旗艦智能手機(jī)今年搭載10GB RAM規(guī)格可望成主流，然因市場觀望5G手機(jī)，行動DRAM需求估至少要到2020下半才能重返榮耀。

記憶體產(chǎn)業(yè)2019年上半展望低迷，DRAM價格從2018年下半進(jìn)入下坡后，業(yè)界認(rèn)為，2019年第1~第2季將持續(xù)呈現(xiàn)季跌雙位數(shù)的的幅度。

不過隨著2019年旗艦款手機(jī)規(guī)格戰(zhàn)持續(xù)開打，為了取得差異化，搭載10~20GB的Android高階機(jī)種將陸續(xù)問世，將可望為下半年旺季拉貨帶來沖刺動能，不過在2020年5G正式進(jìn)入商轉(zhuǎn)前，消費(fèi)者觀望5G手機(jī)心態(tài)濃厚，全年換機(jī)潮仍趨于保守。

2018年智能手機(jī)市場疲弱無力，不僅蘋果新機(jī)銷售表現(xiàn)低于預(yù)期，中國大陸智能手機(jī)市場也受到經(jīng)濟(jì)放緩、需求疲弱、市場飽和等影響，全年出貨規(guī)模約下滑15%，在市場低迷的競爭壓力下，各家手機(jī)品牌的競爭廝殺更為激烈，寡占趨勢將更趨集中，而陸廠力推高階旗艦款手機(jī)的搭載規(guī)格競賽依舊火力猛烈。

iPhone 歷代手機(jī)搭載RAM規(guī)格拉升有限，2018年推出的iPhone XS 與 XS Max僅有4GB RAM，iPhone X 與 XR 則搭載3GB RAM。相較之下，2018年已有多款A(yù)ndroid旗艦手機(jī)搭載8GB RAM，包括三星Galaxy Note 9、華碩ZenFone 5Z、OnePlus 6 等均推出 8GB RAM 版本。

至于先前曾傳出Oppo Find X將可能將成為全球首款擁有 10GB RAM的手機(jī)，雖然其規(guī)格仍落在8GB，但顯露出Android陣營積極拉升規(guī)格以力拼搶市的企圖。

業(yè)界指出，在2018年主流旗艦款紛紛上看至8GB，從年底開始發(fā)布的新款機(jī)種開始朝向10GB規(guī)格邁進(jìn)，包括黑鯊手機(jī)Halo、小米MIX 3、紅魔Mars、Vivo NEX等推出10G RAM版本。

而聯(lián)想(Lenovo)也為新機(jī)Z5 Pro GT提供了超大12GB RAM的款式，預(yù)料2019年起高階手機(jī)搭配 10GB RAM將蔚為風(fēng)潮，可望逐步成為市場主流。

近年來行動DRAM的需求快速暴增，重要動能之一來自于2016年下半起大陸手機(jī)品牌強(qiáng)勢崛起、且記憶體主流容量紛紛從2GB DRAM走向4GB，加上其他市場應(yīng)用需求擴(kuò)大，因而推動記憶體價格開始突飛猛進(jìn)。

直到2018年第4季正式由漲反轉(zhuǎn)跌價，產(chǎn)業(yè)供過于求問題擴(kuò)大，2019年部分品牌開始推出5G手機(jī)搶占市場先機(jī)，搭配10GB旗艦規(guī)格測試市場水溫，將可望為下一波行動DRAM市場帶來契機(jī)。

不過業(yè)界也坦言，依照目前智能型手機(jī)系統(tǒng)的需求，4GB已足夠負(fù)荷系統(tǒng)操作需求，大幅提升搭載容量未必能帶來顯著性能的改善，2019年智能手機(jī)仍缺乏令人耳目一新的殺手級應(yīng)用，市場買氣難以樂觀評估，且在2020年5G正式運(yùn)轉(zhuǎn)前，消費(fèi)者普遍抱持觀望心態(tài)，預(yù)料可望要等到2020年下半，屆時行動DRAM需求將可望再度重返榮耀。

隨著DRAM廠近期陸續(xù)宣布放緩2019年投資計畫，多半用于新制程轉(zhuǎn)換與良率提升，包括三星電子2019年DRAM投資金額將降至80億美元，其投片計畫是近年來最保守的一年，SK海力士也將2019年DRAM投資金額降至55億美元，美光也下修2019年資本支出至30億美元左右，其產(chǎn)能位元成長率目標(biāo)由原本預(yù)估的近20%下修至15%。

至于南亞科也減少2019年資本支出目標(biāo)，將較2018年縮水約5成的幅度，全年產(chǎn)能位元成長率約10%~15%，與2018年增加約4成的成長力道明顯縮減，對于2019年上半將保守因應(yīng)。

南亞科總經(jīng)理李培瑛也表示，雖然智能型手機(jī)市場在2018年第4季開始銷售情況不如預(yù)期，但手機(jī)廠為了進(jìn)行差異化，包括增加多鏡頭及加入人工智能(AI)功能等，都需要依賴DRAM規(guī)格升級，故看好2019年Android系統(tǒng)旗艦機(jī)種搭載容量將提高至10~12GB，預(yù)期2020年5G手機(jī)正式商轉(zhuǎn)將可刺激行動式DRAM成長動能。

來源：Digitimes