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      CSD17381F4 N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17381F4

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這款90mΩ，30V N通道FemtoFET?MOSFET技術(shù)經(jīng)過了設(shè)計和優(yōu)化，能夠以最大限度減小許多手持式和移動類應(yīng)用中的封裝尺寸。這項技術(shù)能夠在替代標準小信號MOSFET的同時將封裝尺寸減小60％以上。

      特性

      • 超低導通電阻
      • 超低Q g 和Q gd
      • 低閾值電壓
      • 超小型封裝尺寸（0402外殼尺寸）
        • 1.0mm×0.6mm
        < /li>
      • 超薄
        • 高度0.35mm
      • 集成型靜電放電（ESD）保護二極管
        • 額定值＆gt ; 4kV人體放電模型（HBM）
        • 額定值＆gt; 2kV充電器件模型（CDM）
      • 無先且無鹵素
      • 符合RoHS標準

      所有商標均為其各自所有者的財產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      Logic Level
      CSD17381F4
      30 ? ?
      Single ? ?
      117 ? ?
      109 ? ?
      10 ? ?
      1.04 ? ?
      0.133 ? ?
      LGA 1.0 x 0.6mm ? ?
      110 ? ?
      12 ? ?
      0.85 ? ?
      Yes ? ?

      方框圖 (1)

      技術(shù)文檔

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