動態(tài)

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-21 11:41

  C3M0015065K碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號：C3M0015065K 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流，脈沖寬：418A

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-21 11:12

  C3M0015065D碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號：C3M0015065D 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流，脈沖寬：418A

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-20 11:44

  CG2H40025F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產(chǎn)品型號：CG2H40025F-AMP 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 17 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 15 dB 小信號增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-20 11:42

  CG2H40025P高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CG2H40025P 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 17 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 15 dB 小信號增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-20 11:40

  CG2H40025F高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CG2H40025F 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 17 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 15 dB 小信號增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-20 11:16

  CG2H30070F-AMP2高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產(chǎn)品型號：CG2H30070F-AMP2 應(yīng)用電路：0.5 – 3.0 GHz 應(yīng)用電路 功率：28 V 時 POUT 典型值為 85 W 增益：10分貝功率增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-20 11:13

  CG2H30070F高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CG2H30070F 應(yīng)用電路：0.5 – 3.0 GHz 應(yīng)用電路 功率：28 V 時 POUT 典型值為 85 W 增益：10分貝功率增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-20 10:14

  RADI-5.15-5.25-SMT-2WR-20W 隔離器RADITEK品牌現(xiàn)貨

  

  產(chǎn)品型號：RADI-5.15-5.25-SMT-2WR-20W 微帶：高度拋光,焊粘到毫米波 微帶插入式載波：兼容 fuji (fdk) 的 rdkf 2-30 ghz 微帶基板：直接安裝到機(jī)箱或電路板上

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-20 09:35

  CGH27015F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產(chǎn)品型號：CGH27015F-AMP 頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 功率：15 W 峰值功率能力 增益：14.5 dB 小信號增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-20 09:31

  CGH27015P高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGH27015P 頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 功率：15 W 峰值功率能力 增益：14.5 dB 小信號增益

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