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室溫穩(wěn)定的二維鐵電材料

中科院半導(dǎo)體所 ? 來(lái)源:YXQ ? 2019-06-10 11:47 ? 次閱讀
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在最新出版的《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》2019年第6期上,北京大學(xué)物理學(xué)院戴倫教授介紹了一種室溫穩(wěn)定的二維鐵電材料α-In2Se3及其器件應(yīng)用。二維室溫鐵電薄膜具有穩(wěn)定的層狀結(jié)構(gòu)、原子級(jí)的厚度、弱層間耦合、電極化翻轉(zhuǎn)電壓低等優(yōu)點(diǎn),有望在探索二維鐵電性、發(fā)展低功耗器件應(yīng)用中發(fā)揮重要作用。原子級(jí)薄的α-In2Se3材料是一種新興的鐵電半導(dǎo)體,其具有耦合的面內(nèi)和面外鐵電性。目前已觀察到α-In2Se3的電極化在高達(dá)700K的溫度下依然穩(wěn)定。幾種基于少層α-In2Se3的原型器件也陸續(xù)報(bào)道,包括可切換的鐵電二極管和鐵電半導(dǎo)體晶體管。此外,人們通過(guò)將不同的二維材料集成到范德華(vdW)異質(zhì)結(jié)構(gòu)中還發(fā)展出多種新型器件。最近,研究表明鐵電體可以具有負(fù)電容。將室溫穩(wěn)定的鐵電α-In2Se3與其他二維半導(dǎo)體(例如MoS2)集成制備的負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以超越金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的理論極限,是一類(lèi)新型的高效電子器件。

作為具有自發(fā)電極化且其極化方向可通過(guò)外電場(chǎng)反轉(zhuǎn)的體系,鐵電材料在信息存儲(chǔ)、場(chǎng)效應(yīng)器件、感應(yīng)器件等諸多方面具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值。對(duì)傳統(tǒng)鐵電材料的研究主要集中在以鈣鈦礦氧化物為代表的材料體系。然而,當(dāng)將這類(lèi)鐵電材料通過(guò)表面外延生長(zhǎng)技術(shù)制成薄膜時(shí),由于退極化場(chǎng)的作用,其鐵電性在某一臨界厚度下多會(huì)消失。范德華類(lèi)層狀二維體系是近年來(lái)材料研究的熱點(diǎn)之一。自2004年首次實(shí)驗(yàn)成功得到單層石墨烯以來(lái),目前已有上百種新的二維材料被發(fā)現(xiàn)并在實(shí)驗(yàn)上合成,它們展現(xiàn)出十分豐富的物理與化學(xué)性質(zhì),為未來(lái)器件的進(jìn)一步微小化和柔性化提供了新的機(jī)遇和材料基礎(chǔ)。意外的是,在目前所有已知的二維材料中,尚欠缺具有垂直于二維面鐵電極化且單層結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的鐵電材料。究其原因,是形成垂直方向電極化所需的對(duì)稱(chēng)性破缺與材料的穩(wěn)定性存在內(nèi)稟矛盾。因此,在范德華類(lèi)二維材料體系中尋找具有垂直方向電極化且單層穩(wěn)定的二維鐵電材料是一個(gè)具有相當(dāng)挑戰(zhàn)性的科學(xué)難題。

針對(duì)這一挑戰(zhàn),該團(tuán)隊(duì)利用第一性原理計(jì)算方法,發(fā)現(xiàn)已在自然界存在的層狀材料In2Se3的單層即為一種同時(shí)具有面內(nèi)和面外極化的穩(wěn)定二維鐵電材料。對(duì)于該材料的結(jié)構(gòu),以往的實(shí)驗(yàn)研究已表明它的室溫相具有類(lèi)似于石墨的層狀結(jié)構(gòu),其中每五個(gè)原子層通過(guò)共價(jià)鍵組成穩(wěn)定的二維單元,不同單元之間通過(guò)弱的范德華相互作用相結(jié)合,因此該材料可以被剝離成很薄甚至單層的二維薄膜,但以往的研究對(duì)其單個(gè)二維單元內(nèi)原子的堆積結(jié)構(gòu)并不確定。該研究首先確定了單個(gè)二維單元的最穩(wěn)定結(jié)構(gòu)(如圖所示),并發(fā)現(xiàn)由于其原子層在垂直于二維面方向分布的不對(duì)稱(chēng)性,使其產(chǎn)生一個(gè)垂直于二維面的面外自發(fā)電極化,且其極化的方向可以通過(guò)靈巧的多原子協(xié)同運(yùn)動(dòng)進(jìn)行反轉(zhuǎn)。進(jìn)一步的計(jì)算表明,面外方向電極化的反轉(zhuǎn)所需要跨越的能量勢(shì)壘與常規(guī)鈣鈦礦鐵電材料相近,并且可以通過(guò)施加一個(gè)垂直方向的外電場(chǎng)進(jìn)一步降低相應(yīng)的能量勢(shì)壘、打破原本能量簡(jiǎn)并的兩個(gè)極化方向的平衡,驅(qū)動(dòng)體系向某一極化方向轉(zhuǎn)變。此外,由于該穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的單層在面內(nèi)不具有中心反演對(duì)稱(chēng)性,導(dǎo)致其同時(shí)存在面內(nèi)方向的自發(fā)鐵電極化,并且其極化的方向與面外極化的方向相互關(guān)聯(lián),以此有望實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)與極化方向的交叉耦合調(diào)控。在此發(fā)現(xiàn)的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步預(yù)言由與In2Se3同族元素組合而成的化合物,如果可以形成類(lèi)似的層狀結(jié)構(gòu),其鐵電相也將同樣成為穩(wěn)定的基態(tài)結(jié)構(gòu)。

此類(lèi)二維鐵電材料的發(fā)現(xiàn)有效拓展了二維材料家族的功能性,特別是為調(diào)控由多種二維材料組成的多層范德華二維異質(zhì)結(jié)體系的物性提供了新的空間。該研究也通過(guò)構(gòu)建二維鐵電材料與其它二維材料組成的雙層異質(zhì)結(jié)初步展示了其調(diào)控能力。如在In2Se3 與WSe2 構(gòu)成的異質(zhì)結(jié)中,通過(guò)外電場(chǎng)對(duì)In2Se3電極化方向的反轉(zhuǎn),可以實(shí)現(xiàn)體系從半導(dǎo)體性到近似金屬性的轉(zhuǎn)變(如圖所示);在In2Se3 與石墨烯構(gòu)成的異質(zhì)結(jié)中,通過(guò)In2Se3電極化方向的反轉(zhuǎn),可以改變界面間所形成的肖特基勢(shì)壘的高度。該類(lèi)新型材料更多的潛在應(yīng)用有待于進(jìn)一步探索與研究。

此項(xiàng)研究得到了國(guó)家千人計(jì)劃、國(guó)家自然基金委、科技部、中科院和教育部的資助。

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原文標(biāo)題:專(zhuān)家視點(diǎn) | 戴倫:室溫穩(wěn)定的二維鐵電材料

文章出處:【微信號(hào):bdtdsj,微信公眾號(hào):中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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