動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-04-15 08:14

  管腳兼容的驅動集成電路在哪里？

  

  功率半導體IGBT、MOSFET以及SiC、GaN等都離不開驅動集成電路，以實現(xiàn)驅動、保護和隔離……電力電子技術在發(fā)展，功率器件對驅動的要求越來越高，這推動著驅動技術和產品的發(fā)展。例如：英飛凌DSO-8寬體封裝工業(yè)級的產品，最大規(guī)格做到了18A2300V；在英飛凌驅動系列產品中，還有一些嶄新的技術，譬如數(shù)字化可編程的芯片和壓擺率控制SRC的驅動器，提高了驅動

  MOSFET 集成電路 驅動

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• 發(fā)布了文章 2024-04-12 08:14

  英飛凌與現(xiàn)代重工韓國造船與海洋工程有限公司聯(lián)合開發(fā)船舶電氣化技術

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）與現(xiàn)代重工韓國造船與海洋工程有限公司（HDKSOE）簽署諒解備忘錄（MoU），這是雙方為了低碳節(jié)能，利用功率半導體技術聯(lián)合開發(fā)新興船用發(fā)動機和機械電氣化的第一步。HDKSOE的LH2運輸艦概念設計HDKSOE是船舶制造領域的先驅和全球領導者，致力于開發(fā)使用電力和氫能的環(huán)保低碳船舶技術。其將與

  半導體 電氣化 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-03-29 08:13

  MPPT常用拓撲原理與英飛凌實現(xiàn)方法

  

  MPPT（MaximumPowerPointTracking）是光伏逆變器系統(tǒng)實現(xiàn)最大程度利用太陽能的關鍵部分，不同的MPPT拓撲有各自的特點。本文將對比常見的三種MPPT電路，并對雙boost(DualBoost)的開關模式限制做了原理性分析，直觀解釋了DualBoost在MPPT中無法交錯開關。針對不同的電壓與電流等級，本文提供了英飛凌針對各種拓撲的參考

  MPPT 光伏逆變器 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-03-27 08:13

  英飛凌推出新型固態(tài)隔離器，切換速度更快，功耗降低高達70%

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）在美國國際電力電子應用展覽會（APEC）上推出全新固態(tài)隔離器產品系列。該系列可實現(xiàn)更快速、可靠的電路交換，并擁有廣電固態(tài)所不具備的保護功能。這些隔離器采用無磁芯變壓器技術，支持高20倍的能量傳輸?shù)耐瑫r，還具備了電流和溫度保護功能，實現(xiàn)更高的可靠性和更低的成本。這款方案，與目前使用的傳統(tǒng)的固態(tài)

  MOS 英飛凌 隔離器

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• 發(fā)布了文章 2024-03-26 08:13

  英飛凌1700V EconoDUAL™3 IGBT新產品及其在中高壓級聯(lián)變頻器和靜止無功發(fā)生器中的仿真研究

  

  本文提及的相關產品，均會在直播中出現(xiàn)掃描上方二維碼即可報名摘要：EconoDUAL3是一款經典的IGBT模塊封裝，其上一代的1700V系列產品已經廣泛應用于級聯(lián)型中高壓變頻器、靜止無功發(fā)生器（SVG）和風電變流器，覆蓋了中功率和一部分大功率的應用場合。隨著芯片技術的發(fā)展和市場對高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛凌已經基于最新的1700VIGBT7技術開發(fā)

  IGBT 變頻器 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-03-20 08:13

  英飛凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiCMOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上

  MOSFET 英飛凌 逆變器

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• 發(fā)布了文章 2024-03-15 08:13

  IGBT并聯(lián)應用均流控制技術綜述

  

  Zhang Gang

  IGBT 變流器 晶體管 電流

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• 發(fā)布了文章 2024-03-13 08:13

  160V半橋SOI半橋驅動器驅動100V MOSFET評估套件

  

  新品帶iMOTIONMADK的160V半橋SOI半橋驅動器驅動100VMOSFET評估套件用于電池供電應用(BPA)的EVAL-2ED2748S01GM1評估套件包括一塊三相逆變器功率板，該功率板帶有額定電壓為160V的2ED2748S01G（3x310引腳DFN封裝）半橋柵極驅動器，可驅動12個額定電壓為100V的OptiMOSMOSFETIPTC015N

  MOSFET SOI 半橋驅動器 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-03-12 08:13

  英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC™ MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統(tǒng)和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新的CoolSiCMOSFET650V和1200VGeneration2技術在確保質量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效

  MOSFET 碳化硅 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-03-07 08:13

  如何測量功率回路中的雜散電感

  

  本文支持快捷轉載影響IGBT和SiCMOSFET在系統(tǒng)中的動態(tài)特性有兩個非常重要的參數(shù)：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。功率電路寄生電感在哪里？圖1給出了半橋電路中不同位置寄生電感示意圖，主要包括三類：連接母排及功率回路中的寄生電感，IGBT模塊內部寄生

  MOSFET 功率電路 雜散電感

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