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CSD86330Q3D 同步降壓 NexFET? 電源塊 MOSFET 對

數(shù)據(jù):

描述

CSD86330Q3D NexFET?功率模塊是針對同步降壓應(yīng)用的優(yōu)化設(shè)計(jì),可在3.3 mm×3.3的小尺寸內(nèi)提供高電流,高效率和高頻率功能mm輪廓。該產(chǎn)品針對5 V柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,提供靈活的解決方案,與外部控制器/驅(qū)動(dòng)器的任何5 V柵極驅(qū)動(dòng)器配合使用時(shí),可提供高密度電源。

特性

  • 半橋電源塊
  • 15 A時(shí)系統(tǒng)效率達(dá)到90%
  • 最多20個(gè)A操作
  • 高頻操作(高達(dá)1.5 MHz)
  • 高密度?? SON 3.3 mm×3.3 mm占位面積
  • 針對5 V柵極驅(qū)動(dòng)進(jìn)行了優(yōu)化
  • 低開關(guān)損耗
  • 超低電感封裝
  • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
  • 無鹵素
  • 無鉛端子電鍍
  • 應(yīng)用
    • 同步降壓轉(zhuǎn)換器
      • 高頻應(yīng)用
      • 高電流,低占空比應(yīng)用
    • 多相同步降壓轉(zhuǎn)換器
    • POL DC-DC轉(zhuǎn)換器
    • IMVP ,VRM和VRD應(yīng)用程序

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?功率 MOSFET 模塊

?
VGS (V)
VDS (V)
Power Loss (W)
Ploss Current (A)
ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC (A)
Configuration
Package (mm)
Operating Temperature Range (C)
Pin/Package
CSD86330Q3D CSD86336Q3D CSD86350Q5D CSD87330Q3D CSD87331Q3D CSD87333Q3D CSD87334Q3D CSD87335Q3D CSD87350Q5D CSD87351Q5D CSD87352Q5D CSD87353Q5D
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方框圖 (1)

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(1)
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