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NexFET?功率MOSFET旨在最大限度地降低功率轉換應用中的損耗,并針對5V柵極驅動應用進行了優(yōu)化。
NexFET是德州儀器公司的商標。
< /DIV>| ? |
|---|
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| ? |
| CSD16325Q5 | CSD16321Q5 | CSD16322Q5 |
|---|---|---|
| 25 ? ? | 25 ? ? | 25 ? ? |
| Single ? ? | Single ? ? | Single ? ? |
| 2.2 ? ? | 2.6 ? ? | 5.8 ? ? |
| 200 ? ? | 200 ? ? | 136 ? ? |
| 18 ? ? | 14 ? ? | 6.8 ? ? |
| 3.5 ? ? | 2.5 ? ? | 1.3 ? ? |
| SON5x6 ? ? | SON5x6 ? ? | SON5x6 ? ? |
| 10 ? ? | 10 ? ? | 10 ? ? |
| 1.1 ? ? | 1.1 ? ? | 1.1 ? ? |
| ? | ? | 97 ? ? |
| 100 ? ? | 100 ? ? | 100 ? ? |
| Yes ? ? | Yes ? ? | Yes ? ? |