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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十三)——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息2025-01-20 17:33
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。驅(qū)動IC電流越來越大,如采用DSO-8300mil寬體封裝的EiceDRIVER1ED3241M -
新品 | QDPAK TSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車級CoolSiC™ MOSFET G1 8-140mΩ 750V2025-01-17 17:03
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2025新年啟航,贏取好禮:IPAC直播首秀聚焦光伏行業(yè)新趨勢2025-01-16 17:02
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英飛凌IGBT7系列芯片大解析2025-01-15 18:05
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新品 | 用于交直流固態(tài)斷路器評估的高效套件(CoolSiC™版本)2025-01-14 17:35
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)2025-01-13 17:36
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。功率半導(dǎo)體的電流密度隨著功率半導(dǎo)體芯片損耗降低,最高工作結(jié)溫提升,器件的功率密度越來越高,也就是 -
第二屆電力電子科普作品創(chuàng)作大賽斬獲殊榮——榮獲2024年全國科普日優(yōu)秀活動表彰2025-01-11 09:05
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新品 | 670V TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7帶反并聯(lián)二極管TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝2025-01-09 17:06
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英飛凌一站式方案助力熱泵系統(tǒng),全新高效功率器件震撼首秀2025-01-08 17:03
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子2025-01-06 17:05
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。功率器件的輸出電流能力器件的輸出電流能力首先是由芯片決定的,但是IGBT芯片的關(guān)斷電流能力很強(qiáng),