英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 新品 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H72023-03-28 16:41

  

  新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應(yīng)用。產(chǎn)品特點(diǎn)得益于著名的英飛凌出色VCEsat特性TRENCHSTOP技術(shù)高速開關(guān)，低EMI輻射針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用的優(yōu)化二極管，實(shí)現(xiàn)了低Qrr可選擇較低的柵極電阻（低至5Ω），同時(shí)保持出色的開

  1200V IGBT 1579瀏覽量

• 是時(shí)候從Si切換到SiC了嗎？2023-03-28 16:41

  

  作者簡介作者：UweJansen翻譯：陳子穎在過去的幾年里，碳化硅(SiC)開關(guān)器件，特別是SiCMOSFET，已經(jīng)從一個(gè)研究課題演變成一個(gè)重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動(dòng)車（BEV）驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中采用，但現(xiàn)在，越來越多的應(yīng)用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中都必須評(píng)估SiC在系統(tǒng)中可能的潛力，以及利用這一潛力的最佳策略是什么

  SiC 碳化硅 944瀏覽量

• 新品 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 S72023-03-28 16:41

  

  新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封裝分立器件，可快速、方便地替換上一代T2芯片產(chǎn)品系列產(chǎn)品型號(hào)：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE

  IGBT 分立器件 2324瀏覽量

• 新品 | X3 Compact POLARIS 1ED314x - 6.5A, 3kVrms單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器2023-03-28 16:41

  

  新品X3CompactPOLARIS(1ED314x)-6.5A,3kV(rms)單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器X3Compact(1ED31xx)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器系列，容易使用，最近發(fā)布的柵極驅(qū)動(dòng)器系列又增加了一個(gè)新的產(chǎn)品系列，DSO-8150mil窄體封裝（1ED314x），帶一個(gè)米勒鉗位選項(xiàng)。相關(guān)器件：1ED3140MU12F1ED3141MU12F1ED3142

  柵極 驅(qū)動(dòng)器 2631瀏覽量

• SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)2023-03-28 16:40

  

  原文標(biāo)題：PracticalAspectsandBodyDiodeRobustnessofa1200VSiCTrenchMOSFET原文作者：ThomasBasler原文發(fā)表在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，PracticalAspectsandBod

  MOSFET SiC 2149瀏覽量

• 新品 | 光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模塊2023-03-28 16:40

  

  新品光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模塊光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模塊，采用M1H芯片，導(dǎo)通電阻8-17毫歐五個(gè)規(guī)格，PressFIT壓接針和NTC。產(chǎn)品型號(hào)：DF17MR12W1M1HDF16MR12W1M1HDF14MR12W1M1HDF11MR12W1M1HDF8MR12W1M1H產(chǎn)品特點(diǎn)Best-

  光伏 模塊 1175瀏覽量

• HV SJ MOSFET工作在第三象限時(shí)電流路徑探究2023-03-15 22:10

  

  熊康明英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部主任工程師1引言相信各位工程師在日常的電源設(shè)計(jì)中，當(dāng)面對(duì)ZVS的場(chǎng)景時(shí)，經(jīng)常會(huì)有如下的困惑：比如大名鼎鼎的LLC，工作在死區(qū)時(shí)，MOSFET寄生二極管續(xù)流，當(dāng)完成了對(duì)結(jié)電容的充放電之后，再打開MOSFET以降低器件的損耗。細(xì)心的工程師可能就會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)有趣的問題，我們這里拿IPW60R024CFD7舉例說明，假設(shè)死區(qū)時(shí)刻，流過二

  MOSFET 二極管 電流 3169瀏覽量

• 新品 | EVAL-IMI111T-026 iMOTION™帶有微控制器、柵極驅(qū)動(dòng)器的2A 600V IPM評(píng)估板2023-03-15 22:10

  

  新品EVAL-IMI111T-026iMOTIONiMOTION集成了電機(jī)控制器、三相柵驅(qū)動(dòng)器2A600VIPM評(píng)估板，目標(biāo)應(yīng)用為家用空調(diào)室內(nèi)風(fēng)機(jī)，吊扇和小電機(jī)驅(qū)動(dòng)。產(chǎn)品型號(hào)：EVAL-IMI111T-026，2A600VIPM的評(píng)估板EVAL-IMI111T-026是一個(gè)用于iMOTIONIMI111T-026HIPM的啟動(dòng)套件。IMI111T-026H器

  控制器 評(píng)估板 驅(qū)動(dòng)器 1884瀏覽量

• 如何通過改進(jìn)IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)2023-03-15 22:09

  

  作者簡介作者：JanBaurichter翻譯：趙佳尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時(shí)--這是我們行業(yè)中不斷強(qiáng)調(diào)的目標(biāo)之一--你不可避免地會(huì)降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉(zhuǎn)移到模塊設(shè)計(jì)上，就不需要拋硬幣了。在IGBT模塊中，芯片面積減小導(dǎo)致了熱阻抗的增加，進(jìn)而影響性能。但是，由于較小的芯片在基板上釋放了更多的空間，因此有可

  IGBT 芯片 1712瀏覽量

• 如何通過優(yōu)化模塊布局解決芯片縮小帶來的電氣性能挑戰(zhàn)2023-03-15 22:09

  

  在本文的第一部分——《如何通過改進(jìn)IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)》，我們提到尺寸和功率往往看起來像硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時(shí)，你不可避免地會(huì)降低功率。在那篇文章中，我們介紹了芯片縮小對(duì)熱性能的影響，以及如何通過優(yōu)化芯片位置和模塊布局來減輕這種影響。現(xiàn)在，讓我們來看看我們?nèi)绾文軌蚋纳齐姎庑阅?。同樣，我們將以采用TRENCHSTOPIGBT7技術(shù)

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