英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？2023-01-11 15:09

  

  眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙嚒Ｔ诠杌a(chǎn)品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代，市面上大部分的SiCMOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，Si

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• 探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性2023-01-11 15:09

  

  探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性

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• 新品 | 采用IPM IM323 1500W電機(jī)驅(qū)動的評估板2023-01-11 15:09

  

  新品采用IPMIM3231500W電機(jī)驅(qū)動的評估板評估板EVAL-M1-IM323是用于IM323系列CIPOSIPM的評估，它的目標(biāo)應(yīng)用為三相電機(jī)驅(qū)動，大家電，如空調(diào)、泵、風(fēng)扇和其他變頻驅(qū)動器。產(chǎn)品型號：EVAL-M1-IM323產(chǎn)品特點輸入電壓165Vac至265Vac165Vac時最大12A的輸入電流220V

  驅(qū)動 電機(jī) 評估板 1739瀏覽量

• 通過柵極驅(qū)動器提高開關(guān)電源功率密度2023-01-11 15:08

  

  作者：HubertBaierl，英飛凌科技市場總監(jiān)校對：柯春山英飛凌科技高級主任工程師像許多電子領(lǐng)域一樣，進(jìn)步持續(xù)發(fā)生。目前，在3.3kW開關(guān)電源(SMPS)中，產(chǎn)品效率高達(dá)98%，1U結(jié)構(gòu)尺寸，其功率密度可達(dá)100W/in³。這之所以可以實現(xiàn)是因為我們在圖騰柱PFC級中明智地選擇了超結(jié)(SJ)功率MOSFET（例如CoolMOS），碳化硅(SiC)MOSF

  電源 驅(qū)動器 1673瀏覽量

• 探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性2023-01-04 09:45

  

  SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN二極管的雙極電荷影響較小。本文探討了SiC MOSFET的獨有特性以及影響體二極管關(guān)斷特性的多個影響因素，并且闡明了快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET的反向恢復(fù)損耗概

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• 魚與熊掌皆可得？當(dāng)SiC MOSFET遇上2L-SRC2022-05-27 01:47

  

  引言事物皆有兩面：SiCMOSFET以更快的開關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率和功率密度；但是高速的開關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機(jī)控制領(lǐng)域的電機(jī)絕緣和EMI設(shè)計都帶來了額外的挑戰(zhàn)。應(yīng)用痛點氫燃料系統(tǒng)中的高速空壓機(jī)控制器功率35kW上下，轉(zhuǎn)速高達(dá)10萬轉(zhuǎn)以上，輸出頻率可達(dá)2000Hz，調(diào)制頻率50kHz以上是

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• IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀2022-05-26 02:14

  

  什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制信號驅(qū)動時，時常會無奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開關(guān)續(xù)流時反向恢復(fù)特性也會變快。以1700V/1000A

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• Tvj - IGBT元宇宙中的結(jié)溫2022-05-24 05:30

  

  ///在IGBT應(yīng)用中，結(jié)溫是經(jīng)常使用的一個參數(shù)，大部分讀者應(yīng)該都很熟悉這個概念，但是這和元宇宙有什么關(guān)系呢？我想先請大家考慮一個問題：IGBT結(jié)溫到底是指具體哪兒的溫度？。。。你們是不是已經(jīng)開始上百度搜索答案了？我在百度百科以及維基百科搜索出結(jié)溫的解釋大概是這樣的：晶體管結(jié)溫，簡稱結(jié)溫，是指半導(dǎo)體芯片內(nèi)的最高工作溫度，通常芯片的結(jié)溫會比芯片的外殼高。。。原

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• 新品 | 溝槽柵 2000/3000A 4500V 125mm平板型壓接式IGBT2022-05-24 05:26

  

  新品溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT相關(guān)器件：P2000DL45X1682000A4500V帶續(xù)流二極管125mm平板型P3000ZL45X1683000A4500V不帶續(xù)流二極管125mm平板型InfineonTechnologiesBipolar擴(kuò)展了其高

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• 如何計算驅(qū)動芯片的desat保護(hù)時間2022-05-24 05:24

  

  SiCMOSFET短路時間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiCMOSFET單管保證3us的短路時間，Easy模塊保證2us的短路時間，因此要求驅(qū)動電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天，我們來具體看一下這個短而精的程度。圖1是傳統(tǒng)典型的驅(qū)動芯片退飽和檢測原理，芯片內(nèi)置一個恒流源。功率開關(guān)器件在門極電壓一定時，發(fā)生短路后，電流不斷增加，導(dǎo)致器件VCE電壓迅速提升

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