新品
1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7

40-140A 1200V的TRENCHSTOP IGBT7 H7,TO-247封裝分立器件,旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應(yīng)用。
產(chǎn)品特點(diǎn)
得益于著名的英飛凌出色VCEsat特性TRENCHSTOP技術(shù)
高速開(kāi)關(guān),低EMI輻射
針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用的優(yōu)化二極管,實(shí)現(xiàn)了低Qrr
可選擇較低的柵極電阻(低至5Ω),同時(shí)保持出色的開(kāi)關(guān)性能
Tj(max)=175°C
特性圖

動(dòng)態(tài)特性和靜態(tài)特性
應(yīng)用價(jià)值
具有最高功率密度的技術(shù),系列產(chǎn)品中最高標(biāo)稱(chēng)電流140A
按照應(yīng)用優(yōu)化性能
最低的導(dǎo)通損耗
最低的開(kāi)關(guān)損耗
惡劣環(huán)境下的防潮性能
改善EMI性能
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1288文章
4331瀏覽量
262983 -
1200V
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
4瀏覽量
7614
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
新品 | TRENCHSTOP? IGBT 7 H7 750V分立器件
新品TRENCHSTOPIGBT7H7750V分立器件TRENCHSTOPIGBT7H7750V硬開(kāi)關(guān)型分立器件,是650V版本的升級(jí)產(chǎn)品,專(zhuān)為滿足綠色高效能源應(yīng)用中對(duì)更高電壓處理能力
新品 | CoolSiC? 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL? 1200V
溫度傳感器,具有1200V耐壓和4mΩ導(dǎo)通電阻,專(zhuān)為電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)與電動(dòng)航空生態(tài)系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)。產(chǎn)品型號(hào):■FF4MR12W2M1HP_B11_A
重磅干貨 | 英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體年度十大熱門(mén)技術(shù)文章
1英飛凌IGBT7系列芯片大解析IGBT7從2019年問(wèn)世至今,從首發(fā)的T7,到成為擁有S7,H7,T7
1200V CoolSiC? MOSFET評(píng)估平臺(tái):設(shè)計(jì)與應(yīng)用全解析
1200V CoolSiC? MOSFET評(píng)估平臺(tái):設(shè)計(jì)與應(yīng)用全解析 作為電子工程師,我們總是在尋找性能更優(yōu)、效率更高的器件和評(píng)估平臺(tái),以滿足不斷發(fā)展的電子系統(tǒng)需求。今天就來(lái)深入探討一下英飛凌
6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析
6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析 在電力電子領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件(如IGBT和SiC MOSFET)的關(guān)鍵組件。今天我們來(lái)詳細(xì)探討英飛凌
揚(yáng)杰科技推出新一代To-247PLUS封裝1200V IGBT單管
揚(yáng)杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT單管,產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺(tái),極大的優(yōu)化了器件的導(dǎo)通損耗,產(chǎn)品參數(shù)一致性好,可靠性?xún)?yōu)良,適用于伺服、變頻器等各類(lèi)中低頻應(yīng)用領(lǐng)域。
Microchip推出全新DualPack 3 IGBT7電源模塊 提供高功率密度并簡(jiǎn)化系統(tǒng)集成
推出全新DualPack 3(DP3)系列電源模塊。該系列模塊采用先進(jìn)IGBT7技術(shù),提供1200V和1700V兩種電壓等級(jí)的六款產(chǎn)品,額定電流范圍300–900A,旨在滿足市場(chǎng)對(duì)緊湊、經(jīng)濟(jì)高效且簡(jiǎn)化的電源轉(zhuǎn)換器解決方案的日益增
新品 | 針對(duì)車(chē)載充電和電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊
CoolSiCMOSFET技術(shù)1200V、17mΩ,配備N(xiāo)TC和PressFIT壓接技術(shù)。另一個(gè)模塊基于TRENCHSTOPIGBT7技術(shù)1200V、100A,配備
新品 | 儲(chǔ)能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK? 3B模塊
新品儲(chǔ)能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊,采用EasyPACK3B封裝和最新開(kāi)發(fā)的1200VTRENCHSTOPIGBTH
聞泰科技推出車(chē)規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET
,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出領(lǐng)先行業(yè)的D2PAK-7封裝車(chē)規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET,為電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)注入強(qiáng)勁新動(dòng)能。
新品 | EasyDUAL? 1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊
新品EasyDUAL1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊EasyDUAL1B,2B1200V共發(fā)射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT
龍騰半導(dǎo)體推出1200V 50A IGBT
在功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下,如何實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更強(qiáng)的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋,成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品,專(zhuān)為高頻應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。依托先進(jìn)工藝平臺(tái)與系
新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊
新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFETM1H增強(qiáng)型1代、集成NTC溫
新品 | CIPOS? Mini IPM 600V 15A 20A 30A TRENCHSTOP? IGBT 7
新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等級(jí)中提供15A、20A和30A三個(gè)型號(hào),額定功率高達(dá)
新品 | 1200V TRENCHSTOP? IGBT7 H7
評(píng)論