動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-06-03 14:15

  并行連接的SiC MOSFET可以帶來更多電力

  

  功率器件(如開關、電阻和MOSFET)的并聯(lián)連接旨在分擔功率，使設備能夠承受更大的功率。它們可以并聯(lián)連接，以增加輸出電流的容量。由于不受熱不穩(wěn)定性的影響，并聯(lián)連接通常比其他較老的組件更簡單且不那么關鍵，碳化硅MOSFET也可以與其他同類設備并聯(lián)使用。在正常情況下，多個單元的簡單并聯(lián)連接運行良好，但在與溫度、電流和工作頻率相關的特殊情況下，工作條件可能變得關鍵

  MOSFET SiC 電流

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• 發(fā)布了文章 2024-05-31 14:00

  新能源汽車再升級！我國計劃投入60億元加速全固態(tài)電池研發(fā)

  

  中國日報近日報道，中國政府或?qū)⑼度爰s60億元用于全固態(tài)電池的研發(fā)工作，以推動電池技術的創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級。據(jù)悉，這一史無前例的項目由政府相關部委牽頭實施，寧德時代、比亞迪、一汽、上汽、衛(wèi)藍新能源和吉利等六家行業(yè)領軍企業(yè)有望獲得政府的基礎研發(fā)支持。全固態(tài)電池作為新能源汽車領域的重要創(chuàng)新方向，因其高安全性、長壽命和快速充電能力而備受矚目。然而，由于原材料獲取困難、制

  全固態(tài)電池 新能源汽車

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• 發(fā)布了文章 2024-05-31 13:59

  如何保護電子元器件以延長生命周期

  

  在電子電力領域，許多關鍵應用要求設備必須運行很長一段時間，甚至幾十年。尤其是對于航空航天、國防、能源和醫(yī)療行業(yè)方面而言，為了保持設備正常運行，必須在其整個生命周期內(nèi)持續(xù)供應組件。那么，如何保護電子元器件以延長生命周期，解決這個問題的一種方法是在生產(chǎn)結束后長期儲存半導體元件。該解決方案使您能夠在設備的整個使用壽命期間持續(xù)供應組件。01電子設備如果沒有組成它們的

  電子元器件 電子電力 設備

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• 發(fā)布了文章 2024-05-30 11:24

  國產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓邁入新紀元，芯聯(lián)集成引領行業(yè)突破

  

  5月27日，中國半導體制造領域迎來里程碑式的事件——芯聯(lián)集成宣布其8英寸碳化硅工程批次成功下線，這一成就標志著國產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)正式邁入國產(chǎn)化階段。此項目總投資高達9.61億元，預計全面投產(chǎn)后，將形成每年6萬片6/8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)能力，為我國的半導體產(chǎn)業(yè)注入強勁動力。來源：芯聯(lián)集成在全球半導體競爭日益激烈的背景下，碳化硅(SiC)材料因其獨特的

  晶圓 碳化硅 芯聯(lián)集成

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• 發(fā)布了文章 2024-05-30 11:23

  碳化硅(SiC)功率器件的開關性能比較

  

  過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術來開發(fā)基于各種半導體器件的功率模塊，如雙極結晶體管(BJT)、結型場效應晶體管(JFET)以及現(xiàn)在的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。碳化硅功率器件在這些碳化硅功率器件的開關性能中，制造商通常需要在柵極驅(qū)動復雜性和所需性能之間進行權衡

  SiC 功率器件 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-05-29 11:36

  英飛凌推出全新CoolSiC™ 400V MOSFET系列，滿足AI服務器需求

  

  隨著人工智能(AI)技術的快速發(fā)展，AI處理器對功率的需求呈現(xiàn)出顯著增長態(tài)勢。為了應對這一挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份有限公司近日宣布，將SiCMOSFET(碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管)的開發(fā)范圍擴展至400V領域，并推出了全新的CoolSiC?400VMOSFET系列。這一創(chuàng)新產(chǎn)品不僅滿足了AI服務器電源(PSU)日益增長的功率需求，同時保持了服務器機架規(guī)

  AI MOSFET 服務器 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-05-29 11:35

  單片機選型的原則與建議

  

  選擇一個不適合的單片機，可能會導致項目成本的增加，開發(fā)周期的延長，甚至是項目失敗。今天這篇文章將帶你探索選擇單片機的原則，幫助你在這個充滿挑戰(zhàn)和機遇的領域中做出明智的決策。

  傳感器 單片機 電子元件

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• 發(fā)布了文章 2024-05-28 10:53

  功率半導體市場迎飛躍，預測2035年市場規(guī)模將增4.7倍

  

  近日，日本市場研究公司富士經(jīng)濟發(fā)布了一份備受關注的行業(yè)研究報告《功率器件晶圓市場的最新趨勢和技術趨勢》。該報告深入分析了功率半導體市場的發(fā)展趨勢，并預測2024年功率半導體市場將比上年增長23.4%，市場規(guī)模將達到2813億日元。預計到2035年，這一市場規(guī)模將進一步擴大至10,763億日元，較2023年水平激增4.7倍。報告指出，功率半導體市場的增長主要得

  功率半導體 功率器件 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2024-05-28 10:51

  如何降低功率元器件發(fā)生絕緣品質(zhì)異常

  

  當絕緣體內(nèi)存在氣泡(Void)或絕緣體間存在氣隙(Airgap)時，在正常工作電壓下氣泡或氣隙容易發(fā)生局部放電(PartialDischarge，PD)，導致絕緣劣化造成絕緣品質(zhì)異常。例如：樹酯內(nèi)有氣泡或漆包線間的氣隙，因為空氣的介電系數(shù)較低，氣泡或氣隙的電容量比原絕緣材料低，所以會分到相對高比例的電壓，且在相同間隙距離條件下，氣泡或氣隙的崩潰電壓比絕緣材料的低。此類放電發(fā)生于氣泡或氣隙等局部瑕疵

  功率元器件

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• 發(fā)布了文章 2024-05-27 11:19

  SemiQ 開始針對 SiC 產(chǎn)品組合實施已知良品芯片(KGD)計劃

  

  近日，SemiQ已啟動了已知良好芯片(KGD)篩選計劃。該計劃提供經(jīng)過電氣分類和光學檢查的高質(zhì)量SiCMOSFET技術。該技術已準備好進行后端處理，并且可以直接作為芯片連接。SemiQ的已知良好芯片保證了一致的電氣參數(shù)，使客戶能夠在高壓電源、牽引逆變器和功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)等設備的構建中依靠可重復的性能來實現(xiàn)高生產(chǎn)線成品率。統(tǒng)一的芯片特性有利于高功率模塊中各種器件的

  SemiQ SiC 芯片

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