動態(tài)

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2026-01-19 13:57

  手動化學(xué)品灌裝機(jī)

  

  產(chǎn)品型號：sdhxpgzj

  13瀏覽量

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2026-01-19 13:53

  全自動化學(xué)品灌裝機(jī)

  

  產(chǎn)品型號：qzdhxpgzj

  13瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-01-14 14:04

  濕法刻蝕工作臺工藝流程

  

  濕法刻蝕工作臺的工藝流程是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，以下是對該流程的介紹：預(yù)處理表面清洗與去污：使用去離子水、有機(jī)溶劑（如丙酮、酒精）或酸堿溶液清洗材料表面，去除油脂、灰塵等污染物，確保后續(xù)反應(yīng)均勻性和一致性。掩膜制備：根據(jù)需求選用光刻膠、鉻層、氮化硅等作為掩模材料，并通過光刻技術(shù)形成精確的圖形窗口。涂覆光刻膠時采用旋涂法或其他方法控制厚度；曝光過程中將涂覆好

  半導(dǎo)體制造 濕法

  173瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-01-14 14:02

  慢提拉槽：硅片清洗的高效與精細(xì)之道

  

  慢提拉槽是半導(dǎo)體和光伏行業(yè)中用于硅片清洗的關(guān)鍵設(shè)備，其核心功能是通過物理與化學(xué)作用的結(jié)合，實現(xiàn)硅片表面的高效脫水與潔凈度提升。以下從工藝原理、設(shè)備結(jié)構(gòu)、技術(shù)優(yōu)勢及應(yīng)用場景等方面綜合解析：一、工藝原理與流程預(yù)脫水機(jī)制：慢提拉槽通常作為純水清洗的最后環(huán)節(jié)，硅片先完全浸泡于高純度去離子水中，隨后通過機(jī)械手或吊籃以極低速度（約0.1-0.5m/min）向上提拉。此時

  光伏 硅片

  1.9k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-01-12 11:55

  硅片清洗過程中的慢提拉是如何進(jìn)行的

  

  硅片清洗過程中的慢提拉是確保硅片表面潔凈度和干燥效果的關(guān)鍵步驟，以下是其具體操作方式：準(zhǔn)備工作硅片裝載：將經(jīng)過前面工序清洗后的硅片小心地放入特制的花籃或吊籃中，注意硅片之間的間距要合適，一般間隔1.2-1.5mm，以便在后續(xù)提拉過程中形成良好的毛細(xì)通道，加速液體排出。設(shè)備檢查：確認(rèn)慢提拉設(shè)備的機(jī)械臂、傳動裝置等部件運行正常，無松動、卡頓等情況。同時，檢查提拉

  清洗 硅片

  244瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-01-04 11:39

  原子級潔凈的半導(dǎo)體工藝核心是什么

  

  原子級潔凈的半導(dǎo)體工藝核心在于通過多維度技術(shù)協(xié)同，實現(xiàn)材料去除精度控制在埃米（?）量級，同時確保表面無殘留、無損傷。以下是關(guān)鍵要素的系統(tǒng)性解析：一、原子層級精準(zhǔn)刻蝕選擇性化學(xué)腐蝕利用氟基氣體（如CF?、C?F?）與硅基材料的特異性反應(yīng)，通過調(diào)節(jié)等離子體密度（>1012/cm3）和偏壓功率（

  半導(dǎo)體工藝 過濾器

  295瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-12-29 13:27

  晶圓清洗機(jī)濕法制程設(shè)備：半導(dǎo)體制造的精密守護(hù)者

  

  在半導(dǎo)體制造的精密流程中，晶圓清洗機(jī)濕法制程設(shè)備扮演著至關(guān)重要的角色。以下是關(guān)于晶圓清洗機(jī)濕法制程設(shè)備的介紹：分類單片清洗機(jī)：采用兆聲波、高壓噴淋或旋轉(zhuǎn)刷洗技術(shù)，針對納米級顆粒物進(jìn)行去除。批量式清洗系統(tǒng)：通過機(jī)械臂將多片晶圓同步浸入清洗槽體，實現(xiàn)批量化污染物剝離，適用于量產(chǎn)階段。電解清洗模塊：利用電場驅(qū)動離子定向遷移，高效去除深孔底部的金屬污染，在3DNAN

  半導(dǎo)體制造 清洗機(jī) 濕法

  488瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-12-25 13:38

  水平與垂直式石英清洗機(jī)工作原理

  

  在半導(dǎo)體制造、光伏產(chǎn)業(yè)以及光學(xué)元件生產(chǎn)等對精度和潔凈度要求極高的領(lǐng)域，水平式與垂直式石英清洗機(jī)發(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下是兩者工作原理的相關(guān)介紹：水平式石英清洗機(jī)的工作原理多槽分段清洗流程采用酸洗、堿洗、超純水沖洗等獨立模塊，結(jié)合高壓噴淋（0.3~0.8MPa）與超聲波/兆聲波技術(shù)，分階段清除亞微米級顆粒及復(fù)雜結(jié)構(gòu)污染物。例如，針對半導(dǎo)體石英爐管的碳沉積問題，可選

  光學(xué)元件 半導(dǎo)體制造

  325瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-12-23 10:22

  晶圓去膠后清洗干燥一般用什么工藝

  

  晶圓去膠后的清洗與干燥工藝是半導(dǎo)體制造中保障良率和可靠性的核心環(huán)節(jié)，需結(jié)合化學(xué)、物理及先進(jìn)材料技術(shù)實現(xiàn)納米級潔凈度。以下是當(dāng)前主流的工藝流程：一、清洗工藝多階段化學(xué)清洗SC-1溶液（NH?OH+H?O?+H?O）：去除有機(jī)污染物和顆粒，通過堿性環(huán)境氧化分解有機(jī)物。稀氫氟酸（DHF）處理：選擇性蝕刻殘留氧化物，暴露新鮮硅表面，改善后續(xù)薄膜附著性。SC-2溶液（

  半導(dǎo)體制造 晶圓

  347瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-12-22 15:18

  前道工序品質(zhì)：后道工序成敗的關(guān)鍵紐帶

  

  前道工序與后道工序的品質(zhì)關(guān)聯(lián)緊密，相互影響深遠(yuǎn)，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：尺寸精度方面在前道工序中，如晶圓制造的前道工序包括光刻、蝕刻等。光刻工序決定了電路圖案的精確位置和形狀，如果光刻精度不佳，例如光刻膠涂覆不均勻或者曝光參數(shù)有偏差，會導(dǎo)致圖案模糊或偏移。這會直接影響到后道工序中的布線等操作。在芯片封裝這種后道工序中，若前道工序給出的芯片尺寸不準(zhǔn)確，可能會導(dǎo)

  晶圓制造 芯片

  570瀏覽量