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LTC4444-5 100V同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器

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LTC4444 高電壓同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

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100V高側(cè)FET驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)高壓電池簡(jiǎn)介

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LTC1155:雙高端微功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表

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2021-05-09 09:23:405

LTC1163/LTC1165:三重1.8V至6V高端MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表

LTC1163/LTC1165:三重1.8V至6V高端MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-09 19:44:091

60V同步降壓-升壓LED驅(qū)動(dòng)器

60V同步降壓-升壓LED驅(qū)動(dòng)器
2021-05-10 16:17:0213

LTC4444-5:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表

LTC4444-5:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-11 17:18:146

LTC2965:100V微功率單電壓監(jiān)視數(shù)據(jù)表

LTC2965:100V微功率單電壓監(jiān)視數(shù)據(jù)表
2021-05-19 10:44:088

LTC1693:高速單/雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表

LTC1693:高速單/雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:35:075

LTC1157:3.3V雙微功耗高端/低端MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表

LTC1157:3.3V雙微功耗高端/低端MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 20:13:345

LTC4441:N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表

LTC4441:N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:545

LT8631項(xiàng)目-100V,1A同步微功率降壓穩(wěn)壓(6.5-100V5V@1A)

LT8631項(xiàng)目-100V,1A同步微功率降壓穩(wěn)壓(6.5-100V5V@1A)
2021-05-30 08:39:535

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器LTC3803LTC4441演示電路升壓轉(zhuǎn)換(6-24V至52V@2A)

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器LTC3803LTC4441演示電路升壓轉(zhuǎn)換(6-24V至52V@2A)
2021-06-04 14:54:385

LTC6360演示電路-5V單端ADC驅(qū)動(dòng)器的±10V輸入信號(hào)

LTC6360演示電路-5V單端ADC驅(qū)動(dòng)器的±10V輸入信號(hào)
2021-06-05 18:02:5313

LTC3774LTC4449演示電路-采用分立MOSFET驅(qū)動(dòng)器(7-14V至1.5V和1.2V@30A)的高效雙輸出降壓轉(zhuǎn)換

LTC3774LTC4449演示電路-采用分立MOSFET驅(qū)動(dòng)器(7-14V至1.5V和1.2V@30A)的高效雙輸出降壓轉(zhuǎn)換
2021-06-05 18:46:091

LTC3774LTC4449演示電路-采用分立MOSFET驅(qū)動(dòng)器的高效兩相降壓轉(zhuǎn)換(7-14V至1.2V@60A)

LTC3774LTC4449演示電路-采用分立MOSFET驅(qū)動(dòng)器的高效兩相降壓轉(zhuǎn)換(7-14V至1.2V@60A)
2021-06-05 18:53:120

LTC3631演示電路-高效高壓100 mA同步降壓轉(zhuǎn)換(4.5-45V5V@100 mA)

LTC3631演示電路-高效高壓100 mA同步降壓轉(zhuǎn)換(4.5-45V5V@100 mA)
2021-06-16 14:05:4029

LTC3780 LTC4444演示電路-使用N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器同步降壓-升壓控制(8-48V至12V@3A)

LTC3780 LTC4444演示電路-使用N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器同步降壓-升壓控制(8-48V至12V@3A)
2021-06-16 19:04:4313

LTC3452演示電路-同步降壓-升壓MAINCAMERA白光LED驅(qū)動(dòng)器(2.7-5.5V至250 mA,5串@20 mA)

LTC3452演示電路-同步降壓-升壓MAINCAMERA白光LED驅(qū)動(dòng)器(2.7-5.5V至250 mA,5串@20 mA)
2021-06-16 20:22:098

基于LTC4444_Typical ApplicationMOSFET功率驅(qū)動(dòng)器的參考設(shè)計(jì)

View the reference design for LTC4444_Typical Application. http://m.makelele.cn/soft/ has
2021-09-01 14:01:502

基于LTC4444-5_Typical ApplicationMOSFET功率驅(qū)動(dòng)器的參考設(shè)計(jì)

View the reference design for LTC4444-5_Typical Application. http://m.makelele.cn/soft/ has
2021-09-01 14:03:561

NP16P10G(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)

NP16P10G(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-18 09:06:003105

NP2P10MR(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)

NP2P10MR(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-18 09:14:572243

應(yīng)用在電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器中的光耦

MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器,可利用一個(gè)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換和高達(dá)100V的電源電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。針對(duì)
2022-10-25 09:19:342413

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩN溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190

N 溝道 100V 8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET,采用 TO220F(SOT186A)-PSMN8R5-100XS

N 溝道 100V 8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET,采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS
2023-03-03 20:12:570

160V半橋SOI半橋驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)100V MOSFET評(píng)估套件

帶有額定電壓為160V的2ED2748S01G(3x310引腳DFN封裝)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,可驅(qū)動(dòng)12個(gè)額定電壓為100V的OptiMOSMOSFETIPTC015N
2024-03-13 08:13:071576

具有集成自舉二極管的100V、1.2A 至 5A半橋GaN驅(qū)動(dòng)器LMG1205數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成自舉二極管的100V、1.2A 至 5A半橋GaN驅(qū)動(dòng)器LMG1205數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-28 09:25:540

穩(wěn)健、緊湊型 100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器LM5108數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《穩(wěn)健、緊湊型 100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器LM5108數(shù)據(jù)表 .pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-28 13:57:230

NCP1034 100V同步降壓控制評(píng)估板數(shù)據(jù)手冊(cè)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NCP1034 100V同步降壓控制評(píng)估板數(shù)據(jù)手冊(cè).rar》資料免費(fèi)下載
2024-04-26 17:00:440

TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET

LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個(gè) 100V GaN FET 組成,由一個(gè)高頻 90V GaN FET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng),采用半橋配置。
2025-02-21 09:19:40908

TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應(yīng)用與設(shè)計(jì)

LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個(gè) 100V GaN FET 組成,由一個(gè)高頻 90V GaN FET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng),采用半橋配置。
2025-02-21 09:28:211067

LMG3100R017 100V 1.7mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動(dòng)器介紹

LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動(dòng)器100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds(on) 和最大電流版本,LMG3100R017 為 126A/1.7m
2025-02-21 11:19:521063

應(yīng)用筆記:LMG3100R044 100V 4.4mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動(dòng)器

LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動(dòng)器100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds(on) 和最大電流版本,LMG3100R017 為 126A/1.7m
2025-02-21 15:16:11926

MP1918數(shù)據(jù)手冊(cè)#100V、高頻、半橋 GaN/MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

MP1918 是一款 100V 半橋驅(qū)動(dòng)器,用于在半橋或同步應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)具有低柵極閾值電壓的增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET 或 N 通道 MOSFET。 *附件:MP2797 中文數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
2025-03-01 15:41:061652

TPS4800-Q1 具有保護(hù)和診斷功能的汽車(chē)級(jí) 100V 低 Iq 高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS48000-Q1 是一款具有保護(hù)和診斷功能的 100V 低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。該器件具有 3.5V–95V 的寬工作電壓范圍,適用于 12V、24V 和 48V 系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該器件可以承受并
2025-05-06 13:37:11594

TPS4810-Q1 汽車(chē)級(jí) 100V 低 Iq 雙通道高側(cè)驅(qū)動(dòng)器,具有短路保護(hù)和診斷功能數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS48100-Q1 是一款具有保護(hù)和診斷功能的 100V 低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。該器件具有 3.5V–95V 的寬工作電壓范圍,適用于 12V、24V 和 48V 系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該器件可以承受并
2025-05-06 13:44:09686

TPS4813-Q1 汽車(chē)級(jí) 100V 低 Iq 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器,具有低功耗模式和可調(diào)短路保護(hù)功能數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS48130-Q1 是一款具有保護(hù)和診斷功能的 100V 低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。該器件具有 3.5V–95V 的寬工作電壓范圍,專(zhuān)為 12V、24V 和 48V 系統(tǒng)設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì)。該器件可以
2025-05-06 14:38:32628

LM5109系列 100V / 1A 峰值半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM5109 是一款低成本高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100V 的電源軌電壓下工作。輸出由 TTL 兼容輸入閾值
2025-05-21 14:26:131049

LM5107系列 具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM5107 是一款低成本、高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng)高壓側(cè) 以及采用同步降壓或半橋配置的低側(cè) N 溝道 MOSFET。這 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100V 的電源軌電壓下工作。輸出為 通過(guò)
2025-05-21 14:49:34640

Analog Devices Inc. LTC7068 150 V半橋驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Analog Devices Inc. LTC7068 150V半橋驅(qū)動(dòng)器是一款半橋雙N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,在高達(dá)150V的輸入電壓下工作,具有獨(dú)立于電源的三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 輸入邏輯
2025-06-06 10:29:16716

Analog Devices Inc. EVAL-LTC7065-AZ 評(píng)估板數(shù)據(jù)手冊(cè)

和1.6?上拉MOSFET驅(qū)動(dòng)器,能夠以半橋配置驅(qū)動(dòng)兩個(gè)100V N溝道MOSFET。PWM輸入控制與5V邏輯兼容,可控制兩個(gè)柵極輸出,其中一個(gè)輸出與另一個(gè)輸出形成互補(bǔ)。該評(píng)估板具有若干未占用的PCB焊盤(pán),可幫助用戶針對(duì)特定應(yīng)用定制評(píng)估板。
2025-06-06 15:40:21767

Analog Devices Inc. LTC7065半橋雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Analog Devices Inc. LTC7065半橋雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款柵極驅(qū)動(dòng)器,在高達(dá)100V的輸入電壓下工作,具有獨(dú)立于電源的三態(tài)PWM輸入邏輯。強(qiáng)大的1.3Ω下拉和1.6
2025-06-06 16:00:49913

Analog Devices Inc. LTC7063半橋驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Analog Devices Inc. LTC7063半橋驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)兩個(gè)采用半橋配置的N溝道MOSFET,供電電壓高達(dá)140V。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器可以通過(guò)提供瞬態(tài)抗擾度和噪聲來(lái)驅(qū)動(dòng)具有不同接地
2025-06-14 16:36:57833

DK5V100R10VN 東科集成100V功率NMOS管同步整流芯片

DK5V100R10VN是一款簡(jiǎn)單高效率的同步整流芯片。芯片內(nèi)部集成了100V功率NMOS管,可以大幅降低二極管導(dǎo)通損耗,提高整機(jī)效率,取代或替換目前市場(chǎng)上等規(guī)的肖特基整流二極管
2025-07-05 15:53:440

具有可選同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的 28 V 降壓 DC-DC 控制 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()具有可選同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的 28 V 降壓 DC-DC 控制相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有具有可選同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的 28 V 降壓 DC-DC 控制
2025-07-25 18:30:53

?DRV8300 100V三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8300是100V三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300D使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。該
2025-10-14 15:30:54804

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