91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

存儲(chǔ)器三雄修正擴(kuò)產(chǎn)步伐 內(nèi)存“暴利”大勢(shì)已去?

MZjJ_DIGITIMES ? 來源:工程師曾暄茗 ? 2018-12-22 10:26 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

對(duì)于存儲(chǔ)器廠商而言,很難想象,冬天可以來得這么快。從2018年開始,NAND閃存價(jià)格已出現(xiàn)疲軟,并將持續(xù)到2019年,而DRAM內(nèi)存價(jià)格在第三季度也由漲轉(zhuǎn)跌,美國(guó)存儲(chǔ)器大廠美光公司也受此影響而進(jìn)行業(yè)務(wù)調(diào)整。

12月19日,美國(guó)存儲(chǔ)器大廠美光公司發(fā)布了截至11月29日的2019財(cái)年一季度財(cái)報(bào)。報(bào)告顯示,美光當(dāng)季營(yíng)收79.1億美元,同比增長(zhǎng)16%,環(huán)比下降6%;凈利潤(rùn)32.9億美元,同比增長(zhǎng)23%,環(huán)比下滑24%。然而,賺錢帶來的興奮卻無法抵御寒潮的來襲,美光指出其客戶“需求減弱”并且“近期可見度有限”。

美光預(yù)計(jì),2019年DRAM和NAND需求將減弱,因此下調(diào)了第二財(cái)季的營(yíng)收,預(yù)計(jì)為57億到63億美元之間,低于分析師預(yù)期的72.6億美元,美光股價(jià)在盤后下跌近9%。美光公司總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在此次財(cái)報(bào)會(huì)議上表示,“我們正采取果斷行動(dòng),包括大幅降低2019財(cái)年12.5億美元的資本開支”,以減少NAND 及DRAM產(chǎn)量維持價(jià)格。

由于擔(dān)心芯片需求環(huán)境可能進(jìn)一步惡化,并對(duì)利潤(rùn)施加更多壓力,投行 Needham 的分析師 Rajvindra Gill 將美光的評(píng)級(jí)從買入下調(diào)至持有,并表示“雖然我們對(duì)于在此估值水平下調(diào)降評(píng)級(jí)感到猶豫不決,但我們認(rèn)為整體需求環(huán)境至少在未來 6 個(gè)月內(nèi)仍將維持低迷,因此我們轉(zhuǎn)向觀望?!?/p>

對(duì)于美光而言,雖然已經(jīng)從2018年64.66美元股價(jià)高點(diǎn)下跌超過50%,但似乎還有一段路要走。

存儲(chǔ)三雄調(diào)整產(chǎn)能 因應(yīng)市場(chǎng)變局

調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布的《The McClean Report》報(bào)告指出,繼DRAM廠于2017年第4季之后,DRAM平均售價(jià)(以及隨后的市場(chǎng)增長(zhǎng))已經(jīng)處于或接近其峰值,DRAM產(chǎn)業(yè)可能將經(jīng)歷長(zhǎng)期間的景氣向下格局。

IC Insights表示,在過去兩年中DRAM 制造商一直處于接近滿載狀態(tài),2017年資本支出跳增81%,今年持續(xù)攀升40%,這導(dǎo)致DRAM 價(jià)格穩(wěn)步上升,并為供應(yīng)商帶來可觀的利潤(rùn)。但是,這種情況預(yù)計(jì)未來供給將淹沒市場(chǎng),為價(jià)格趨緩的先期指標(biāo)之一,而這將使得“冬天”恐達(dá)2年之久。

面對(duì)著內(nèi)存市場(chǎng)的寒冬來臨,除了美光,三星與SK海力士也紛紛進(jìn)行業(yè)務(wù)調(diào)整,“彌補(bǔ)損失”。目前,這三者在DRAM產(chǎn)業(yè)的全球市場(chǎng)份額達(dá)到90%以上。

三星目前已經(jīng)削減了存儲(chǔ)芯片擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃以阻止價(jià)格進(jìn)一步下滑,其表示2018年DRAM內(nèi)存的產(chǎn)量位元增長(zhǎng)率(bit growth)將低于年初預(yù)測(cè)的20%,而NAND閃存的位元增長(zhǎng)率將為30%(此前預(yù)測(cè)為40%)。同時(shí),根據(jù)相關(guān)消息顯示,三星2019年的資本支出將下滑8%,其中DRAM內(nèi)存投資大砍20%。

另一邊,SK海力士在此前的2018Q3財(cái)報(bào)會(huì)議上亦表示,將調(diào)整在2019年第1季末開始量產(chǎn)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的M15工廠產(chǎn)能,以降低SK海力士對(duì)DRAM的依賴。而位于無錫的C2工廠,也將把原來2y(20nm)和2z(20nm)的DRAM生產(chǎn)制程,優(yōu)化成1xnm(10nm后期)的產(chǎn)品,以降低生產(chǎn)成本,并將在2019年第2季量產(chǎn)。至于,以生產(chǎn)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器為主的M11工廠,則將把2D NAND Flash轉(zhuǎn)換為生產(chǎn)3D NAND Flash,也是因?yàn)榫蜕a(chǎn)成本來進(jìn)行的考量。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    463

    文章

    54014

    瀏覽量

    466289
  • 存儲(chǔ)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    39

    文章

    7739

    瀏覽量

    171696

原文標(biāo)題:存儲(chǔ)器三雄修正擴(kuò)產(chǎn)步伐 內(nèi)存“暴利”好光景已逝?

文章出處:【微信號(hào):DIGITIMES,微信公眾號(hào):DIGITIMES】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)

    【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)某設(shè)計(jì),用戶接口數(shù)據(jù)傳輸速率為10Gbps,每8個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)一次查表需求,數(shù)據(jù)表存儲(chǔ)在由DDR4SDRAM組成的存儲(chǔ)器中。工程師需綜合考慮各方面要求,進(jìn)行
    的頭像 發(fā)表于 03-04 17:20 ?212次閱讀
    【案例5.1】<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>選型的考慮要點(diǎn)

    DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DDR2 SDRAM內(nèi)存解決方案

    在半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域,DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器始終是電子設(shè)備性能的核心支撐。作為存儲(chǔ)解決方案的重要組成部分,DDR2 SDRAM內(nèi)存解決方案憑借其高效的數(shù)據(jù)處理能力和穩(wěn)定的運(yùn)行表現(xiàn),廣泛
    的頭像 發(fā)表于 02-28 16:31 ?525次閱讀

    莫仕12億AI擴(kuò)產(chǎn)落子?xùn)|莞

    當(dāng)AI服務(wù)的算力競(jìng)賽進(jìn)入白熱化,全球連接巨頭的產(chǎn)能布局也隨之加速。 2026年1月底,全球連接企業(yè)莫仕(Molex)與東莞石碣鎮(zhèn)達(dá)成共識(shí),將加速推進(jìn)一項(xiàng)高達(dá)12億元的擴(kuò)
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:03 ?125次閱讀
    莫仕12億AI<b class='flag-5'>擴(kuò)</b><b class='flag-5'>產(chǎn)</b>落子?xùn)|莞

    韓國(guó)芯片出口暴增134%,存儲(chǔ)巨頭加速擴(kuò)產(chǎn)背后的真實(shí)焦慮

    韓國(guó) 2 月芯片出口同比暴增 134%,星、SK 海力士股價(jià)創(chuàng)新高,但內(nèi)存芯片需求滿足率僅 60%,短缺加劇。核心因 AI 驅(qū)動(dòng)需求激增,供需剪刀差擴(kuò)大,巨頭加速擴(kuò)產(chǎn)卻難破時(shí)間差陷阱
    的頭像 發(fā)表于 02-24 13:15 ?287次閱讀

    FIFO存儲(chǔ)器的種類、IP配置及應(yīng)用

    FIRST IN FIRST OUT (先入先出)。顧名思義,F(xiàn)IFO是一個(gè)數(shù)據(jù)具有先進(jìn)先出的存儲(chǔ)器。
    的頭像 發(fā)表于 01-13 15:15 ?382次閱讀
    FIFO<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>的種類、IP配置及應(yīng)用

    瑞薩RA系列FSP庫(kù)開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南之常用存儲(chǔ)器介紹

    存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分。存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件,有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能?;镜?b class='flag-5'>存儲(chǔ)器種類見圖21_1。
    的頭像 發(fā)表于 01-12 06:21 ?7215次閱讀
    瑞薩RA系列FSP庫(kù)開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南之常用<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>介紹

    請(qǐng)問單片機(jī)程序存儲(chǔ)器64KB是外擴(kuò)的還是外擴(kuò)加內(nèi)部的呢?

    單片機(jī)程序存儲(chǔ)器64KB是外擴(kuò)的還是外擴(kuò)加內(nèi)部的呢?
    發(fā)表于 01-06 08:24

    DDR SDRAM是什么存儲(chǔ)器(雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器介紹)

    在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中,DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品,更憑借其高效傳輸機(jī)制,廣泛應(yīng)用于電腦、
    的頭像 發(fā)表于 12-08 15:20 ?1315次閱讀

    雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)原理

    在各類存儲(chǔ)設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重
    的頭像 發(fā)表于 11-25 14:28 ?556次閱讀

    芯源的片上存儲(chǔ)器介紹

    片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。 ●● 主 FLASH 存儲(chǔ)器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
    發(fā)表于 11-12 07:34

    spi psram偽靜態(tài)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是什么

    PSRAM之所以被稱為"偽靜態(tài)"存儲(chǔ)器,主要是因?yàn)槠洳捎妙怱RAM的接口協(xié)議:只需要提供地址和讀寫命令就可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存取,無需像傳統(tǒng)DRAM一樣需要內(nèi)存控制定期刷新數(shù)據(jù)單元。
    的頭像 發(fā)表于 10-23 14:29 ?417次閱讀

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)高帶寬存儲(chǔ)器

    HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器,是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。其核心設(shè)計(jì)是通過硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
    的頭像 發(fā)表于 07-18 14:30 ?4405次閱讀

    MCU存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)解析

    ? ? ? ?MCU的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)通過整合不同性能與功能的存儲(chǔ)單元,優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場(chǎng)景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次: 一、寄存層(最高速) 定位?:集成于CPU內(nèi)核中,直接參與運(yùn)算
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:21 ?797次閱讀

    半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試圖形技術(shù)解析

    在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試中,測(cè)試圖形(Test Pattern)是檢測(cè)故障、驗(yàn)證可靠性的核心工具。根據(jù)測(cè)試序列長(zhǎng)度與存儲(chǔ)單元數(shù)N的關(guān)系,測(cè)試圖形可分為N型、N2型和N3/?型大類。
    的頭像 發(fā)表于 05-07 09:33 ?1604次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>測(cè)試圖形技術(shù)解析

    CYPD3177-24LQXQT是否實(shí)現(xiàn)內(nèi)部存儲(chǔ)器?

    CYPD3177-24LQXQT 是否實(shí)現(xiàn)內(nèi)部存儲(chǔ)器?(例如 內(nèi)存)? BCR 數(shù)據(jù)表中似乎沒有提及這一點(diǎn)。
    發(fā)表于 05-07 07:23