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      CSD87381P 同步降壓 NexFETTM 電源塊，CSD87381P

      數(shù)據(jù)：

      描述

      此CSD87381P NexFET電源塊II是針對(duì)同步降壓應(yīng)用的高度優(yōu)化設(shè)計(jì)，能夠在3mm×2.5mm的小外形尺寸封裝內(nèi)提供大電流和高效率。針對(duì)5V柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，這款產(chǎn)品可提供高效且靈活的解決方案，在與外部控制器/驅(qū)動(dòng)器的任一5V柵極驅(qū)動(dòng)器配套使用時(shí)，可提供一個(gè)高密度電源。

      特性

      • 半橋電源塊
      • 10A電流下的系統(tǒng)效率達(dá)90％
      • 工作電流高達(dá)15A
      • 高密度 - 3mm×2.5mm接合柵格陣列封裝（LGA）尺寸
      • 雙側(cè)冷卻能力
      • 超薄 - 最大厚度為0.48 mm
      • 針對(duì)5V柵極驅(qū)動(dòng)進(jìn)行了優(yōu)化
      • 低開關(guān)損耗
      • 低電感封裝
      • 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
      • 無鹵素
      • 無鉛

      應(yīng)用范圍

      • 同步降壓轉(zhuǎn)換器
        • 高電流，低占空比應(yīng)用
      • 多相位同步降壓轉(zhuǎn)換器
      • 負(fù)載點(diǎn)（POL）直流 - 直流轉(zhuǎn)換器

      所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?功率 MOSFET 模塊

      ?
      VGS (V)
      VDS (V)
      Power Loss (W)
      Ploss Current (A)
      ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC (A)
      Configuration
      Package (mm)
      Operating Temperature Range (C)
      Pin/Package
      CSD87381P
      10 ? ?
      30 ? ?
      1 ? ?
      8 ? ?
      15 ? ?
      PowerBlock ? ?
      3x2.5 LGA ? ?
      -55 to 150 ? ?
      5PTAB ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）
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