日前，據(jù)消息人士稱，合肥長鑫存儲為減少美國制裁威脅，已經(jīng)重新設計了DRAM芯片，以盡量減少對美國原產(chǎn)技術(shù)的使用。

近日，媒體報道稱合肥長鑫公司計劃在今年底量產(chǎn)首款內(nèi)存芯片，是8Gb LPDDR4顆粒，預計Q4季度產(chǎn)能約為2萬片晶圓/月，不過產(chǎn)能最終會擴大到12.5萬片晶圓/月。

在國內(nèi)布局的三大存儲芯片基地中，紫光旗下的長江存儲240億美元的投資主要是NAND閃存，DRAM內(nèi)存有福建晉華以及合肥長鑫，前者跟聯(lián)電合作，因為跟美光產(chǎn)生了專利糾紛被美國制裁，發(fā)展前景并不樂觀，那長鑫公司會不會面臨美國的打壓？

對于這個問題，合肥長鑫一開始也注意到了產(chǎn)權(quán)的問題，日經(jīng)新聞亞洲版日前報道稱合肥長鑫重新設計了DRAM內(nèi)存芯片，盡可能減少美國技術(shù)的使用。

不過在這方面，長鑫暫時還無法完全擺脫美國公司的限制，美國應用材料（Applied Materials）、Lam Research及科磊KLA-Tencor等公司生產(chǎn)的半導體制造設備、材料以Cadence和Synopsys等公司的EDA工具是全球半導體行業(yè)都繞不開的。

此前上海舉辦的GSA峰會上，長鑫存儲的董事長兼CEO朱一明發(fā)表了《中國存儲技術(shù)發(fā)展與解決方案》主題演講，其中就提到了長鑫DRAM內(nèi)存的技術(shù)來源。|中國半導體論壇公眾號|朱一明表示長鑫存儲通過與其合作，將一千多萬份有關DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)收歸囊中，這也是公司最初的技術(shù)來源之一。長鑫存儲在所接收技術(shù)和國際合作的基礎上，利用專用研發(fā)線，展開世界速度的快速迭代研發(fā)，已持續(xù)投入晶圓超過15000片。

根據(jù)長鑫公司之前公布的計劃，合肥長鑫的一廠廠房已經(jīng)于2018年1月建設完成，設備也開始安裝。根據(jù)計劃，長鑫將于2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產(chǎn)能將達到2萬片一個月。從2020年開始，公司則開始規(guī)劃二廠，2021年則完成17nn的研發(fā)。