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      CSD16409Q3 N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      描述

      NexFET?功率MOSFET旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應用中的損耗。

      特性

      • 超低Q g 和Q gd
      • 低熱阻
      • 雪崩額定
      • 無鉛端子電鍍
      • 符合RoHS標準
      • 無鹵素
      • SON 3.3mm x 3.3mm塑料封裝
      • 應用
        • 適用于網(wǎng)絡，電信和計算系統(tǒng)應用的負載點同步降壓轉(zhuǎn)換器
        • 針對控制FET進行了優(yōu)化應用

      NexFET是德州儀器的商標。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD16409Q3
      25 ? ?
      Single ? ?
      12.4 ? ?
      8.2 ? ?
      90 ? ?
      4 ? ?
      1 ? ?
      SON3x3 ? ?
      16 ? ?
      2 ? ?
      60 ? ?
      Yes ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1）
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