Gyrfalcon Technology（位于加利福尼亞州米爾皮塔斯）是一家初創(chuàng)公司，它推出了兩款機(jī)器學(xué)習(xí)處理器- Lightspeeur 2801S和2803 ASIC，它們都擁有非易失性存儲(chǔ)器選項(xiàng)。

Gyrfalcon的首席科學(xué)家Lin Yang在接受電話采訪時(shí)告訴eeNews Europe，該公司的業(yè)務(wù)可能會(huì)在幾年內(nèi)延伸到機(jī)器學(xué)習(xí)處理器的模擬或混合信號(hào)的實(shí)現(xiàn)。

Gyrfalcon成立于2017年，已經(jīng)開(kāi)始向客戶提供數(shù)字ASIC，芯片編號(hào)中的28表示用于芯片的制造工藝節(jié)點(diǎn)。

2802將是2801/2803的非易失性存儲(chǔ)器版本，采用TSMC的嵌入式磁性RAM制造工藝制造。Lin Yang 說(shuō)：“這是目前世界上最先進(jìn)的MRAM技術(shù)”。

目前尚不清楚Gyrfalcon是否利用MRAM的非易失性來(lái)增強(qiáng)功能或利用MRAM面積小的優(yōu)點(diǎn)來(lái)增加內(nèi)存預(yù)算。2801和2803芯片基本相同，但在2803中有一些額外的電路，以支持多芯片陣列，以用于數(shù)據(jù)中心的PCIe卡。

Gyrfalcon是臺(tái)積電嵌入式MRAM的早期采用者之一。

在嵌入式MRAM供貨方面，臺(tái)積電已落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Globalfoundries和三星。但去年其表示將在2018年為SoC提供嵌入式MRAM作為非易失性存儲(chǔ)器選項(xiàng)。

三星和Globalfoundries已分別在28納米CMOS和22納米FDSOI工藝上提供eMRAM，但有可能會(huì)被臺(tái)積電超越，其計(jì)劃在2019年提供ReRAM非易失性存儲(chǔ)器，然后將嵌入式MRAM和嵌入式ReRAM移至22nm FinFET工藝上。

Gyrfalcon還有超越數(shù)字處理器的雄心。