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青島佳恩半導(dǎo)體有限公司

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一文了解IGBT的極限值

在文件數(shù)據(jù)表中,按照IGBT 模塊(IGBT,二極管,殼體,溫度傳感器等)的各個組成部分別給出它們的....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 12-01 09:12 ?3664次閱讀
一文了解IGBT的極限值

為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象?

這是某產(chǎn)品輸出特性曲線,可以看到IGBT工作區(qū)分為三個部分。
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 11-03 08:53 ?6830次閱讀
為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象?

溫度變化對模塊壽命有何影響?

所有功率模塊內(nèi)部的熱循環(huán)變化都會導(dǎo)致模塊老化。原因是使用材料的熱膨脹性不同,所以它們之間熱應(yīng)力是連接....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 10-27 11:38 ?1663次閱讀
溫度變化對模塊壽命有何影響?

IGBT模塊機(jī)械構(gòu)造相關(guān)的電氣特性參數(shù)

? IGBT模塊參數(shù)詳解-模塊整體參數(shù) 該部分描述與IGBT模塊機(jī)械構(gòu)造相關(guān)的電氣特性參數(shù),包括絕緣....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 09-08 08:58 ?4314次閱讀
IGBT模塊機(jī)械構(gòu)造相關(guān)的電氣特性參數(shù)

igbt模塊的作用 igbt模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

? IGBT模塊內(nèi)部 雜散電感的定義 IGBT半橋逆變電路工作原理以及當(dāng)IGBT1開通關(guān)斷時的電壓電....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 08-18 09:08 ?6004次閱讀
igbt模塊的作用 igbt模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

哪些場景只能用三極管而不能用MOSFET

開關(guān)速度:當(dāng)需要高速開關(guān)時,三極管是更好的選擇。例如,在瞬態(tài)電路中,需要快速切換的信號通常需要使用三....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 05-19 14:02 ?911次閱讀
哪些場景只能用三極管而不能用MOSFET

IGBT半導(dǎo)體與MOS管、三極管的區(qū)別

我們就從常見的開關(guān)說起,這邊給他接一個電源,右邊接一個負(fù)載,然后不停的開關(guān)這個開關(guān),那么這個負(fù)載上的....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 03-31 11:03 ?2834次閱讀

功率半導(dǎo)體器件IGBT結(jié)溫測試方法

功率循環(huán)試驗中最重要的是準(zhǔn)確在線測量結(jié)溫,直接影響試驗結(jié)果和結(jié)論。比較總結(jié)了各種溫度測量方法的一致性....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 02-06 12:27 ?2917次閱讀

IGBT失效原因分析

超出關(guān)斷安全工作區(qū)引起擎住效應(yīng)而損壞擎住效應(yīng)分靜態(tài)擎住效應(yīng)和動態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT為PNPN4層結(jié)構(gòu)....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 01-13 10:16 ?2794次閱讀

變頻器的制動單元和逆變部分的續(xù)流二極管不是矛盾了嗎?

通過制動單元外接制動電阻,該方式配合母線電壓檢測。當(dāng)電機(jī)迅速停機(jī)時,電機(jī)繞組上的能量會通過逆變側(cè)的反....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 01-12 10:54 ?2529次閱讀

什么是IGBT的退飽和?什么情況下IGBT會進(jìn)入退飽和狀態(tài)?

如下圖,是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線,橫軸是C,E兩端電壓,縱軸是歸一化的集電極電流??梢钥吹絀....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 12-16 15:29 ?8301次閱讀

mos管是不是三極管?

場效應(yīng)晶體管是由p型和n型兩部分組成。當(dāng)給pn結(jié)加上正向電壓時,由于p區(qū)中的空穴由n區(qū)注入到pn結(jié)電....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 12-09 15:41 ?2946次閱讀

IGBT模塊常規(guī)測量以及故障維修方法

將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT的集電極(C),紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E),此時....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 11-25 11:08 ?2959次閱讀

P溝道和N溝道MOSFET在開關(guān)電源中的應(yīng)用

由于具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和較小尺寸,N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 11-18 11:28 ?4226次閱讀