MSP430電容式觸控感應(yīng)的噪聲抗擾度和EMC挑戰(zhàn)
MSP430? 電容式觸控感應(yīng) MCU 采用 CapTIvate? 技術(shù)，可提供功耗最低的電容式觸控解決方案。憑借 1 至 64 個(gè)按鈕、滑塊、滾輪和接近度的支持以及潮濕、臟污和油膩的條件下的可靠性能，并通過金屬、玻璃、塑料和其他覆蓋層，TI 為您基于 MCU 的設(shè)計(jì)提供電容式觸控解決方案。
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發(fā)表于 01-04 09:31
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MSP430常用內(nèi)聯(lián)函數(shù)說明.docx》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 06-05 17:20
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MSP-FET430閃存仿真工具(FET)手冊(cè)
本手冊(cè)記錄了德州儀器MSP-FET430閃存仿真工具（FET）。FET是MSP430超低功耗微控制器的開發(fā)工具。這里描述了并行端口接口和USB接口這兩種可用接口。本手冊(cè)描述了FET的設(shè)置和操作，但
發(fā)表于 05-30 14:53
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。UCC21732-Q1 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。
輸入側(cè)采用 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離，支持高達(dá) 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 浪涌抗擾度和超過 40 年的隔離柵壽命，并提供
UCC21750 5.7kVrms ±10A，單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和吸收電流。
輸入側(cè)通過 SiO 與輸出側(cè)隔離~2~電容式隔離技術(shù)，支持高達(dá) 1.5 kV 的電壓~RMS~工作電壓，12.8 kV~PK~浪涌抗擾度超過 40 年隔離柵壽命，并提供低器件間
UCC21739-Q1 汽車級(jí) 3kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
。UCC21739-Q1 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和吸收電流。
輸入側(cè)采用 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離，支持高達(dá) 636VRMS 的工作電壓、6kVPK 浪涌抗擾度基本隔離，隔離柵壽命超過 40 年，并提供
UCC21732 5.7kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 2 級(jí)關(guān)斷功能，用于 IGBT/SiC FET數(shù)據(jù)手冊(cè)
高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。
輸入側(cè)采用 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離，支持高達(dá) 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 浪涌抗擾度和超過 40 年的隔離柵壽命，并提供低器件間偏斜、>150V/ns
UCC21755-Q1 具有主動(dòng)保護(hù)和隔離感應(yīng)功能的汽車類 ±10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
。UCC21755-Q1 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和吸收電流。
輸入側(cè)采用 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離，支持高達(dá) 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 浪涌抗擾度和超過 40 年的隔離柵壽命，并提
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發(fā)表于 03-25 06:58
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