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      CSD17559Q5 30V N 通道 NexFET 功率 Mosfet

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這款30V，0.95mΩ，5mm×6mm SON封裝NexFET功率MOSFET設(shè)計(jì)用于大大降低同步整流和其它功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 /p>頂視圖要了解所有可用封裝，請(qǐng)見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄.R θJA = 40°C /W，這是在厚度為0.06英寸（1.52 mm）的環(huán)氧板（FR4）印刷電路板（PCB）上的1英寸 2 （6.45 cm 2 ），2盎司（厚度為0.071 mm）的銅過渡墊片上測(cè)得的典型值
      。最大R θJC = 1.2°C /W，脈沖持續(xù)時(shí)間≤100μs，占空比≤1％

      特性

      • 極低電阻
      • 超低Q g 和Q gd
      • 低熱阻
      • 雪崩級(jí)
      • 無鉛端子鍍層
      • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
      • 無鹵素
      • 小外形尺寸無引線（SON）5mm x 6mm塑料封裝

      應(yīng)用范圍

      • 網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)，電信和計(jì)算系統(tǒng)
      • 有源或操作（ORing）和熱插拔應(yīng)用

      < /small>

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD17559Q5
      30 ? ?
      Single ? ?
      1.5 ? ?
      1.15 ? ?
      400 ? ?
      39 ? ?
      9.3 ? ?
      SON5x6 ? ?
      20 ? ?
      1.4 ? ?
      257 ? ?
      100 ? ?
      Yes ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）
      元器件購買 CSD17559Q5 相關(guān)庫存

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