動態(tài)
-
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 21:43
C3M0021120K碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號：C3M0021120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V1.3k瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 21:30
C3M0021120D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號：C3M0021120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V388瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 21:24
C3M0016120K碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號：C3M0016120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V609瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 21:15
C3M0016120D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號：C3M0016120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V572瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 21:05
C3M0120100K碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號：C3M0120100K 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V501瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 20:57
C3M0120100J碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號：C3M0120100J 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V289瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 18:20
C3M0065100K碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號：C3M0065100K 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V737瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 14:45
CG2H40035F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板
產(chǎn)品型號：CG2H40035F-AMP 頻率：高達 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64%201瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 14:42
CG2H40035F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：CG2H40035F 頻率：高達 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64%218瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 14:36
CG2H40035P高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：CG2H40035P 頻率：高達 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64%298瀏覽量
