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      3天內(nèi)不再提示

      CSD13201W10 N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      描述

      此器件設(shè)計(jì)用于在超低高度并具有出色散熱特性的盡可能小外形尺寸封裝內(nèi)產(chǎn)生最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。

      在 2 2盎司純銅（Cu）（2盎司）且厚度為0.060“的環(huán)氧板（FR4）印刷電路板（PCB）上，R < sub>θJA = 105°C /W（典型值）。脈寬≤300μs，占空比≤2％

      特性

      • 超低柵極電荷（Qg）和柵漏電荷（Qgd）
      • 小型封裝尺寸1mm x 1mm < /li>
      • 低高度（高度為0.62mm）
      • 無(wú)鉛
      • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
      • 無(wú)鹵素
      • 柵 - 源電壓鉗位

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      Logic Level
      CSD13201W10
      12 ? ?
      Single ? ?
      34 ? ?
      20.2 ? ?
      2.3 ? ?
      0.3 ? ?
      WLP 1.0x1.0 ? ?
      29 ? ?
      8 ? ?
      0.8 ? ?
      Yes ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）
      元器件購(gòu)買(mǎi) CSD13201W10 相關(guān)庫(kù)存

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