受到美國商務部 5 月中祭出的華為禁令影響，第一時間宣布對華為停止供貨的美系存儲大廠美光（ Micron ）日前表示，經過嚴格審查，部分產品可以繞過出口管制條例和實體清單的限制，在過去兩周已經開始恢復對華為供貨，美光在投資人說明會中表示，如果沒有華為禁令的影響，美光財報表現可以更好。

不過，業(yè)界認為現階段的華為，以及整體產業(yè)局勢仍存在很大的不確定性，且美光只是小部分重啟對華為供貨，整個后續(xù)狀況仍需觀察，要保持審慎態(tài)度視之。

美國實體清單重挫美企，大家紛紛找對策應對

美國的實體清單和禁售令一出，幾乎所有美商都開始禁售華為，后續(xù)引發(fā)相當大的波瀾，多數外商都開始針對禁售一事與美國方面做溝通，希望對于商業(yè)影響降至最低。

外媒報道，近期微軟、英特爾等大廠都紛紛發(fā)聲，希望釋出誠意能和善解決此事件。其中，微軟做出的第一步，是表示將繼續(xù)對華為設備的客戶提供軟件更新，英特爾則表示持續(xù)對華為的終端用戶提供安全更新和驅動程序。

在 6 月 25 日的投資人說明會上，美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 表示，過去兩周已經部分恢復對華為的芯片供貨，主要是這些芯片產品并不在出口管制條例的范圍之內，也不受實體清單限制的影響。

不過，美光也強調，因為整個華為的狀況不確定性仍相當大，美光無法對供給華為的芯片數量作出保證，或是承諾能夠持續(xù)供貨多久。

日前日本軟銀集團創(chuàng)始人孫正義也表示，Arm 沒有停止與華為的合作關系，關鍵是貿易法的改變，讓 Arm 要花點時間調查一些相關限制和細節(jié)，如果符合低于 25% 技術含量的限制，仍是可以繼續(xù)供貨，不會受到影響。

從美光、 Arm 、微軟、英特爾等外企的態(tài)度可以看出，，以中國龐大的消費市場來看，

以美光為例， 2019 年上半年，華為占其整體營收的份額高達 13% ，這只是單一中國公司對美光營收的占比，若以整個國內市場的營收份額來看，對美光的占比將高達近 50% 。

存儲市場惡化，同步減產 DRAM 和 NAND Flash

在 25 日的投資人會議中，另一個更值得憂心的是存儲市場狀況，美光對存儲市場前景透露悲觀氣氛，同步減產 DRAM 和 NAND Flash 兩大存儲芯片。

其中，美光對于 DRAM 投片量維持減少 5% 的幅度，而 NAND Flash 投片量的減少幅度進一步擴大，從減產 5% 擴大至減產 10% ，更且計劃大砍 2020 年（ 2019 年Q4～2020 年Q3 ）的資本支出，極力將產業(yè)供需導向平衡。

美光旗下兩大業(yè)務為 DRAM 和 NAND Flash，在2019年第三季會計年度中， DRAM 營收份額約 64% ，環(huán)比下降 19% ，同比下降 45%，平均售價（ASP）環(huán)比減少高達 20% ，出貨環(huán)比持平。

在 NAND Flash 業(yè)務上，營收份額約 31% ，環(huán)比下降 18% ，同比下降 25% ， ASP 環(huán)比下滑減少 15% ，出貨環(huán)比則是下降 5%。

根據調研機構 TrendForce 統(tǒng)計，2019年智能手機和服務器的需求減緩，加上 CPU 缺貨仍對筆記本電腦的整體出貨略有影響， NAND Flash 應用如 eMMC 、 UFS 、 SSD 等產品第三季旺季出貨量恐不如預期，預計第三季 NAND Flash 合約價雖然跌幅將縮小，但基于庫存調整時間拉長，仍視為持續(xù)下跌格局，合約價不易反彈。

目前 NAND Flash 市場仍處于高端工藝技術迭代期，以移動設備為主流的 eMMC 和 UFS 芯片仍將以既有的 64 層和 72 層的 3D NAND 技術為主力工藝，而在 Client SSD 端則開始導入 92 層和 96 層的 3D NAND 芯片，協(xié)助成本持續(xù)下降。

根據美光的財報，公司認為兩大存儲芯片 DRAM 和 NAND Flash 都處于庫存調整期。其中，DRAM 客戶的庫存調整符合預期，加上公司一直在執(zhí)行技術迭代前進，驅動成本降低，美光目前持續(xù)提升 1y nm 的技術，預計在年底進入 1z nm 工藝技術世代，讓 DRAM 成本持續(xù)下降。

再者，美光預期 2019 年的 DRAM 位元成長率會增加 15% 左右，整個產業(yè)的成長率會高于 15% ，美光將繼續(xù)執(zhí)行 5% 的 DRAM 減產計劃，希望產業(yè)盡速恢復供需平衡。

在 NAND Flash 產品方面，美光已經進入 96 層 3D NAND 技術，有助于成本的下降，未來也將如期導入 128 層 3D NAND 技術。

NAND Flash 產業(yè)上一波高峰是由服務器的商機帶起，之前數據中心等云客戶一直處于庫存消化階段，美光也預期 2019 年 NAND Flash 需求將增長 35% ，而整個產業(yè)的位元成長率將超過 35% 。因此，未來追求更好的產業(yè)供需狀況，美光擴大 NAND Flash 減產幅度，從減產 5% 擴大減產至 10% 。

日前存儲產業(yè)出現一個插曲，日系存儲大廠東芝與西部數據在日本四日市合資的 12 寸 NAND Flash 產線，發(fā)生停電導致生產線停擺，并且出現晶圓報廢事件，市場一度解讀是否會因會該意外事故讓 NAND Flash 市場供需由供過于求轉為供給緊張。

東芝的重要合作伙伴群聯在第一時間表示，雖然無法評論東芝的狀況，但以群聯本身來看，庫存十分充足，可以支應 2 ~ 3 個月的接單需求，同時公司也與威騰、 SK 海力士、英特爾等存儲大廠有合作關系，不擔心后續(xù)供應問題。業(yè)界則認為，東芝該意外事件對于全球 NAND Flash 市場的供需影響不大。

根據過去經驗，半導體產業(yè)每一個波段的景氣循環(huán)，演變至產業(yè)谷底都會遇到砍支出、減產、清庫存等過程，以期待之后的供需回暖和價格回升。

這一波的景氣谷底起因是全球經濟因素、美國對華為實施的禁令等，美光等國際大廠已經在資本支出上做出保守動作，加上 DRAM 和 NAND Flash 同步減產，都是下猛藥救市場的動作。

美光已經表明，對華為實施禁售的政策，已經對公司營收造成減少，目前已經啟動恢復部分的出貨，但是之后的狀況仍不明朗，且變數很大?？梢灶A見，這一波景氣的谷底狀況其實更為復雜，經濟、政治等因素摻雜，全球科技業(yè)都等待著中美僵局能順利解決，恢復正常商業(yè)運作。