英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 倒計(jì)時(shí)7天 | OktoberTech™ 2025 高峰論壇嘉賓及議程揭曉2025-06-05 19:45

  

  當(dāng)大規(guī)模AI訓(xùn)練的能耗在全社會(huì)用電量中占比持續(xù)攀升；當(dāng)全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電動(dòng)化、智能化轉(zhuǎn)型；當(dāng)?shù)谌雽?dǎo)體的應(yīng)用有效減少了風(fēng)力發(fā)電傳輸中的能量損耗、提高供電效率……在這場(chǎng)席卷全球的變革浪潮中，科技無疑是助力我們跨越挑戰(zhàn)與把握機(jī)遇的關(guān)鍵力量。而我們所憧憬的未來，也將依托于各領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案，如綠色高效的能源、智能安全的物聯(lián)網(wǎng)以及環(huán)保安全的交通出行等，它們將共

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• 論壇日程發(fā)布丨OktoberTech™英飛凌生態(tài)創(chuàng)新峰會(huì)現(xiàn)場(chǎng)高能搶先看2025-06-04 18:33

  

  OktoberTech是由英飛凌主辦的年度全球技術(shù)峰會(huì)，旨在展示前瞻性的技術(shù)如何推動(dòng)低碳化和數(shù)字化的發(fā)展。每一年的OktoberTech，都是我們與產(chǎn)業(yè)、客戶、合作伙伴相聚一堂、共話未來的珍貴時(shí)刻。在為期一天的活動(dòng)期間，英飛凌與眾多相關(guān)領(lǐng)域的意見領(lǐng)袖與技術(shù)專家將匯聚一趟，共同探討行業(yè)趨勢(shì)、創(chuàng)新合作及不同領(lǐng)域最新的產(chǎn)品及解決方案等議題。2025年恰逢英飛凌在華

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• 新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模塊2025-06-03 17:34

  

  新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半橋和三電平模塊采用CoolSiCSiCMOSFET增強(qiáng)型1代M1H芯片，集成NTC溫度傳感器，PressFIT觸點(diǎn)技術(shù)和氮化鋁陶瓷DCB。目標(biāo)應(yīng)用直流-直流變換器，電動(dòng)汽車充電，光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)等。產(chǎn)品型號(hào)：■FF6MR20

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• 探索吉他音色與效果器的奇妙世界（1）- 缺陷創(chuàng)造的美2025-05-31 08:37

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎(jiǎng)作品，來自上?？萍即髮W(xué)李晨曦的投稿。如果你是一位音樂愛好者，當(dāng)你戴上耳機(jī)，聆聽著美妙的音樂時(shí)，吉他那多變的音色一定能夠吸引你的注意。它時(shí)而清脆明亮，仿佛陽光燦爛；時(shí)而沉穩(wěn)厚重，帶著歲月的厚重感；時(shí)而又尖銳狂放，如同沖破束縛的熱情。而這些獨(dú)特的音色，如今大多數(shù)都是由數(shù)字芯片經(jīng)特定算法采樣處理所生成的。為什么音樂人們要用數(shù)字

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• 新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET2025-05-29 17:04

  

  新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOSFET單管，專為各種工業(yè)應(yīng)用開發(fā)，包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車充電、太陽能，SSCB，人工智能，不間斷電源和CAV等。頂部散熱Q-DPAK具有出色的散熱性能，更易于組裝，從而降低了客戶的系統(tǒng)成本。與底部散熱解決方案

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• 新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品2025-05-27 17:03

  

  新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品，專為各種工業(yè)應(yīng)用開發(fā)，包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車充電、太陽能和不間斷電源等。頂部散熱QDPAK具有出色的散熱性能，更易于組裝，從而降低了客戶的系統(tǒng)成本。與底部散熱解決方案相比，頂部散熱器件可實(shí)現(xiàn)更

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• 柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計(jì)中的重要作用2025-05-26 18:07

  

  碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動(dòng)汽車等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，其潛力毋庸置疑。然而，從當(dāng)前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個(gè)難題：即如何實(shí)現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設(shè)計(jì)。比導(dǎo)通電阻是衡量SiCMOSFET技術(shù)先進(jìn)性的關(guān)鍵參數(shù)，但其它標(biāo)準(zhǔn)，例如可靠性，也是制約器件表現(xiàn)的重要因素。對(duì)于不同的應(yīng)用，導(dǎo)通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器

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• 一枚葉片的獨(dú)白2025-05-24 08:32

  

  我是一枚發(fā)電機(jī)上的葉片。出生不久，我就開始審視自己的身體：身上滿是絕妙飄逸的曲線，身材完美豐盈，真是美的不可方物。我開始無限自戀起來。如果看一下自己的體重，說實(shí)話愛上自己的身體不免有些讓人害羞，然而我迷戀的不僅是自己的美，還有各種大小不一的自己。世界上還有更大或者更小的各種葉片，從超過35米長(zhǎng)的風(fēng)力發(fā)

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• 新品 | 采用電平位移驅(qū)動(dòng)器碳化硅SiC MOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kW PFC評(píng)估板2025-05-22 17:03

  

  新品采用電平位移驅(qū)動(dòng)器碳化硅SiCMOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kWPFC評(píng)估板電子設(shè)備會(huì)污染電網(wǎng)，導(dǎo)致電網(wǎng)失真，威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此，電源設(shè)計(jì)中需要采用先進(jìn)的功率因數(shù)校正（PFC）電路。PFC通過同步輸入電流和電壓波形來確保高功率因數(shù)。通過使用PFC，電源系統(tǒng)可以減少失真，保持穩(wěn)定高效的供電。EVAL-1EDSIC-PFC-5KW是用于5kW交

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• 新品 | EiceDRIVER™ 650 V +/- 4 A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 1ED21x7 系列2025-05-21 17:07

  

  新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅(qū)動(dòng)器IC與其他產(chǎn)品相比，提供了一種更穩(wěn)健、更具性價(jià)比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流的高速柵極驅(qū)動(dòng)器，可用于Si/SiCMOSFET和IGBT開關(guān)。設(shè)計(jì)采用英飛凌的絕緣體上硅（SOI）技術(shù)，1ED

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