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嘉興科技城簽約引進砷化鎵集成電路項目 總投資達60億元

半導體動態(tài) ? 來源:工程師吳畏 ? 2019-05-13 16:20 ? 次閱讀
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日前,在首屆“南湖之春”國際經(jīng)貿(mào)洽談會上,南湖區(qū)簽約45個項目,總投資超200億元,其中包括砷化鎵集成電路項目。

報道稱,這次嘉興科技城簽約引進的砷化鎵集成電路項目是由嘉頤微電子和美國Duet Microelectronics投資,主要從事半導體微波集成電路和垂直腔面激光發(fā)射器研發(fā)制造,總投資60億元,用地100畝,預計年產(chǎn)值80億元、年稅收4億元以上。

據(jù)了解,該項目是這次活動會簽約額最大的項目,是南湖區(qū)根據(jù)產(chǎn)業(yè)導向,大力發(fā)展數(shù)字經(jīng)濟、招大引強的又一代表。今年1月,總投資110億元、年產(chǎn)480萬片中晶大硅片項目落戶南湖區(qū),如今已開工建設。

資料顯示,該項目的投資合作方Duet Microelectronics是一家射頻半導體解決方案提供商,另一投資方嘉頤微電子則暫未顯示更多的信息。

砷化鎵是化合物半導體主流產(chǎn)品之一,主要應用于微電子領域和光電子領域,是制作半導體發(fā)光二極管通信器件的關鍵襯底材料。目前國內(nèi)砷化鎵行業(yè)生產(chǎn)企業(yè)較少、產(chǎn)量不高,且大多以低端產(chǎn)品為主,該項目的簽約落地,有望加速國內(nèi)砷化鎵發(fā)展進程。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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