為了減低近期存儲器降價帶來的沖擊，全球存儲器龍頭三星逐漸強化晶圓代工業(yè)務(wù)，希望有機會進一步拉近與臺積電的差距。在先進制程的發(fā)展方面，根據(jù)三星高層表示，將在 2019 下半年量產(chǎn)內(nèi)含 EUV技術(shù)的 7 納米制程，而 2021 年量產(chǎn)更先進的 3 納米 GAA 制程。

根據(jù)國外科技網(wǎng)站《Tomshardware》報導，三星晶圓代工業(yè)務(wù)市場副總 Ryan Sanghyun Lee 表示，三星從 2002 年一直在開發(fā)硅納米線金屬氧化物半導體場效晶體管（Gate-All-Around；GAA ）技術(shù)，也就是透過使用納米設(shè)備制造 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET），可顯著提升晶體管性能。三星準備在 2021 年量產(chǎn) 3 納米 GAA 制程。

報導進一步表示，關(guān)于三星 3 納米 GAA 制程何時進入量產(chǎn)，至今似乎并沒有統(tǒng)一說法。三星晶圓代工業(yè)務(wù)負責人 Eun Seung Jung于2018 年 12 月在 IEDM 會議就表示，三星已完成 3 納米制程技術(shù)性能驗證，進一步優(yōu)化制程后，目標是在 2020 年大規(guī)模量產(chǎn)。

不過 3 納米 GAA 制程不論 2020 年還是 2021 年量產(chǎn)，都還離現(xiàn)在都還有點遠。三星 2019 年主推的是內(nèi)含 EUV 技術(shù)的 7 納米制程，預計 2019 下半年量產(chǎn)。盡管三星 2018 年就已經(jīng)宣布內(nèi)含 EUV 技術(shù)的 7 納米制程能量產(chǎn)，實際上之前所說的量產(chǎn)只是風險試產(chǎn)，遠未達到規(guī)模量產(chǎn)的地步，2019 年底量產(chǎn)才有可能。

只是，在內(nèi)含 EUV 技術(shù)的 7 納米制程，臺積電之前也宣布將在 2019 年量產(chǎn)，看起來三星也沒有進度優(yōu)勢，目前僅能寄望在三星在內(nèi)含 EUV 技術(shù)的 7 納米制程有自己開發(fā)的光罩檢查工具，而在其他競爭對手還沒有類似的商業(yè)工具的情況下，能有更好的良率，以及更低的成本。因此 7 納米節(jié)點，三星現(xiàn)階段想要超前，似乎還需要一點運氣。