如何使用Soatherm進(jìn)行MOSFET熱模型的設(shè)計(jì)
在高功率水平下，驗(yàn)證熱插拔設(shè)計(jì)是否不超過(guò)MOSFET的能力是一個(gè)挑戰(zhàn)。幸運(yùn)的是，熱行為和SOA可以在LTSPICE IV?等電路模擬器中建模。LTSPICE中包含的SoathermNMOS符號(hào)包含由線性技術(shù)開(kāi)發(fā)的MOSFET熱模型集合，以簡(jiǎn)化此任務(wù)。這些熱模型可用于驗(yàn)證MOSFET的最大模具溫度沒(méi)有超過(guò)，即使在斯普里托區(qū)域，允許電流在高漏源電壓下呈指數(shù)下降。理論上，Soatherm報(bào)告了MOSFET芯片上最熱點(diǎn)的溫度。Soatherm模型預(yù)測(cè)了MOSFET的溫度，而不影響電路模擬的電氣行為。本視頻介紹如何使用Soatherm
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發(fā)表于 01-26 07:46
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發(fā)表于 08-14 06:03
MOSFET熱阻參數(shù)解讀
MOSFET的熱阻（Rth）用來(lái)表征器件散熱的能力，即芯片在工作時(shí)內(nèi)部結(jié)產(chǎn)生的熱量沿著表面金屬及塑封料等材料向散熱器或者環(huán)境傳遞過(guò)程中所遇到的阻力，單位是℃/W，其值越小越好。
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發(fā)表于 04-22 13:29
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發(fā)表于 03-26 14:33
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