電機(jī)控制在工業(yè) 4.0 的技術(shù)發(fā)展中發(fā)揮著重要的戰(zhàn)略作用。工業(yè)發(fā)展中的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題是能源使用。電力消耗正在顯著增長(zhǎng)，部分原因是工業(yè)電動(dòng)機(jī)的電力需求。由于這些不斷增長(zhǎng)的需求，在電機(jī)控制領(lǐng)域?qū)ふ矣行У慕鉀Q方案是開(kāi)發(fā)商和組件制造商等的首要任務(wù)。

隨著能源消耗的增加，由于涉及許多需要大量努力的電子技術(shù)的嚴(yán)格控制要求，設(shè)計(jì)復(fù)雜性也在增加。一個(gè)例子是使用寬帶隙 (WBG) 材料。

從功能的角度來(lái)看，電機(jī)控制由幾個(gè)層次組成。例如，運(yùn)動(dòng)控制需要執(zhí)行非常復(fù)雜和計(jì)算密集的控制算法。電機(jī)控制涵蓋了廣泛的應(yīng)用，從風(fēng)扇和泵的簡(jiǎn)單控制到更復(fù)雜的工業(yè)控制問(wèn)題，包括機(jī)器人和伺服機(jī)構(gòu)。在這里，我們來(lái)看看電機(jī)控制系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。

電機(jī)和驅(qū)動(dòng)器 直流電機(jī)是最常見(jiàn)的，因?yàn)樗鼈兏阋?，由一個(gè)定子（固定部分）——即永磁體——和一個(gè)移動(dòng)部分（轉(zhuǎn)子）組成，其中包含連接到整流子的繞組，為整流子供電當(dāng)前的。電機(jī)的速度控制是通過(guò)調(diào)節(jié)直流來(lái)實(shí)現(xiàn)的。為此，根據(jù)應(yīng)用的性質(zhì)，使用全橋、半橋或降壓轉(zhuǎn)換器來(lái)驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)。

交流電機(jī)基本上由變壓器組成，初級(jí)部分連接到交流電壓，次級(jí)部分傳導(dǎo)感應(yīng)的次級(jí)電流?；?a target="_blank">微處理器的電子設(shè)備、逆變器和信號(hào)調(diào)節(jié)用于控制該電機(jī)的速度。

控制器是一種電子設(shè)備，在控制系統(tǒng)中充當(dāng)“大腦”。使用的控制器數(shù)量根據(jù)需要控制的單個(gè)過(guò)程的數(shù)量而有所不同。對(duì)于一個(gè)復(fù)雜的系統(tǒng)，可能有許多控制器。這些控制器中的每一個(gè)都可以向電機(jī)發(fā)送命令，同時(shí)從執(zhí)行器本身接收指令。

工業(yè)應(yīng)用中使用的機(jī)器人系統(tǒng)主要使用由交流電壓 (AC) 供電的三相電機(jī)。例如，圖 1?顯示了電子控制電路的框圖，其中專(zhuān)用微控制器 (MCU) 生成 PWM 信號(hào)。作為 MCU 的替代方案，DSP 或 FPGA 解決方案更適合實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的數(shù)字濾波算法。

圖 1：交流供電的三相感應(yīng)電機(jī)控制框圖（來(lái)源：德州儀器）

直流電機(jī)的控制器示例是 Trinamic 的TMCM-1637 5-A RMS 和TMCM-1638 7-A RMS 插槽型模塊，帶有兩個(gè)磁場(chǎng)定向控制器/驅(qū)動(dòng)器，為磁場(chǎng)定向控制（或矢量控制）。這些模塊支持單相直流電機(jī)、兩相雙極步進(jìn)電機(jī)和三相無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)（圖 2）。

圖 2：TMCM-163x 解決方案（來(lái)源：Trinamic）

IGBT絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 體現(xiàn)了電力控制電子設(shè)備的真正創(chuàng)新。作為開(kāi)關(guān)解決方案，創(chuàng)新來(lái)自于高開(kāi)關(guān)頻率。IGBT 代表了電力控制設(shè)備的基本功能，非常適合解決復(fù)雜的電機(jī)控制問(wèn)題。

最新的解決方案在特別極端的使用條件下（例如在汽車(chē)行業(yè)使用逆變器驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)時(shí)）在開(kāi)關(guān)速度和行為穩(wěn)定性之間建立了良好的關(guān)系。一個(gè)例子是 STMicroelectronics 的1,200-V IGBT S 系列。這些 IGBT 針對(duì)低頻（高達(dá) 8 kHz）的使用進(jìn)行了優(yōu)化，并具有低 V ce(sat)的特點(diǎn)。1,200-V IGBT S 系列基于第三代溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)。

GaN 和 SiC然而，WBG 材料，氮化鎵和碳化硅，作為硅基器件的替代品，正在電機(jī)控制應(yīng)用中取得進(jìn)展。在電力電子領(lǐng)域，WBG 材料提供的主要優(yōu)勢(shì)包括更低的功率損耗、更高的效率、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更緊湊的尺寸、更高的工作溫度（遠(yuǎn)超過(guò)硅可實(shí)現(xiàn)的 150°C 上限）、在困難的工作條件下更高的可靠性, 和高擊穿電壓。

例如，GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的更高電子遷移率轉(zhuǎn)化為更快的開(kāi)關(guān)速度，因?yàn)橥ǔＴ诮宇^中積累的電荷可以更快地分散。GaN 可實(shí)現(xiàn)的更快的上升時(shí)間、更低的漏源導(dǎo)通電阻 ( RDS(on) ) 值以及更低的柵極和輸出電容都有助于其低開(kāi)關(guān)損耗和在高達(dá) 10 倍的開(kāi)關(guān)頻率下工作的能力高于硅。

降低功率損耗會(huì)帶來(lái)額外的好處，例如更高效的配電、更少的散熱和更簡(jiǎn)單的冷卻系統(tǒng)。許多電機(jī)控制應(yīng)用需要風(fēng)扇來(lái)提供強(qiáng)制空氣冷卻，以便在設(shè)備的安全運(yùn)行限制內(nèi)運(yùn)行。通過(guò)使用 GaN，可以降低功耗并實(shí)現(xiàn)“無(wú)風(fēng)扇”操作，這在電子無(wú)人機(jī)等輕量級(jí)應(yīng)用中尤為重要。

在工業(yè)電源應(yīng)用中，電子設(shè)計(jì)人員也可以通過(guò)使用 SiC MOSFET 來(lái)獲得好處，與傳統(tǒng)的硅基解決方案（如 IGBT）相比，它提供了顯著的效率提升、更小的散熱器尺寸和更低的成本。?SiC 技術(shù)在體二極管關(guān)閉后發(fā)生的反向恢復(fù)階段實(shí)現(xiàn)了非常低的每單位面積 R DS(on) 、高開(kāi)關(guān)頻率和可忽略的能量損失。

由于節(jié)能、減小尺寸、更高集成度和可靠性等特性，在電機(jī)控制和電力控制應(yīng)用中使用 SiC 器件是一個(gè)真正的突破。這些特性使其非常適合汽車(chē)和工業(yè)自動(dòng)化控制等高可靠性領(lǐng)域。

在工業(yè)驅(qū)動(dòng)中，必須特別注意開(kāi)啟和關(guān)閉換向速度。事實(shí)上，SiC MOSFET dV/dt 可以達(dá)到比 IGBT 高得多的水平。如果處理不當(dāng)，高換向 dV/dt 會(huì)增加長(zhǎng)電機(jī)電纜上的電壓尖峰，并可能產(chǎn)生共模和差模寄生電流，隨著時(shí)間的推移，會(huì)導(dǎo)致繞組絕緣和電機(jī)軸承出現(xiàn)故障。盡管更快的開(kāi)啟/關(guān)閉提高了效率，但出于可靠性原因，工業(yè)驅(qū)動(dòng)器中的典型 dV/dt 通常設(shè)置為 5 至 10 V/ns。

STMicroelectronics 對(duì)兩個(gè)相似的 1.2kV 功率晶體管（SiC MOSFET 和 Si 基 IGBT）進(jìn)行的比較證明，與Si IGBT，即使在 5 V/ns 的強(qiáng)加條件下（圖 3）。

圖 3：基于兩電平、三相逆變器的驅(qū)動(dòng)器（來(lái)源：意法半導(dǎo)體）

由于節(jié)能、減小尺寸、集成機(jī)會(huì)和可靠性等特性，在電機(jī)控制和電力控制應(yīng)用中使用 SiC 器件通常是一個(gè)真正的突破。除其他選項(xiàng)外，現(xiàn)在可以在逆變器電路中為連接的電機(jī)使用最佳開(kāi)關(guān)頻率，這在電機(jī)設(shè)計(jì)中具有重要優(yōu)勢(shì)。

例如，英飛凌科技的基于 SiC 的?CoolSiC MOSFET采用 .XT 互連技術(shù)，采用 1,200-V 優(yōu)化 D2PAK-7 SMD 封裝，可在伺服驅(qū)動(dòng)器等功率密度關(guān)鍵電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)被動(dòng)冷卻，從而支持機(jī)器人和自動(dòng)化行業(yè)實(shí)施免維護(hù)和無(wú)風(fēng)扇電機(jī)逆變器（圖 4）。

在自動(dòng)化方面，無(wú)風(fēng)扇解決方案帶來(lái)了新的設(shè)計(jì)機(jī)會(huì)，因?yàn)樗鼈児?jié)省了維護(hù)和材料方面的成本和精力。例如，英飛凌采用 .XT 互連技術(shù)的 CoolSiC 溝槽 MOSFET 芯片解決方案以小尺寸提供了極具吸引力的散熱能力，使其非常適合在機(jī)械臂中集成驅(qū)動(dòng)器。CoolSiC MOSFET SMD 器件的短路耐受時(shí)間為 3 μs，額定值為 30 mΩ 至 350 mΩ。這符合伺服電機(jī)的要求。

圖 4：所有操作模式下的傳導(dǎo)損耗降低（來(lái)源：英飛凌科技）

微控制器電機(jī)控制解決方案由硬件和軟件組件組成。硬件部分是電子控制器件，如 IGBT、SiC 和 GaN MOSFET、功率二極管等，而軟件部分解決的是硬件的控制，這正變得越來(lái)越復(fù)雜和精密。針對(duì)電源設(shè)備的控制和管理進(jìn)行了優(yōu)化的計(jì)算架構(gòu)的可用性使開(kāi)發(fā)人員能夠獲得在控制領(lǐng)域無(wú)法獲得的性能。

NXP Semiconductors 和 Renesas Electronics 舉了幾個(gè)例子。NXP 的MPC57xx系列 32 位處理器基于適用于汽車(chē)和工業(yè)動(dòng)力總成應(yīng)用的 Power Architecture 技術(shù)以及其他汽車(chē)控制和功能管理可能性。這些處理器提供 AEC-Q100 質(zhì)量、用于防篡改的片上安全加密保護(hù)，并支持 ASIL-D 和 SIL-1 功能安全 (ISO 26262/IEC 61508)。它們?yōu)椴煌?a href="http://m.makelele.cn/v/tag/1301/" target="_blank">通信協(xié)議提供以太網(wǎng) (FEC)、雙通道 FlexRay 和多達(dá) 6 個(gè) SCI/8 DSPI/2 I 2 C。

瑞薩電子提供基于 Arm Cortex-M4 內(nèi)核的RA6T1 32 位 MCU，工作頻率為 120 MHz，并帶有一系列針對(duì)高性能和精密電機(jī)控制進(jìn)行了優(yōu)化的外設(shè)。單個(gè) RA6T1 MCU 最多可以同時(shí)控制兩個(gè) BLDC 電機(jī)。此外，用于 TinyML 應(yīng)用程序的 Google TensorFlow Lite Micro 框架為 RA6T1 MCU 增加了增強(qiáng)的故障檢測(cè)功能，為客戶(hù)提供智能、易于使用且具有成本效益的無(wú)傳感器電機(jī)系統(tǒng)，用于預(yù)測(cè)性維護(hù)。

電機(jī)要求因應(yīng)用而異，可能需要針對(duì)特定用例進(jìn)行優(yōu)化和微調(diào)。市場(chǎng)在 IGBT、WBG 半導(dǎo)體和 MCU 方面提供了多種解決方案來(lái)滿(mǎn)足這些要求。然而，需要開(kāi)發(fā)新的硬件來(lái)從處理器中卸載實(shí)時(shí)關(guān)鍵任務(wù)，同時(shí)支持更多的診斷、預(yù)測(cè)性維護(hù)和人工智能以及功能安全系統(tǒng)。
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