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      3天內(nèi)不再提示

      CSD13303W1015 N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      描述

      此器件設(shè)計(jì)用于在超低高度并具有出色散熱特性的盡可能小外形尺寸封裝內(nèi)產(chǎn)生最低的接通電阻和柵極電荷。

      頂視圖在1 2 2盎司純銅（Cu）（2 oz。）且厚度為0.060“的環(huán)氧板（FR4）印刷電路板（PCB）上， R θJA = 75.7°C /W（典型值）。脈寬≤1ms，占空比≤2％。

      特性

      • 超低接通電阻
      • 超低柵極電荷（Qg）和柵漏電荷（Qgd）
      • 小封裝尺寸
      • 低高度（高度為0.62mm）
      • 無(wú)鉛
      • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
      • 無(wú)鹵素
      • 芯片級(jí)封裝（CSP）1 x 1.5mm晶圓級(jí)封裝

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      Logic Level
      CSD13303W1015
      12 ? ?
      Single ? ?
      20 ? ?
      31 ? ?
      3.9 ? ?
      0.4 ? ?
      WLP 1.0x1.5 ? ?
      18 ? ?
      8 ? ?
      0.85 ? ?
      Yes ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）
      元器件購(gòu)買(mǎi) CSD13303W1015 相關(guān)庫(kù)存

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