韓國三星電子于15日宣布在“Samsung Foundry Forum 2019 USA”上發(fā)布工藝設計套件（PDK）0.1版3nm Gate-All-Around（GAA）工藝“3GAE”。

與7 nm工藝相比，3GAE可將芯片面積減少高達45％，降低50％的功耗或實現(xiàn)35％的性能提升。基于GAA的過程節(jié)點有望用于下一代應用，如移動，網絡，汽車，AI和物聯(lián)網。

3GAE的特點是采用GAA的專利變體“MBCFET（多橋通道FET）”而不是傳統(tǒng)的GAA，該公司已經完成了測試車輛設計，并將專注于提高其性能和功率效率。

圖：晶體管結構的轉變

在傳統(tǒng)的GAA中，由于溝道是nm線的形式，因為溝道薄且小，所以難以傳遞更多的電流，并且必須設計諸如增加堆疊數(shù)量的措施。它使用通道結構來排列nm片，增加了柵極和溝道之間的接觸面積，并實現(xiàn)了電流的增加。

該公司聲稱它將徹底改變半導體行業(yè)，其中MBC FET已經小于4nm，并為第四次工業(yè)革命提供核心技術。

圖：結構

根據(jù)該公司發(fā)布的工藝路線圖，將使用極紫外（EUV）曝光技術制造4個7nm至4nm的FinFET工藝，然后使用EUV制造3nm GAA和MBCFET。而目前他們已經做到了！

該公司將在2019年下半年開始批量生產6nm工藝器件，同時完成4nm工藝的開發(fā)。5nm FinFET工藝的產品設計于2019年4月開發(fā)，也將于2019年下半年完成，并將于2020年上半年開始量產。開發(fā)28FDS，18FDS，1Gb容量的eMRAM也計劃于2019年完成。

圖：傳統(tǒng)的GAA和MBCFET