頻后(右)

↑↑↑AIDA64內(nèi)存速度測(cè)試

影馳名人堂內(nèi)存在默認(rèn)的3600MHz狀態(tài)下,讀寫(xiě)速度分別為51308MB/s(讀?。?、53055MB/s(寫(xiě)入),拷貝速度為46187MB/s;超頻至4000MHz后,讀取性能提升最大為9.3%,寫(xiě)入性能其次為8.8%,拷貝性能為8%。

↑↑↑AIDA64內(nèi)存延遲測(cè)試

影馳名人堂內(nèi)存在默認(rèn)的3600MHz狀態(tài)下,延遲為43.9ns,超頻至4000MHz后延遲降低至42.1ns,降低幅度為4.1%。

——SiSoftware Sandra

SiSoftware Sandra是一套功能強(qiáng)大的系統(tǒng)分析評(píng)比工具,擁有超過(guò) 30 種以上的分析與測(cè)試模組。SiSoftware Sandra有CPU、Drives、CD-ROM/DVD、Memory 的 Benchmark 工具,可將分析結(jié)果報(bào)告列表存盤(pán)。

↑↑↑Sandra超頻前(左)與超頻后(右)

↑↑↑Sandra內(nèi)存速度測(cè)試

由于軟件的計(jì)算方式及測(cè)試內(nèi)容差異,因此在速度上可能與AIDA64測(cè)試值不一樣。

在默頻(3600MHz)情況下,內(nèi)存的浮點(diǎn)帶寬為33.48GB/s,整數(shù)帶寬為33.68GB/s,總體帶寬為33.58GB/s;超頻(4000MHz)后,浮點(diǎn)帶寬性能提升7.5%,整數(shù)帶寬性能提升7.4%,總體帶寬提升7.5%。

——WinRAR

WinRAR是目前最流行的一款解壓壓縮軟件,完美支持 ZIP 檔案,,同時(shí)它也內(nèi)置了性能基準(zhǔn)測(cè)試工具,用于監(jiān)測(cè)計(jì)算機(jī)處理器的壓縮/解壓縮能力。

↑↑↑WinRAR基準(zhǔn)測(cè)試

內(nèi)存默頻(3600MHz)下,WinRAR基準(zhǔn)測(cè)試成績(jī)?yōu)?1470KB/s,超頻至4000MHz后,WinRAR基準(zhǔn)測(cè)試成績(jī)?yōu)?2184KB/s,性能提升3.3%。

——wPrime

wPrime是一款通過(guò)算質(zhì)數(shù)來(lái)測(cè)試計(jì)算機(jī)運(yùn)算能力等的軟件(特別是并行能力),但與Super Pi只能支持單線(xiàn)程不同的是,wPrime最多可以支持十六個(gè)線(xiàn)程,也就是說(shuō)可以支持八核心處理器,并且測(cè)試多核心處理器性能時(shí)比Super Pi更準(zhǔn)確。

由于32M運(yùn)算量較小,不易得出內(nèi)存頻率變化對(duì)成績(jī)?cè)斐傻挠绊懀虼吮敬螠y(cè)試是在1024M運(yùn)算模式下得出的成績(jī)。

↑↑↑wPirme(1024M)耗時(shí)對(duì)比

為了減小因外部原因?qū)е碌恼`差,每種內(nèi)存頻率下測(cè)試3次取平均值,每次測(cè)試后間隔3分鐘,以免因處理器溫度過(guò)高影響下次測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。

內(nèi)存默頻(3600MHz)下,wPrime(1024M)測(cè)試成績(jī)?yōu)?06.462s,超頻至4000MHz后,wPrime(1024M)測(cè)試成績(jī)?yōu)?07.045s,性能下降0.5%,成績(jī)差異小于1%,可視為誤差,因此兩種內(nèi)存頻率下的測(cè)試成績(jī)可視為相同。

——MemTest64

TechPowerUp出品的MemTest64桌面版內(nèi)存檢測(cè)工具,跟之前的MemTest Pro不是一個(gè)公司的產(chǎn)品,經(jīng)測(cè)試來(lái)看MemTest64更先進(jìn),它不會(huì)因?yàn)閮?nèi)存比較大而分成幾個(gè)部分窗口來(lái)分別測(cè)試。

它可以一次性把所有內(nèi)存都檢測(cè)一遍,不管是4G還是64G都沒(méi)有任何問(wèn)題,直接在Win系統(tǒng)桌面下測(cè)試不用去DOS界面,支持32和64位系統(tǒng),支持Win XP/7/8/10以及WinPE。

↑↑↑MemTest64穩(wěn)定性測(cè)試

起初筆者選擇的是運(yùn)行1小時(shí)后停止測(cè)試,但測(cè)試到最后14分鐘時(shí)程序出現(xiàn)錯(cuò)誤,因此在第二次測(cè)試中選擇了測(cè)試循環(huán)次數(shù)的方法測(cè)試內(nèi)存的穩(wěn)定性。

在本次MemTest64測(cè)試中,選擇了10次循環(huán)測(cè)試,并勾選遇到內(nèi)存錯(cuò)誤時(shí)停止測(cè)試,慶幸的是本次測(cè)試沒(méi)有遇到程序錯(cuò)誤的問(wèn)題,內(nèi)存在4000MHz的頻率下完美通過(guò)10次循環(huán)測(cè)試。

測(cè)試共6款軟件9個(gè)項(xiàng)目,除去可視為誤差的wPrime的0.5%誤差外,還有8個(gè)項(xiàng)目測(cè)試成績(jī),綜合并取平均成績(jī)后得出超頻至4000MHz后性能提升幅度為6.9%。

四、 總結(jié):精選內(nèi)存顆粒 超頻更穩(wěn)定性?xún)r(jià)比更高

外觀:影馳名人堂內(nèi)存采用一貫的白色設(shè)計(jì)風(fēng)格,沒(méi)有RGB光污染,散熱馬甲主要采用金屬鋁制成,并在原有的鋁合金表面金屬處理工藝上,增加了CNC精加工、電泳白上色、紫光雕刻等多種先進(jìn)工藝。

相比市面上8層的PCB,此款內(nèi)存采用的是10層PCB設(shè)計(jì),在信號(hào)隔離、走線(xiàn)以及電氣性能方面要更加優(yōu)秀。此外,內(nèi)存的頂部采用鋸齒狀鰭片設(shè)計(jì),進(jìn)一步增大了內(nèi)存的散熱面積,帶來(lái)更低的溫度,為內(nèi)存在高頻下穩(wěn)定運(yùn)行提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

性能:影馳名人堂內(nèi)存選用的是三星B-DIE超頻DRAM IC,此款DRAM顆粒集高頻率、低時(shí)序、低電壓等多種優(yōu)點(diǎn)于一身,因此受到眾多高頻內(nèi)存廠商青睞,同時(shí)也是玩家們購(gòu)買(mǎi)高頻內(nèi)存首選的顆粒之一。

實(shí)際讀寫(xiě)性能測(cè)試方面,影馳名人堂內(nèi)存在默頻(3600MHz)下讀取速度達(dá)51308MB/s、寫(xiě)入速度達(dá)53055MB/s,超頻至4000MHz后讀寫(xiě)性能分別提升9.3%、8.8%,內(nèi)存綜合性能提升6.9%并且穩(wěn)定通過(guò)10次內(nèi)存循環(huán)測(cè)試。

售價(jià):近幾年內(nèi)存顆粒價(jià)格一漲再漲,內(nèi)存的價(jià)格自然也就水漲船高,按理說(shuō)買(mǎi)東西自然要等到便宜的時(shí)間再買(mǎi),但不巧的是隨著去年吃雞熱潮的襲來(lái),許多4GB內(nèi)存足以勝任的游戲配置放到《絕地求生》上根本行不通,直接出現(xiàn)進(jìn)不了游戲或內(nèi)存溢出的情況。

因此許多玩家開(kāi)始考慮加內(nèi)存,但是一看價(jià)格就懵了,主流的8GB DDR4-2400MHz內(nèi)存價(jià)格為750元左右,如果搭建雙通道16GB內(nèi)存則需要1500元左右,但是這僅僅是一套2400MHz的內(nèi)存,它的讀寫(xiě)速度一般在33703MB/s左右。

而影馳這套16GB名人堂3600MHz的內(nèi)存售價(jià)為1999元,讀取速度在56931MB/s左右,相比2400MHz的普條性能提升68.9%,而兩者的差價(jià)幅度為33.3%(500元),因此表面上看似影馳名人堂高頻內(nèi)存更貴,但實(shí)則性?xún)r(jià)比相對(duì)2400MHz的普條要高很多。

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    在嵌入式系統(tǒng)中,CW32 MCU的高頻率運(yùn)行能夠顯著提高系統(tǒng)的處理速度和響應(yīng)能力,但也伴隨著系統(tǒng)穩(wěn)定性問(wèn)題的挑戰(zhàn),特別是跑飛現(xiàn)象的出現(xiàn)。本文將深入探討CW32 MCU在高頻率運(yùn)行時(shí)的系統(tǒng)穩(wěn)定性
    發(fā)表于 12-04 08:04

    高精度壓力測(cè)量器:國(guó)產(chǎn)萬(wàn)分級(jí)精度零點(diǎn)穩(wěn)定性和滿(mǎn)量程穩(wěn)定性能應(yīng)用場(chǎng)景分析

    能做到萬(wàn)分級(jí)別(≤0.01% FS)零點(diǎn)與滿(mǎn)量程穩(wěn)定性的壓力傳感器,屬于 高精度壓力測(cè)量器件 ,核心適用于對(duì)壓力數(shù)據(jù)精度、長(zhǎng)期可靠性要求極高的場(chǎng)景,尤其能滿(mǎn)足 “長(zhǎng)期免校準(zhǔn)” 或 “關(guān)鍵參數(shù)不可偏差
    發(fā)表于 10-28 10:40

    如何保證合金電阻的穩(wěn)定性與精度?

    保證合金電阻的穩(wěn)定性與精度需從材料選擇、制造工藝、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、環(huán)境控制及測(cè)試驗(yàn)證等多維度綜合施策。以下從技術(shù)原理、關(guān)鍵措施及實(shí)際應(yīng)用三個(gè)層面展開(kāi)分析: 一、材料選擇:奠定穩(wěn)定性基礎(chǔ) 合金電阻的精度
    的頭像 發(fā)表于 10-27 15:29 ?567次閱讀
    如何保證合金電阻的<b class='flag-5'>穩(wěn)定性</b>與精度?

    三坐標(biāo)如何實(shí)現(xiàn)測(cè)量穩(wěn)定性的提升

    在三坐標(biāo)測(cè)量機(jī)的核心部件中,橫梁與Z軸材料的穩(wěn)定性對(duì)測(cè)量結(jié)果起著決定性作用。同一臺(tái)機(jī)器,不同的橫梁材料,儀器具有不同的穩(wěn)定性能。MizarGold采用的陶瓷橫梁其XRY角擺波動(dòng)始終穩(wěn)定
    的頭像 發(fā)表于 08-25 11:14 ?1267次閱讀
    三坐標(biāo)如何實(shí)現(xiàn)測(cè)量<b class='flag-5'>穩(wěn)定性</b>的提升

    厚聲電阻的長(zhǎng)期穩(wěn)定性如何?

    厚聲電阻的長(zhǎng)期穩(wěn)定性表現(xiàn)卓越,這主要得益于其高精度、穩(wěn)定的溫度系數(shù)(TCR)、耐高溫特性以及高質(zhì)量的材料和制造工藝 ,具體分析如下: 1、高精度與低偏差 :厚聲電阻的阻值精度通常在±1%以?xún)?nèi),高端
    的頭像 發(fā)表于 08-20 16:19 ?791次閱讀

    探究薄膜電容的溫度穩(wěn)定性,適應(yīng)復(fù)雜環(huán)境變化

    從-55℃延伸至125℃甚至更高。本文將深入分析薄膜電容溫度穩(wěn)定性的技術(shù)原理、材料選擇、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及實(shí)際應(yīng)用中的挑戰(zhàn)與解決方案。 ### 一、溫度對(duì)薄膜電容性能的影響機(jī)制 溫度變化主要通過(guò)三種途徑影響薄膜電容性能:介質(zhì)材料
    的頭像 發(fā)表于 08-11 17:08 ?1536次閱讀

    雙電機(jī)分布式驅(qū)動(dòng)汽車(chē)高速穩(wěn)定性機(jī)電耦合控制

    力矩,實(shí)現(xiàn)極限工況下的整車(chē)高速穩(wěn)定性控制。結(jié)果表明,采用機(jī)電耦合控制,除了可以實(shí)現(xiàn)兩側(cè)分布式驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的動(dòng)力耦合,起到增強(qiáng)車(chē)輛高速穩(wěn)定性的作用,還能夠協(xié)調(diào)兩側(cè)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的轉(zhuǎn)矩輸出,抑制驅(qū)動(dòng)力矩波動(dòng),降低電機(jī)
    發(fā)表于 06-18 16:37

    合金電阻穩(wěn)定性優(yōu)于其他材料的深度解析

    合金電阻作為一種采用特殊合金材料制成的電阻器件,以其卓越的穩(wěn)定性在眾多應(yīng)用中脫穎而出。本文將從材料特性、制造工藝以及應(yīng)用場(chǎng)景三個(gè)方面,深入解析合金電阻穩(wěn)定性優(yōu)于其他材料的原因。 合金電阻的核心優(yōu)勢(shì)
    的頭像 發(fā)表于 06-05 15:02 ?877次閱讀

    頻率穩(wěn)定性的技術(shù)解析

    頻率穩(wěn)定性?指信號(hào)源(包括振蕩器、時(shí)鐘源、射頻發(fā)射機(jī)等)在時(shí)間、環(huán)境或外部干擾下維持輸出頻率恒定的能力,其核心在于量化頻率的波動(dòng)范圍及系統(tǒng)抗干擾性能。 一、基礎(chǔ)定義? 短期穩(wěn)定性? 時(shí)間跨度?:毫秒
    的頭像 發(fā)表于 04-10 15:18 ?1829次閱讀
    頻率<b class='flag-5'>穩(wěn)定性</b>的技術(shù)解析